反激变换器副边同步整流控制器stsr3应用电路详解（2）

《反激变换器副边同步整流控制器stsr3应用电路详解（2）》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、反激变换器副边同步整流控制器STSR3应用电路详解（2）

2、第1图16在副边出现的短路示意图图17给出了详细展开的正常工作情况时，CK时钟信号与OUTGATE输出驱动信号之间的定时关系图。芯片内部的定时tant提供了所需要的预置时间，从而避免了共态导通的出现。按表1的供电条件使用脚SETANT，tant有三种不同的选择值。在脚SETANT外接电阻分压器供电，可得到表1中所需的该脚电压值和预置时间。500)this.style.ouseg(this)">图17STSR3给出的定时信号表1预置时间条件与数值表工作条件数值0&l

3、t;SETANT<(１/３)Vcc175ns(１/３)Vcc<SETANT<(2/3)Vcc150ns(2/3)Vcc<SETANT<Vcc225ns　芯片内的数字控制单元产生这些预置时间，是通过计算在开关周期之中包含的高频脉冲数目来完成的。由于该系统具有数字性能，在计数过程中会丢失一些数位，从而导致输出驱动信号中发生跳动。表1中的预置时间值是一个平均值，考虑了这种跳动因素。图18给出了OUTGATE关断期间的跳动波形。500)this.style.ouseg(this)">图18OUTGA

4、TE关断时的跳动波形2.8空载与轻载工作状态当占空比<14％时，STSR3的内部特性能使OUTGATE关闭，并且切断芯片内部大多数电路供电，从而减小器件的功耗。在这种条件下，变换器的低输出电流，是由同步MOSFET的体二极管来完成的。当占空比>18％时，IC再次起动，所以具有4％的滞后量。当原边的P控制器在极轻输出负载下发生突发状态时，这种特性仍能维持STSR3系统正确工作。输出驱动器具有承受大电流的能力，源极峰值达2A，加散热器后可达3A。因此同步MOSFET开关极快，允许并联几只MOSFET以减小导通损耗

5、。在供电期间的高电平是Vcc，所以芯片只驱动具有逻辑电平栅极门限的MOSFET。2.9瞬态特征及实测波形在负载发生大变化时，占空比可在几个开关周期里从低值极快地变为高值，反之亦然。但OUTGATE给出的预置时间，是根据计算开关周期（频率），而非依据占空比。即使在占空比快速变化时，它也能正确地提供预置时间，从而始终为同步MOSFET提供正确的驱动。图19给出了占空比在一个周期里从50％变成80％，随即又返回50％时的测量波形。图20给出了OUTGATE正确提供的预置时间，从图中看到是131ns。　500)this.styl

6、e.ouseg(this)">图19占空比极快变化波形图之一占空比快变50％80％500)this.style.ouseg(this)">图20占空比极快变化波形图之二OUTGATE提供了正确的预置时间131ns2.10同步整流控制器STSR3的典型应用电路图图21给出了STSR3的典型应用电路板测试图。该电路可替代反激变换器中的整流二极管，用外部时钟检测器进行同步，可用于各种类型的反激变换器，例如AC/DC或者DC/DC。图中的一些电路不是必需的，例如，当原边开关截止时如果没有振铃出现，那么R24，D15，R25和C

7、11就可以删掉。用TO-220塑壳封装的同步MOSFET可装配在电路板上。ST公司提供的适合作同步整流的MOSFET产品型号、规格列在表2中。500)this.style.ouseg(this)">图21同步整流控制器STSR3典型应用试验电路板　表2ST公司提供的专用于同步整流器超低导通电阻的MOSFET新品规格P/NVDss/VRDS(on)5V/mΩID(cont)/ASTP100NF03L－03304.5100STP80NF03L－0430580STP90NF03L301290STP85NF3LL30985STP

8、70NF3LL301270STP100NF04L405100STP80NF55L－0655880STP60NF06L601660STP80NF75L751380STP40NF10L1003640该电路板，能在反激式变换器中，很容易地将二极管整流改变为MOSFET同步整流。表3详细地列出了电路板上选择每个元器件时的注意事项。2.11主芯片STSR3印刷电路板的设计布局任何一种高频开关电源，都需要一个良好的PCB设计布局，以实现整机系统性能的最高指标，并解决干扰的辐射传导问题。电路板上元器件的排放位置、引脚走线和宽度等，都是

9、主要的课题。本文将给出一些基本的规则，使PCB设计者能制作出良好的STSR3电路板布局。在PCB上画线时，所有电流的走线都应尽量缩短和加粗，使走线电阻和寄生电感为最小值，以增进系统的效率和降低干扰的辐射传导。电流返回的路径安排是另一个有决定意义的课题。信号的地线SGLGND与功率地线P1同步MOSFET（TO220封