大功率整流器中快速熔断器的选型

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1、大功率整流器中快速熔断器的选型

2、第1摘要：说明了作为大功率整流器中整流管或晶闸管的短路保护元件——快速熔断器的选型与参数计算。关键词：整流器；快速熔断器；短路保护　快速熔断器在大功率整流器中与整流管或晶闸管串联连接，作为对整流器件短路故障的保护元件。当整流器件发生反向击穿故障时，快速熔断器快速分断故障支路的短路电流，保护整流器免受故障短路电流的危害。1大功率整流器的特点大功率整流器可以电解铝用整流器为代表，在我国随着单个电解槽产量的提高，电解铝的年产量已由100kt增加到140kt，于是槽电压已由800V提高到1200V，槽电流已由160kA增至280kA，相

3、应的整流变压器容量已提高到75～100MVA。单台输出电流高达50～75kA的整流器，对整流管、快速熔断器也提出了更高的技术要求。图1为年产140kt电解铝用直流系统图，它由四组整流机组并联组成，其中一组为备用。每组整流变压器容量2×54.99MVA，向二台1220V、37kA整流装置供电。整流器采用三相桥式同相逆并联电路，每桥臂由4只ZP-4800V/4500A整流管并联组成，下面讨论如何选用合适的快速熔断器进行保护。500)this.style.ouseg(this)">图1整流系统结构图2快速熔断器的选用2.1熔断器的额定电压UNFUNF值应稍大于熔断器

4、熔断后两端出现的外加电压稳态最大有效值。对数台整流器并联运行的直流供电系统，当其中某一桥臂短路时，或逆变器中发生桥臂直通故障时，施加在熔断器二端的电压为交流电压UVO与部分直流电压Udo之和，可按下式计算[1]：UNF>500)this.style.ouseg(this)">（三相桥式电路）或UNF>500)this.style.ouseg(this)">（双反星形电路）图1中整流变压器阀侧电压1050V，可选用1200V电压等级的快速熔断器。2.2熔断器的额定电流INFINF的选用应以整流电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础，并考虑环境温度

5、（系数ka），冷却条件（系数kT），电流裕度（系数kI）等因素影响进行计算，而不是按与熔断器串联的半导体器件的通态电流平均值转化成有效值来计算。当流过熔断器的电流是脉冲波形时，应计算相应的有效值，而不是取其最大值。INF≥IF·ka·kT·kI≥k·IF式中：k值一般可取1.5～2。对自冷式熔断器，k取较大值，尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路结构，需取最大值；对水冷式熔断器k取较小值。快速熔断器选用的额定电流过大，势必增加熔断器的I2tF值，对半导体器件的保护是有害的。图1中每个整流桥臂有4个整流管并联工作，当均流系数按09考虑时，则流过熔断器中的最大电

6、流的有效值为IFmax=500)this.style.ouseg(this)">·Id/2(0.9×3×4)=2970A由于大电流快速熔断器采用水冷式结构，因此它的额定电流可选用INF=1.5IFmax≈4500A。当桥臂中一个整流管损坏后，流过熔断器的电流增加到3960A，仍可保证整流器额定电流的输出。2.3I2t值的核算当半导体器件与快速熔断器串联工作时，半导体器件允许通过的I2tD值应大于快速熔断器的I2tF值，不然熔断器熔断时，器件也被烧损。二者关系可按下式计算I2tF≤0.9I2tD整流管的I2tD值随电流的倍数平方值增加，见表1。快速熔断器的I2t

7、F值则增加更快，见表2。从表1、表2中可以看出，200A整流管可配315A熔断器作保护，而2000A整流管只能配用2200A以下熔断器作保护了。表1ZP型整流管的I2tD值（平均值）通态电流/A200400600800100016002000I2t/A2s0.6×1052.2×1054.75×1058.5×10513.9×10535.5×10556.7×105表2法国FERRAZ公司PSC系列（660V）快速熔断器的最大熔断I2tF值额定电流有效值/A3156309001250160022002800最大熔断的I2t值/A2s0.4×1052.8×1059×1

8、0511×10519×10550×105100×105大功率整流器的桥臂中通常设计为2～6个整流管并联运行，如图1所示。当A相某整流管反向击穿形成变压器阀侧短路时，流过两个健全臂（B、C相）的电流幅值并不相等，B、C相电流幅值为A相短路电流幅值的50％～80％[2]。图2为1500V、2000A整流器中快速熔断器保护试验波形，它是在人工短接A相桥臂整流管（相当于整流管反向击穿而形成桥臂短路）时拍摄的变压器阀侧短路的相关波形图。从图2中看出，人工短接整流管支路的快速熔断器经9.9ms后分断（由于短路电流值较小，因此分断速度较慢），B、C相熔断器与整流管完好，流过

9、B、C相桥臂的短路电流幅值分别为12.