碳纳米管综述

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1、碳纳米管综述摘要：木文主要介绍碳纳米管的发现及发展过程，并说明碳纳米管的制备方法及其制备技术。同时也叙述碳纳米管的各种性能与应用。引言：在1991年闩本NEC公司基础研究实验室的电子显微镜专家饭岛在高分辨透射电子显微镜下检验石墨电弧设备中产生的球状碳分子时，意外发现了由管状的同轴纳米管组成的碳分子，这就是现在被称作的“Carbonnanotube”，即碳纳米管，又名巴基管。正文：碳纳米管的制备：碳纳米管的合成技术主要有：电弧法、激光烧蚀（蒸发）法、催化裂解或催化化学气相沉积法（CCVD,以及在各种合成技术基础上产生

2、的定向控制生长法等。电弧法利用石墨电极放电获得碳纳米管是各种合成技术中研究得最早的一种。研究者在优化电弧放电法制取碳纳米管方面做了大量的工作。T.W.Ebbeseo［2］在He保护介质中石墨电弧放电，首次使碳纳米管的合成达到了克量级。为减少相互缠绕的碳纳米管在阴极上的烧结，D.T.Collbert［3］将石墨阴极与水冷铜阴极座连接，大大减少丫碳纳米管缺陷。C.Joumet［4］等在阳极中填人石墨粉末和铱的混合物，实现了SWNTs的大量制备。研究发现，铁组金属、一些稀土金屌和铂族元素或以单个金屌或以二金屌混合物均能催

3、化SWNTs合成。近年来，人们除通过调节电流、电压，改变气压及流速，改变电极组成，改进电极进给方式等优化电弧放电工艺外，还通过改变打弧介质，简化电弧装置。综上所述，电弧法在制备碳纳米管的过程中通过改变电弧放电条件、催化剂、电极尺寸、进料方式、极间距离以及原料种类等手段而日渐成熟。电弧法得到的碳纳米管形直，壁簿（多壁甚至单壁）.但产率偏低，电弧放电过程难以控制，制备成本偏高其工业化规模生产还需探索。催化裂解法或催化化学气相沉积法（CCVD）催化裂解法是目前应用较为广泛的一种制备碳纳米管的方法。该方法主要采用过渡金屌作

4、催化剂，适于碳纳米管的大规模制备，产物中的碳纳米管含量较高,但碳纳米管的缺陷较多。催化裂解法制备碳纳米管所需的设备和工艺都比较简单，关键是催化剂的制备和分散。FI前用催化裂解法制备碳纳米管的研宂主要集屮在以下两个方面.•大规模制备无序的、非定向的碳纳米管;制备离散分布、定向排列的碳纳米管列阵。一般选用Fe，Co、Ni及其合金作催化剂，粘土、二氧化硅、硅藻土、氧化铝及氧化镁等作载体，乙炔、丙烯及甲烷等作碳源，氢气、氮气、氦气、氩气或氨气作稀释气，在530°C〜113（TC范围内，碳氢化合物裂解产生的自由碳离子在催化剂

5、作用卜可生成单壁或多壁碳纳米管。1993年Yacaman等人［5］采用此方法，用Fe催化裂解乙炔，在770"C下合成了多壁碳纳米管，后来分别采用乙烯、聚乙烯、内烯和甲烷等作为碳源，也都取得了成功。为使碳离子均匀分布，科研人员还用等离子加强或微波催化裂解气相沉积法制备碳纳米管。激光蒸发法激光蒸发法是制备单壁碳纳米管的一种有效方法。用高能C02激光或Nd/YAG激光蒸发掺有Fe、Co、Ni或其合金的碳靶制备单壁碳纳米管和单壁碳纳米管朿，管径可由激光脉冲来控制。Iijima[6]等人发现激光脉冲间隔时间越短，得到的单壁碳

6、纳米管产率越高，而单壁碳纳米管的结构并不受脉冲间隔吋间的影响。用CO2激光蒸发法，在室温不可获得单壁碳纳米管，若采用快速成像技术和发射光谱可观察到氩气中蒸发烟流和含碳碎片的形貌，这一诊断技术使跟踪研宄单壁碳纳米管的生长过程成为可能。激光蒸发（烧蚀）法的主要缺点是单壁碳纳米管的纯度较低、易缠结。定向生长法定向生长首先是特定制作基底模板之上的生长，模板的制作是决定生成的产物是否定向的关键。模板可通过掩膜技术、电镀技术、化学刻蚀、表面包覆、溶胶一凝胶、微印刷术等技术，使金属或含金属的催化剂沉积于一定的基底上制得。利用催化

7、热解或各种CCVD技术等可实现碳纳米管在模板上的有序生长。己报道的制备方法中，以孔型硅或孔型A12O3为模板，通过CCVD合成定向碳纳米管的方法居多。定向生长法制出的碳纳米管准直、均匀性好、石墨化程度高、碳纳米管相互平行排列不缠绕缺陷相对少，但制作模板和催化剂需冗长且繁杂的工艺过程，其操作和设备要求比较苛刻，因此规模受限。最近文献报道显示，一定条件下通过浮游催化亦可实现碳纳米管定向生长。这无疑是定向生长值得探究的方向。上述各种合成方法各有特点，电弧法得到的碳纳米管形直壁薄，长度较短，但电弧反应难于控制，不利于工业化

8、规模生产。激光烧蚀法得到的碳纳米管杂质较少，易于提纯，但需要复杂昂贵的设备，能耗大、产量小，限制了它的广泛应用。CCVD设备简单，可控工艺参数少，相对能耗小，可大规模生产，但制山的碳纳米管相互缠绕缺陷较多。模板定向生长制出的碳纳米管质量相对上乘，但制作工艺复杂。产量极其有限，难于满足需求。因此碳纳米管合成所面临的急待解决的问题仍不容忽视。性能:力学性能由于碳