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1、实验三直流扫描分析一、实验目的1、掌握直流扫描分析的各种设置和方法。二、实验内界1、绘出下面电路图，利用直流扫描(DCSweep)来验证二极管的V-I特性曲线。ViOVdcr^zyD1D1N4002-0步骤：(1)、作出电路图，进行直流扫描扫描分析。没H主扫描变景为电压源Vi,由-110V开始扫描到10V,每隔o.oiv记录一点；杏看二极管流过的(2)、现在调整横轴与纵轴坐标以便观察门坎电压值。请选PlotAxisSettings...功能选项或直接X轴％标刻度上双击左键來打开AxisSetting
2、s对诘框。请把XAxis页内DataRanges栏下的UserDefined值设为0-2V,请把YAxis页内DataRangs栏下的UserDefinedv_vi(3)、再如上面的操作将X轴坐标刻度值设为-101V到-99V,将纵坐标调整为-5A到1A,查看二极管电流I(D1),可见其雪崩屯压约为100V。•101.OV-100.8V-100.6V-100.4V-100.2V-100.0V-99.8V-99.6V-99.4V-99.2V-99.0VoI(D2>V_Vi2、绘出下而电路I冬I，利用且流
3、扫描分析(DCSweep)的來验证品体三极管的Vce-Ib输!li特性曲线。(*)11OAdc步骤：1)电压源VI和电流源II的元件属性默认都为0。以下扫描类型均为Linear扫描。2)设置主拍描参数。在Options#内勾选PrimarySweep选项，设置主妇描变量为电压源Vi,由0V开始扫描到4V,每隔0.01V记录一点。3)没g副扫描参数在Options栏内勾选SecondarySweep选项，没置副扫描变量为电流源II，Hl0A开始扫描到0.5mA，每隔0.1mA记录一点。或者在ValueL
4、ist中设置为00.lm0.2m0.3m0.4m0.5m也口J。4)进行仿真分析，杏看集电极电流TC(Q1)。5)启动光标来测景坐标值。由曲线上，人致可以看出在放人区内三极管放人系数P为(150.06)。(/?=△,()•101.OV-100.8V-100.6V-100.4V-100.2V-100.0V-99.8V-99.6V-99.4V-99.2V-99.0VoI(D2>V_Vi2、绘出下而电路I冬I，利用且流扫描分析(DCSweep)的來验证品体三极管的Vce-Ib输!li特性曲线。(*)11OA
5、dc步骤：1)电压源VI和电流源II的元件属性默认都为0。以下扫描类型均为Linear扫描。2)设置主拍描参数。在Options#内勾选PrimarySweep选项，设置主妇描变量为电压源Vi,由0V开始扫描到4V,每隔0.01V记录一点。3)没g副扫描参数在Options栏内勾选SecondarySweep选项，没置副扫描变量为电流源II，Hl0A开始扫描到0.5mA，每隔0.1mA记录一点。或者在ValueList中设置为00.lm0.2m0.3m0.4m0.5m也口J。4)进行仿真分析，杏看集电
6、极电流TC(Q1)。5)启动光标来测景坐标值。由曲线上，人致可以看出在放人区内三极管放人系数P为(150.06)。(/?=△,()TraceCursorlCursor2Diff丄Haz1Min1>EXValue496.732m500.000m-3.2680m500.000m496.732m438.366mI(Ql:c)79.815m65.736m14.079m73.815m65.736m72.776mVVI=4
7、100%元件名称元件库说明VDCLibrary/Pspice/Sourse.olb直流电压
8、源TDCLibrary/Pspice/Sourse.olb过流电流源Q2N2222Library/Pspice/Bipo1ar.olb三极管3、一BJT互阻放人电路如图所示。设NPN型硅管2N3904的放人系数戶100，电路参数为：/?c=500Q,7?f=10kQ,VCC=12V。分析：-01)当温度在-30°C到+50QC的情况下，如果反馈电阻沁从10kQ到50kQ之间变化吋，毎隔10K记录一点，三极管集电极电流的变化情况如何。TFMP步骤：进入仿真环境中，绘岀所示屯路，丼没置好参数。特别是要选择
9、参数元件(PARAMETERS),设置Q定义变量｛rr｝。(1)、在直流扫描分析中设置对温度的扫描，同吋在参数扫描屮设置变景1T不同的取值，仿真后得集电极电流/c。由阁中看到溫度4:-3(rc到+5(rc的情况下，Rf取不M伉时，集电极电流的变化悄况。4、共射极放大电路如下阍所示。设BJT的型号为2N3904(#50)。试用PSPICE程序作如下的分析：(1)求Q点；(2)作温度特性分析，观察当溫度在-30度〜+70度范围内变化时，BJT的集电极电流4的
