电子技术基础

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1、宜宾翠屏电子职业技术学校电子技术基础讲义第一讲半导体器件1、杂质半导体与PN结本征半导体中掺入不同的杂质就形成N型半导体和P型半导体，控制掺入杂质的多少就可以有效地改变其导电性能，从而实现导电性能的可控性。半导体中有两种载流子：自由电子与空穴。载流子有两种有序运动：因浓度差异而产生的运动称为扩散运动，因电位差而产生的运动称为漂移运动。将两种杂质半导体制作在同一块硅片（或锗片）上，在它们的交界面处，上述两种运动达到动态平衡，从而形成PN结。正确理解PN结单向导电性、反向击穿特性、温度特性和电容效应，有利于了解

2、半导体二极管、晶体管和场效应管等电子器件的特性和参数。2、半导体二极管一个PN结经封装并引出电极后就构成二极管。二极管加正向电压时，产生扩散电流，电流与电压成指数关系；加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小，体现出单向导电性。、、和是二极管的主要参数。特殊二极管与普通二极管一样，具有单向导电性。利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二极管，利用PN结的光敏性可制成光电二极管。3、晶体管晶体管具有电流放大作用。当发射结正向偏置而集电结反向偏置时，从发射区注入到基区的非平衡少子中仅有很少

3、部分与基区的多子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流，体现出（或、）对的控制作用。此时，可将看成为电流控制的电流源。晶体管的输入特性和输出特性表明各极之间电流与电压的关系，β、α、()、、、和是它的主要参数。晶体管有截止、放大、饱和三个工作区域，学习时应特别注意使管子工作在不同工作区的外部条件。19宜宾翠屏电子职业技术学校4、场效应管场效应管分为结型和绝缘栅型两种类型，每种类型均分为两种不同的沟道：N沟道和P沟道，而MOS管又分为增强型和耗尽型两种形式。场效应管工作在恒流区时，利用栅

4、一源之间外加电压所产生的电场来改变导电沟道的宽窄，从而控制多子漂移运动所产生的漏极电流。此时，可将看成电压控制的电流源，转移特性曲线描述了这种控制关系。输出特性曲线描述、和三者之间的关系。、或、、、和极间电容是它的主要参数。和晶体管相类似，场效应管有夹断区（即截止区）、恒流区（即线性区）和可变电阻区三个工作区域。尽管各种半导体器件的工作原理不尽相同，但在外特性上却有不少相同之处。例如，晶体管的输入特性与二极管的伏安特性相似；二极管的反向特性（特别是光电二极管在第三象限的反向特性）与晶体管的输出特性相似，而场

5、效应管与晶体管的输出特性也相似。第二讲放大电路简介1、放大的概念在电子电路中，放大的对象是变化量，常用的测试信号是正弦波。放大的本质是在输入信号的作用下，通过有源元件（晶体管或场效应管）对直流电源的能量进行控制和转换，使负载从电源中获得的输出信号能量，比信号源向放大电路提供的能量大得多，因此放大的特征是功率放大。放大的前提是不失真，换言之，如果电路输出波形产生失真便谈不上放大。2、放大电路的组成原则①放大电路的核心元件是有源元件，即晶体管或场效应管；②正确的直流电源电压数值、极性与其它电路参数应保证晶体管工

6、作在放大区、场效应管工作在恒流区，即建立起合适的静态工作点，保证电路不失真；③输入信号应能够有效地作用于有源元件的输入回路，即晶体管的b-e回路，场效应管的g-s回路；输出信号能够作用于负载之上。19宜宾翠屏电子职业技术学校3、放大电路的主要性能指标放大倍数、输入电阻、输出电阻、最大不失输出电压、下限、上限截止频率和、通频带、最大输出功率、效率。4、放大电路的分析方法1）静态分析就是求解静态工作点Q，在输入信号为零时，晶体管和场效应管各电极间的电流与电压就是Q点。可用估算法或图解法求解。2）动态分析就是求解

7、各动态参数和分析输出波形。通常，利用h参数等效电路计算小信号作用时的、和。利用图解法分析和失真情况。放大电路的分析应遵循“先静态、后动态”的原则，Q点不但影响电路输出是否失真，而且与动态参数密切相关。5、晶体管和场效应管基本放大电路1）晶体管基本放大电路有共射、共集、共基三种接法。共射放大电路即有电流放大作用又有电压放大作用，输入电阻居三种电路之中，输出电阻较大，适用于一般放大。共集放大电路只放大电流不放大电压，因输入电阻高而常做为多级放大电路的输入级，因输出电阻低而常做为多级放大电路的输出级，因电压放大倍

8、数接近1而用于信号的跟随。共基电路只放大电压不放大电流，输入电阻小，高频特性好，适用于宽频带放大电路。2）场效应管放大电路的共源接法、共漏接法与晶体管放大电路的共射、共集接法相对应，但比晶体管电路输入电阻高、噪声系数低、电压放大倍数小，适用于做电压放大电路的输入级。6、多级放大电路的耦合方式直接耦合放大电路存在温度漂移问题，但因其低频特性好，能够放大变化缓慢的信号，便于集成化，而得到越来越广泛的应用。阻容耦合放大