《半导体复习题》word版

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1、装订线半导体物理复习题一、选择题1.硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（）A.1B.2C.4D.82．关于本征半导体，下列说法中错误的是（）A.本征半导体的费米能级EF=Ei基本位于禁带中线处B.本征半导体不含有任何杂质和缺陷C.本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身D.本征半导体的电中性条件是qn0=qp03．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。下面表达式中不等于复合率的是（）A.B.C.D.4．下面pn结中不属于突变结的是（）A.合金结

2、B.高表面浓度的浅扩散p+n结C.高表面浓度的浅扩散n+p结D.低表面浓度的深扩散结5.关于pn结，下列说法中不正确的是（）A.pn结是结型半导体器件的心脏。B.pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。C.平衡时，pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。D.所谓平衡pn结指的是热平衡状态下的pn结。6.对于小注入下的N型半导体材料，下列说法中不正确的是（）A.B.C.D.7.关于空穴，下列说法不正确的是（）A.空穴带正电荷B．空穴具有正的有效质量C．空穴同电子一

3、样都是物质世界中的实物粒子D．半导体中电子空穴共同参与导电8.关于公式，下列说法正确的是（）A.此公式仅适用于本征半导体材料B.此公式仅适用于杂质半导体材料C.此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用9.对于突变结中势垒区宽度，下面说法中错误的是（）A.p+n结中B.n+p结中C.与势垒区上总电压成正比D.与势垒区上总电压的平方根成正比10.关于有效质量，下面说法错误的是（）5装订线A.有效质量概括了半导体内部势场的作用B.原子中内

4、层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小C.有效质量可正可负D.电子有效质量就是电子的惯性质量。二、填空题1.N型半导体中多子为________，少子为________；P型半导体中多子为________，少子为________。表示________的浓度；表示________的浓度。2．若单位体积中有个电子，个空穴，电离施主浓度为，电离受主浓度为，则电中性条件为________。3．T>0K时，电子占据费米能级的概率是________。4.pn结空间电荷区中内建电场的方向是由___区指向___

5、区；在耗尽近似下，空间电荷密度等于________。5.pn结加正向偏压V时势垒高度由变成______；pn结加反向偏压V时势垒高度由变成________。6.理想pn结的电流电压方程又称为________，其中-叫做________；在国际单位制下，的单位是________。由此方程可知，pn结的最主要特性是具有________或________。7.状态密度就是每单位能量间隔内的________。计算状态密度时，我们近似认为能带中的能级作是________分布的。8.半导体材料最常见的三种晶

6、体结构分别是________、________和________。比如，硅是________结构，砷化镓是________结构。9．氢原子电离能，则类氢杂质电离能为________。10.稳压二极管应用的是PN结的________特性，整流二极管应用的是PN结的________特性。三、简答题1.“半导体照明工程”的目标是使LED成为照明光源。这个工程目前的主要任务是寻找或合成便宜、环保、波长合适、发光效率高的半导体材料。试就这一话题回答下列问题：（1）什么是LED？（2）已知的最便宜的半导体材

7、料是什么？2.pn结热平衡时势垒高度的大小与中性P区和N区的费米能级的关系是什么？平衡pn结能带最主要的两个性质是什么？5装订线3.图1是隧道结的平衡示意图，试根据此图回答下列问题：（1）隧道结对结两边半导体掺杂的要求是什么？（2）如图1所示状态时隧道结有无隧道电流？（3）隧道结电流电压曲线的主要特性是什么？图14.图2是Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的能隙示意图，试根据此图回答下列问题：（1）蓝光的光子能量大约在2.76eV，图2中那种材料最适合作为蓝光的发光材料？（2）发光材料需要满足二个条件，

8、第一，发光波长在所需要的范围；第二，发光效率高。这两个要求分别决定于半导体的那两个性质？（3）图中半导体材料哪些是Ⅲ-Ⅴ，那些是Ⅱ-Ⅵ族？各列举三个。图25装订线5.图3是硅导带电子浓度与温度的关系曲线。请指出强电离区、高温本征激发区的位置（即温度范围，用a、b、c表示）。一般而言，实际器件工作在那个区域？图36.图4是非平衡N型半导体准费米能级偏离平衡费米能级的示意图。其中A、E分别表示导带底和价带顶。问B、C、D哪个表示平衡费米能级？哪个表示电子的准费米能级？哪个表示空穴的准费米能级？图47