原苏大模拟电路试卷(总集2)

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1、苏州大学模拟电路课程试卷（18卷）共3页回院系专业成绩年级学号姓名日期一、选择填空（20分）：1.某二极管的反向饱和电流在25℃时为10μA，温度每升高10℃，器反向饱和电流就增大一倍。当温度为45℃时，该二极管的反向饱和电流为。(a)20μA(b)30μA(c)40μA(d)80μA2.处于放大状态的三极管（未说明是什么pnp或npn）三极间的电压关系是。(a)UBE>0,UCE>0(b)│UBE︱>0,UCB>0(c)︱UCE︱>︱UBE︱3.温度影响放大电路的静态工作点，使工作点不稳定，其原因是温度影响了放大电路中的。(a)电阻(b)三极管(

2、c)电容4.三极管的三种基本放大电路中有电压放大能力又有电流放大能力的组态是。(a)共集电极组态(b)共射极组态(c)共基极组态5.阻容耦合放大电路能够放大。(a)交直流混合信号(b)交流信号(c)直流信号6.由于三极管极间电容的影响，当输入信号频率大于上限频率时，放大器的放大倍数会。(a)增大(b)减小(c)不变(d)为零7.影响放大器低频特性的主要因素是。(a)三极管的极间电容(b)β参数随频率变化而变化(c)耦合点融合旁路电容(d)温度8.放大器的转折频率对应的放大器的放大倍数是中频放大倍数的。(a)0.5倍(b)0.707倍(c)0.866

3、倍(d)0.577倍9.某放大器的放大倍数为Au=1000，则其分贝表示值为。(a)40dB(b)30dB(c)60dB(d)50dB10.某比较信号为U1=3V，U2=5V，则其差模成份为。(a)+2V(b)–2V(c)±2V(d)±1V二、分析计算：1.(12分)一共射极放大电路如图，图中有错，试改正之。2.（10分）一放大电路的直流通路如图，β=50，UBE=0.7V，试计算其IBQ值。3.（10分）理想运放组成的对数运算电路如图，导出Uo和Ui的关系式，并说明电路对Ui有何要求？4.（15分）如图所示为一放大器的交流通路，两管参数相同，rb

4、e=4k，β=100，(1)画出小信号模型；(2)Au=Uo/Ui；(3)输入电阻Ri。5.（12分）电路如图，元器件均理想，求：(1)Uo～Ui的关系；(2)若输入为正弦波，画出输出波形。6.（10分）电路如图，元器件均理想，求Uo～Ui的关系。7.（11分)设计一个桥式整流滤波电路，要求输出电压Uo=20V，输出电流Io=600mA，交流电源频率为50Hz。（不必确定元件的型号，但需确定其数值）。苏州大学模拟电路课程试卷（19卷）共3页回院系专业成绩年级学号姓名日期一、填空（20分）：1.本征半导体中掺入五价元素的原子，形成型半导体。2.某二极

5、管的反向饱和电流在25℃时为10μA，温度每升高10℃，器反向饱和电流就增大一倍。当温度为45℃时，该二极管的反向饱和电流为。(a)20μA(b)30μA(c)40μA(d)80μA3.PN结在平衡的条件下，N区侧带离子。4.NPN型晶体管的集电区体积比发射区的。5.晶体管的ICBO越小，该管受温度影响程度越。6.温度影响放大电路的静态工作点，使工作点不稳定，其原因是温度影响了放大电路中的。(a)电阻(b)三极管(c)电容(d)电感7.场效应管分为和两大类。8.互补对称功放电路的晶体管一般工作在类状态。9.一般情况下，RC振荡器的振荡频率在MHz以

6、下。10.桥式整流电路若烧断一个二极管，其输出电压是原来的。二、分析计算：1.（10分）放大电路的直流通路如图，β=60，UBE=0.7V，欲将工作点Q置于线性区的中央，求RB的值。2.（12分）电路如图，元件均理想，求：(1)判断二极管D1、D2的导通、截止情况；(2)计算A点的电位。3.（10分）理想运放组成的对数运算电路如图，求Uo和Ui的关系式，并说明电路对Ui有何要求？4.（15分）一个两级放大电路的交流通路如图，已知rbe1、rbe2，求：(1)画出小信号模型；(2)计算Au=Uo/Ui；(3)输出电阻Ro。5.（12分）理想运放组成增

7、益可调的反相比例运算电路如图，已知Uomax=±15V，求下述三种情况下，Uo各为多少伏？(1)Rw在顶部；(2)Rw在中部；(3)Rw在底部。6.（10分）已知运算关系式Uo=－(1/10)∫(2Ui1+Ui2)dt，试用一级运放实现之。7.（11分）三端稳压器组成的电路如图，已知Iw=50μA，输出端1、2间的电压UREF=1.25V，若要输出电压Uo的可调范围为1.25～20V，Rw应为多少？]苏州大学模拟电路课程试卷（20卷）共3页回院系专业成绩年级学号姓名日期一、填空（20分）：1.二极管在外加正向电压时导通，外加反向电压时截止，称为性。

8、2.半导体三极管有两个PN结，即和。3.PNP型晶体管的发射区掺杂浓度比集电区。4.绝缘栅型场效应管分为沟道和沟道两类。5