有关td-lte无线网络优化技术探析

有关td-lte无线网络优化技术探析

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1、有关TD-LTE无线网络优化技术探析中睿通信规划设计有限公司510630摘要:TD-LTE作为一种先进的网络技术,在我国得到了普遍的应用。然而,TD-LTE标准仍在不断演进之中,仍有很多技术瓶颈需要突破,仍有一些问题需要进一步深入研究。为了使TD-LTE终端产品尽快成熟,更好地满足当代社会发展的需求,我们要加快其商用化进展,提高无线网络的质量和服务性能。这就需要对TD-LTE无线网络质量问题进行深入研究,不断优化其关键技术。基于此,笔者提出了控制劣优小区、提升网络容量和排减网络干扰几种优化解决手段

2、,以期在当今网络高速发展的时代推动TD-LTE技术走向成熟,满足人们对无线网络的需求。关键词:TD-LTE;无线网络;网络结构;网络干扰1.网络结构的合理性1.1网络结构的含义在TD-LTE网络中,重叠覆盖的高低决定了SINR的状况,而制约重叠覆盖的因素主要有天馈的俯仰角、方位角。但天馈的俯仰角、方位角具体设置为多少,则是由天线挂高、基站站间距和基站分布决定的,这就是网络结构。1.2网络结构的评估在我们的实际工作中,主要从四个方面评判网络结构,分別是基站站间距、天线挂高、覆盖分析和F/D频段组网方

3、式。2.网络负荷随着TD-LTE网络的发展和4G用户的快速增长,热点区域小区的负荷在逐渐升高,用户的不均匀分布导致部分小区出现高负荷的情况,热点区域小区的均匀覆盖和单载波己经不能满足用户的需求,小区间覆盖伸缩和双载波部署越来越重要。目前,需要通过覆盖调整、参数优化、负荷均衡、资源扩容等方式来提升热点区域的网络容量。2.1参数算法调整在暂吋无法扩容的情况下,我们可以尝试通过调整参数来缓解网络的高负荷状况。2.2增加同频或异频小区新增同覆盖小区(双D或双E频点):宏站扩容D1+D2或室分扩容E1+E2

4、,基本不需要增加额外设备,宏站可能需要新增或更换基带板。驻留策略:①重选。D1和D2小区设置相同重选优先级。②切换。Dl、D2小区覆盖基本一致,双向切换均采用A2+A3算法。新增异覆盖小区:新增异频小区(F+D),一般需要新增或更换基带板,新增D或F频段RRU。如果两小区共用天线,则需更换宽频天线或新增一副天线。驻留策略:①重选。D频段小区重选优先级高于F频段小区重选优先级。②切换。F频段至D频段小区切换采用A2+A5或基于频率的切换算法,D频段吸收业务;D至F切换采用A2+A3或基于TA的切换算

5、法,保证终端在D频段边缘吋及吋切至F频段。案例:问题描述:SJCHA1228健康路秦川艺校new-HLHD站点整体负荷较高。问题处理:采取了D+F的扩容方案,双频网采用重选参数分流业务,D频段小区重选优先级设置为7,F频段小区重选优先级设置为5;F频段小区主导覆盖,D频段小区承担主要容量。优化效果:通过新增异频小区,容量高负荷状况得到改善。2.3增加同覆盖小区负荷分担不管是新增何种类型的异频小区,都存在用户集中只驻留在某一个小区的风险,使得同覆盖小区负荷分担不均。建议开启负荷分担算法,均衡冋覆盖小

6、区间的负荷,使资源利用最大化,特别是完全同覆盖双层网场景。负荷均衡是用来平衡小区间、频率间和无线接入技术之间的负荷,可以平衡整个系统的负荷,提高系统的稳定性。功能是根据服务小区及艽邻区负荷状态或用户数情况合理部署小区的运行流量,有效地使用系统资源,以提高系统的容量和稳定性。2.4增加同异覆盖小区功率预留TD-LTE小区功率设置不仅要考虑当前的覆盖需求,还要考虑双层网扩容后的功率重分配,保证扩容后覆盖不收缩。针对F频段小区,如果是F+D扩容,新增RRU,则不涉及原小区功率调整,即原F小区不需要预留功

7、率;如果是F1+F2扩容,新增小区将占用RRU总功率的一部分,如果扩容前原小区已功率满配,则扩容后覆盖必然收缩。基于F2只有10M带宽,建议扩容前F小区预留ldB功率,以保证扩容后F小区覆盖不收缩。针对D频段小区,如果是D+F扩容,新增RRU,则原D小区不需要预留功率;如果是D1+D2扩容,建议扩容前D小区预留3dB功率,以保证扩容后覆盖不变。1.复杂无线环境下的网络干扰TD-LTE系统最常遇到的干扰可以分为系统内干扰、系统外干扰、硬件故障三类。系统内干扰主要是同频干扰,包括TD-LTETDD帧失

8、步干扰(GPS失锁)、模三干扰、越区覆盖干扰(TDD&FDD)等;系统外干扰主要是异系统非法使用TD-LTE频段,异系统的杂散、阻塞或互调干扰对本系统的影响;硬件故障包括RRU故障,自系统杂散和互调干扰,天馈、天馈避雷器干扰等。3.1系统内干扰3.1.1帧失步干扰在TD-LTE系统中,时分双工系统对时钟同步性要求很高。TD-LTE特殊子帧的上下行保护吋隙之间的GP就是为上行和下行留出的保护带,其值为100〜700μs。如果失步吋间不在100〜700μs这一范围内

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