gsm900低噪声放大器设计

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1、微波电路与系统仿真实验报告一、实验名称：GSM900频段低噪声放大器仿真二、实验技术指标：1.频段：909-915MHz2.增益：＞17dB3.噪声系数：＜0.7dB4.输入反射系数：优于-20dB5.输出反射系数：优于-15dB6.芯片选择：ATF-54143或VMMK-1218三、报告日期：2015年12月14日四、报告页数：共7页五、报告内容：1.电路原理图（原理图应祕明变量名称的含义，可用文字表述或画图说明）如下图所示，a为低噪声放大器的原理框图，包括晶体管以及输出输入匹配，在图中未画出部分还有晶体管的偏置电路。对于低噪声放大器设计与最大功率传输的放大器设计不同，最大功率传

2、输放大器的设计必须满足双共轭匹配，而这样噪声的功率也会很人，所以为了获得最小噪声系数，应选择最佳信源反射系数I’。。。此时放大器的输入匹配网络的任务是使管子端口满足如下图b中所示的要求。（a）微波晶体管放大器原理图（b）最佳噪声匹配放大器的设计步骤为：1、选管；题FI指标给出了放大器没计可选择的管子，所以本次设计选择了ATF-54I43,查阅ATF-54I43晶体管的模型参数，由于ATF-54I43晶体管在ADS2011中没有模型，所以本文是查找M络资源下载的ATF-54143的模型文件导入到设计中的，ATF-54143模型如下图所示，左阁为晶体管封装模型，右图为內部电路。2、确定

3、工INSiOC作电流和工作电压；查阅ATF-54143介绍资料确定Vds和Ids的值，如下阁所示，可以看出工作频率为900MHz时的晶体管在不同电压电流丁的增益、噪声系数、PldB、三阶截断功率的值，根据这些值选择Vds=4V，Ids=60mA,此吋的Vgg=0.58V。设置电压电流，建立晶体管的直流偏置电路。<旦SI200—•7Vz—0IV05VE一一——一04V•3V012345671201008060400.10020406080100Figure7.Fminvs.I(

4、SandV(jsTunedforMaxOIP3andMinNFat900MHz.0.60.5430.0.<

5、apc!uyVDS(V)Id(mA)2519io020406080100192423Figure1.Typicall-VCurves.(VGS=0.1Vperstep)223V4V7ap>tdlo/i///7—3V—4V0204060801002035403025Ids(mA)Figure9.Gainvs.1扣andV(

6、STunedforMax0IP3andFminat900MHz.Ids(niA)Figure11.OIP3vs.IdsandV(jsTunedforMax0IP3andFminat900MHz.sfiascoFld2322212019181716zV//\//,

7、V/—3V•4V-■2*O-86-4.1.1.O.O.O.ttBi15020406080100ldq

8、8.628.8827.80167.80.0180.10.58-12.635.410.50.81•80.226.1120.22128.30.0352.40.42-52.328.140.90.71•117.323.0114.15106.40.0441.70.31•73.325.381.00.69-123.822.3313.07102.40.0440.20.29•76.924.831.50.64-149.219.499.4386.20.0536.10.22•89.422.75ATF-54143品体管参数以上都是设计的前部分，为准备工作。确定好偏罝电压与电流之后就是进入设计电路的环节了。1

9、.电路图（利用ADS创建的电路图，可用屏幕截图）首先，建立分压电流，如图所示。通常在电源处需要添加几个分立电容来对电源进行去糊，一般增加3个或者2个，包括一个大电容和一个小电容，比如luF,10nF,10pFo为了使得电路稳定系数更好，我们在晶体管的源端加一个反馈电感，调整电感值时K（稳定系数）小于1。eeat：100COR13BGG19960623C7PAHT_NUU-ATC1OCBT03GCA50010pFnK«：100C0m»GG•••••rice接T來没计匹配