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时间：2018-10-31
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1、存储器的种类、特性和结构一、分类按元件组成：半导体M，磁性材料存储器（磁芯），激光存储器按工作性质：内存储器：速度快，容量小（64K〜8Gbyte）外存储器：速度慢，容量大（20MB〜640GB）二、半导体存储分类RAMSRAM静态DRAM动态IRAM集成动态ROM掩膜ROMPROM可编程EPROM可改写EPROM可电擦除三、内存储器性能指标1.容量M可容纳的二进制信息量，总位数。总位数=字数×字长bit，byte，word2.存取速度内存储器从接受地址码，寻找内存单元开始，到它取出或存入数据为止所需的时间，TA。TA越小，计算机内存工作速度愈高，半
2、导体M存储时间为几十ns〜几百nsns=mus3.功耗维持功耗操作功耗CMOSNMOSTTLECL（低功耗.集成度高）（高速.昂贵.功耗高）4、可靠性平均故障间隔时间MTBF（MeanTimeBetweenFailures）越长，可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关.5、集成度位/片1K位/片〜1M位/片在一块芯片上能集成多少个基本存储电路（即一个二进制位）四、存储器的基本结构随机存储器RAM或读写存储器一、基本组成结构存储矩阵寄存二进制信息的基本存储单元的集合体，为便于读写，基本存储单元都排列成一定的阵列，且进行编址。N×1—位结构：常用于较
3、大容量的SRAM，DRAMN×4N×8—字结构常用于较小容量的静态SRAM2、地址译码器它接收来自CPU的地址信号，产生地址译码信号。选中存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作两种编址方式：单译码编址方式.双译码编址方式（字结构M）（复合译码）存储容量
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