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时间:2018-10-28
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1、CMOS电路芯片ESD保护电路设计技术的发展摘要:随着近几年CMOS集成电路的快速发展,COMS电路芯片的尺寸越来越小,单位面积芯片上集成的晶体管也逐渐增加,这有效提高了集成电路的运算速度,同时大大降低了单个芯片的制造成本。然而在集成电路快速发展的同时,ESD问题也日益凸现出来,ESD保护电路能够有效保护COMS电路芯片,对内部电路的保护具有重要意义。笔者就以ESD保护原理为集成,对CMOS电路芯片ESD保护电路设计技术的发展进行了分析。关键词:COMS电路芯片;ESD保护电路;集成电路静电放电(ESD)对集成电路芯片的干扰程度最大,一般的
2、,ESD通过干燥环境的人体带电,以电荷脉冲形式出现在电路端口,进而影响内部电路。由于COMS锁定效应的存在,当端口处缺乏有效保护措施时,很容易引发固有的锁定效应,使得整个芯片的PNPN通道导通,如果外电路也缺少防护措施,那么电路就会烧毁。因此,CMOS电路芯片ESD保护电路的设计是极为重要的,需要给予充分的重视。1ESD原理和保护器件1.1ESD原理所谓ESD保护电路,即为了防止静电放电对电路芯片产生危害而设计的电路,目的是在放电事件发生的过程中,在芯片内部提供一个低电阻的支路,使得静电放电产生的能量得到有效释放,阻止静电放出的能量对电路芯
3、片产生危害,把静电放电的危害降低到最小,保障整个电路的安全。当然,作为ESD保护电路,除了作为支路释放静电产生的能量以外,还要确保能量释放伴随产生的热量分布均匀,若热量分布不均,容易导致局部过热,同样会导致芯片或者电路的其他部分遭受损害。另外,ESD保护电路在发挥作用释放能量的同时,要做到不影响主功能电路的正常工作,这就对ESD保护电路的设计提出了更高的要求。1.2静电的产生和危害一般来说,所有电路在正常工作的过程中,都容易受静电放电的影响,静电放电主要包括摩擦起电,感应生电以及离子轰击三种方式,电子产品从生产到使用的过程中(包括运输过程)
4、都容易因为与带电物体接触从而产生静电,对电路芯片或者其他部分产生危害。电子产品在生产的过程中,首先会容易发生在制造产品内部器件一晶元的过程中,车间里有很多制造器件的合成材料容易产生静电,这时产生的静电主要是对生产模板造成影响,如模板形状变型、歧形等。另外,产生的静电还可能直接对硅片造成影响,破坏电路的内部结构。在电路器件组装的过程中同样会产生静电,被单独切割的芯片与四周绕线容易产生静电。芯片生产出来以后,印刷电路板的制作过程、设备制造过程、设备使用过程、设备维修过程都容易受到静电的影响,从而对电子产品的电路产生影响,可以说,静电放电己经成为
5、危害电子行业的一个重要影响因素,在一定程度上影响了电子行业的发展,因此,要做好ESD保护电路的设计工作,把静电放电产生的能量危害降低到最小。1.3ESD保护器件静电放电事件可能发生在电子产品从生产到使用的每一个过程,因此,ESD保护电路设计需要考虑多方面的因素,其中,保护器件的选择是至关重要的一个环节,一般来说,保护器件的选择需要遵循以下原则。为静电产生的能量提供释放渠道,这时保护电路最重要的功能,产生静电时,保护电路应该充分发挥泄放通路的作用,使得静电产生的能量得到有效释放;通过正常的I/O信号时不工作,ESD保护电路还应该具备正常的识别
6、功能,当I/O信号通过时,ESD保护电路不工作;引入较低的电容、电阻,静电放电虽然会对电路产生危害,但与正常电路相比,静电产生的能量相对较小,因此,引入小电阻、小电容器足够的释放静电能量;除了上述要求以外,ESD保护电路的设计除了应该考虑到以上的要求以外,还应该对锁闭(latchup)有较高的免疫,同时具备较高的耐压能力。2ESD放电模式与设计方案2.1I/O引出端与VDDESD放电的情况类型比较复杂,主要包括I/O到电源的正负静电、I/O之间的正负静电、电源到地的正负静电、I/O到地的正负静电、不同类型电源之间以及不同类型地之间的正负静电
7、五种类型,也就是说,产生静电的方式有很多种,保护电路的设计方案需要尽可能考虑到所有的静电产生方式,确保在每一种可能静电放电的过程中能量得到有效释放。设计ESD保护电路时需要进行有效的ESD测试,首先是I/O引出端,需要对引出端依次打三次正电、三次负电(顺序不能反,每两次之间间隔一秒),VDD端与I/O引出端类型相同,测试方式一样,需要注意的是,若电路存在多个电源的情况,需要对各个类型的电源进行I/O引出端到电源的ESD测试,VDD端也一样。2.2I/O引出端与I/O引出端I/O引出端与I/O引出端之间同样需要进行ESD测试,具体的测试方法为
8、在I/O引出端之间互打ESD,同样是三次正电、三次负电,间隔时间为一秒。ESD电流泄放路径上图为ESD电流泻放路径,如图所示,图中的虚线部分表示PAD1对PAD2之间打正电时,静
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