模拟电子技术资料

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1、专题一半导体器件一.知识点：1.半导体类型注意：（1）电子带负电，空穴带正电；（2）杂质半导体整个晶体呈电中性，多子由掺杂浓度决定。2.PN结正偏（P正N负）；PN结反偏（PN正）负。3.半导体二极管的伏安特性：正向特性、反向特性、击穿特性。uv/V    015105  iv/mA    ABB′A′-5IR0.20.40.60.8    C′D′DC-30-U（BR）硅锗温度对二极管的特性有显著影响。当温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。4.稳压二极管工作在反向击穿区，具有很好的稳压特性。*1）

2、正向电流大，开关时间短；2）正向导通电压低，功耗低。——肖特基二极管*变容管工作在反偏状态，反向电压升高，则电容量C减小。微调电台，作“调谐电容”。5.晶体三极管实现放大作用的外部条件：发射结正向偏压，集电结反向偏压。6.晶体三极管的电流关系：工作过程：发射、复合、收集。7.晶体三极管的外部特性1）输入特性：2)输出特性:截止区：反——集反（或零）-发放大区：反正饱和区：正正放大区：发射结正偏，集电结反偏，IC≈βIB。当IB有一个微小的变化时，就能引起IC一个较大的变化，反映出了三极管工作在这一区域对电流的线性放

3、大作用，放大区时，对NPN管而言，VC>VB>VE。截止区：发射结反偏或零偏、集电结反偏，IC≈0，晶体管在此区域没有放大能力，截止区时，对NPN管而言，VC>VE>VB。该工作状态主要在数字电路中作开关使用。饱和区：处于发射结正偏、集电结正偏，三极管失去放大能力，这一区域称为饱和区，饱和区时，对NPN管而言，VB>VBC>VE。该工作状态也主要在数字电路中作开关使用。8.温度对晶体三极管特性和参数的影响：随温度升高，输入特性曲线左移、输出特性曲线上移且曲线间距离增大，β增大。9.场效应管又称为单极型半导体三极管,

4、三个电极依次为栅级G(B)、源极S(E)、漏极D(C),是利用栅源电压Vgs改变导电沟道的宽窄实现对漏极电流的控制（压控流源VCCS）。类型有：二.典型题：(一).半导体器件基础知识（填空、选择判断）(二).晶体管类型和工作状态的判断（填空、选择判断）题型1.半导体器件基础知识1.判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

5、（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×2.选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏解：（1）A（2）C（3）B题型3.晶体管类型和工作状态的判断1.根据晶体管各极直流电位判断其类型和管脚在放大区2.根据晶体管

6、各极的电流和电位判断其工作状态例1测得放大电路中的两个晶体管的两个电极无交流信号输入时，放大电流大小及流向如图(a)(b)所示。（1）求另一个电极电流，并标出实际方向；（2）标出三个管脚各是什么电极；（3）判断它们是NPN还是PNP型管。解：（1）另一电极电流大小及实际方向如图(c)(d)所示。（2）各管脚相应的电极如题图5(c)(d)所示。（3）题图5(a)所示晶体管为NPN型，题图5(b)所示晶体管为PNP型分析：据电极电位判断三极管类型方法：（1）判断电位差0.7V/0.3V，断定e和b并确定硅管、锗管（2）

7、按电位关系判断NPN及PNPB并确定e和bVC>VB>VENPN型VC

8、1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。（2）当VBB＝1V时，因为μA所以T处于放大状态。（3）当VBB＝3V时，因为μA所以T处于饱和状态。例6.分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。解：（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能专题二放大电路一、知识点：1、基本放大器电路结构及元件作用；2、直流