数字集成电路课程设计报告(j)

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1、數穹集成电路锦超试針報告电路功能:F=~(A+B)CD实现方式:有比逻辑pmos姓名:XXXXXX班级••电科XXXXXX学号••XXXXXXXXXX指导教师:XX1.电路功能概述通过利用有比逻辑电路图来实现F=~(A+B)CD的功能。该电路的基本功能是:当A,B中有一个至少为高电平,C,D均为高电平时,F输出低电平;若C,D,有一个是低电平,则F输出高电平;若A,B均为低电平,则F输出高电平。2.电路设计阶段结果2.1电路图2.2添加完测试激励后的spice文件:Waveformprobingcommands.probe.optionsprobefilename=r,F:ke

2、shekechengsheji11.datn+probesdbfile=nF:spicekechengsheji.sdbn+probetopmodule=Mkechengshejin.xncludeWF:spicetannerTSpice70ir.odelsml2_125.mdM*Maincircuit:kechengshejiMlFAN6N6NMOSL-2uW«22uAD-66pPD-24uAS-66pPS-24UM2FBN6N6NMOSL=2uW=22uAD=66pPD=24uAS=66pPS=24uM3N6CN3GndNMOSL=2uW=22uAD=66pP

3、D=24uAS=66pPS=24uM4N3DGndGndNMOSL=2uW=22uAD=66pPD=24uAS=66pPS=24uM5FGndVddVddPMOSL=2uW=22uAD=66pPD=24uAS=66pPS=24uv6VddGnd5.0v2AGndpulse(0.05.00lOnlOnlOOn200n)v3BGndpulse(0.05.00lOnlOn200n400n)v4CGndpulse(0.05.00lOnlOn50n100n)v5DGndpulse(0.05.00lOnlOnlOOn200n).tran/opIn400nmechod=bdf.printtra

4、nv(A)v(B)v(C)v(D)v(F).measuretranfalltimetrigv(F)val=4.5fall=ltargv(F)val=0.5fall=l.measurecranrisecimetrigv(F)val=0.5rise=ltargv(F)val=4.5rise=l.measuretrancPHLtrigv(C)val=2.5rise=ltargv(F)val-2.5fall«l.measuretrantPLHtrigv(C)val=2.5fall=ltargv(F)val=2.5rise=l*Endofmaincircuit:kechengsheji2.

5、3仿真结果<>)nQ々J々4.1IUcWosibejiTtas⑽2.4仿真结果分析我们从仿真曲线中可以看到,显然该电路满足:当A,B中有一个至少为高电平,C,D均为高电平时,F输出低电平;若C,D,有一个是低电平,则F输出高电平;若A,B均为低电平,则F输出高电平。1.版图设计与实现结果3.1加入焊垫后电路图3.2加入焊垫后tpr文件$TPRnetlistwrittenbyS-EditWin327.03$WrittenonJun22,2015at07:40:10CNOR2ABOut;UN0R2_3men_l/N9men_l/N4men_l/N8;CNAND2ABOut;UNAI®

6、2_1N4N5men_l/N4;CInvAOut;UInv_3men_l/N8N10;CN0R2ABOut;UNOR2_1N1N3men_l/N9;CPPadlnCUPadlnC^lCPPadlnCUPadlnC^lCPPadlnCUPadlnC^lCPPadlnCUPadInC_lDatalnDatalnBDatalnUnBufAIPAD」/N3IPAD_1/N2Nl;DatalnDatalnBDatalnUnBufBIPAD一2/N3IPAD_2/N2N3;DatalnDatalnBDatalnUnBufCIPAD一3/N3IPAD_3/N2N4;DatalnDatalnBD

7、atalnUnBufDIPAD_4/N3IPAD_4/N2N5;Pad;Pad;Pad;Pad;CPPadOutDataOutPad;UPadOut_lN10F;4.3加入焊垫后spice文件I.SUBCKTNAND2ABOutGndVddMN_4_1Out31N12NMOSW='28*l'L='2*l'AS=*148*1*1'AD='84*1*1'PS='68*1'PD='34*1'H=1mj~21AN12N12NMOSW='28*rL='2*rAS='84*1*1'AD='1

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