电力电子技术试题01

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1、电力电子技术试题填空0000002、电子技术包括__信息电子技术__和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。0000001、电力变换通常可分为：交流变直流、直流变直流、直流变交流和交流变交流。0000002、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在___开关__状态。当器件的工作频率较高时，___开关__损耗会成为主要的损耗。0000001、电力变换通常分为四大类，即交流变直流、直流变直流、直流变交流、交流变交流。0100004、过电压产生的原因操作过电压、雷击过电压，可采取RC过电

2、压抑制电路、压敏电阻等措施进行保护。0100002、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管　GTR；可关断晶闸管　GTO；功率场效应晶体管　MOSFET　；绝缘栅双极型晶体管　IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。0100004、晶闸管对触发脉冲的要求是触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通、触发脉冲应有足够的幅度、触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额和应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。（可作简答题）0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑　均流　的问题，解决的方法是　挑选特性参数

3、尽量一致的器件和采用均流电抗器。0100004、抑制过电压的方法之一是用电容吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。0100001、型号为KP100-8的晶闸管表示其额定电压为800伏、额定有效电流为100安。0100003、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有避雷器；RC过电压抑制电路/阻容吸收；硒堆；压敏电阻等几种。（写出2种即可）0100001、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有GTR、GTO、MOSFET、IGBT几种。0100003、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳极A，阴极K和门极G晶闸管的导

4、通条件是晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者UAK>0且UGK>0；关断条件是使流过晶闸管的阳极电流降到维持电流以下。0100002、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是，绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电力晶体管的图形符号是；49/490100003、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极作为栅极，以电力晶体管发射极和集电极作为发射极与集电极复合而成。0100004、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK　　快速晶闸管　；200表示表示　　额定电流200A　，9表示　额定电压

5、900V　。0100004、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的电流有效值为15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为　（1.5～2）×1.414×220　；晶闸管的额定电流可选　为　（1.5～2）×15/1.57　。0100003、常用的过电流保护措施有　电子电路、　　快速熔断器、　直流快速熔断器、过电流继电器。（写出2种即可）0100003、给晶闸管阳极加上一定的正向电压；在门极加上正向门极电压，并形成足够的门极触发电流，晶闸管才能导通。0100002、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于擎

6、住电流之前，如去掉触发脉冲，晶闸管又会关断。0100002、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管　GTR；可关断晶闸管　GTO；功率场效应晶体管　MOSFET　；绝缘栅双极型晶体管IGBT　；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑　均流　的问题，解决的方法是　首要措施是挑选特性参数尽量一致的器件、采用均流电抗器。0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流IT等于1.57倍IT（AV），如果IT（AV）=100安培，则它允许的有效电流为157安培。通常在

7、选择晶闸管时还要留出1.5～2倍的裕量。0100001、晶闸管的维持电流IH是指在40度以下温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小阳极电流。0100001、普通晶闸管内部有PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。1、两个、阳极A、阴极K、门极G。49/490100001、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。2、正向、触发。0100001、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。3、阻断、导通、阻断。0100002、某半导体器件的型号为KP50—

8、7的，其中KP表示该器件的名称为，50表示，7表示。4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压700V。0100001、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。5、维持电流。0100003、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。15、（关断）过电压。0100002、G