2章 常用半导体器件及应用题解

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1、第二章常用半导体器件及应用一、习题2.1填空1.半导材料有三个特性，它们是、、。2.在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。3.二极管的主要特性是。4．在常温下，硅二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V；锗二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V。5．在常温下，发光二极管的正向导通电压约为V，考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在mA。6.晶体管(BJT)是一种控制器件；场效应管是一种控制器件。7.晶体管按结构分有和两种类型。8.晶体管按材料分有和两种类型。9.NPN和PNP晶体管的主要区别是电压和电流的不同。10.晶体管实现放大作

2、用的外部条件是发射结、集电结。11.从晶体管的输出特性曲线来看，它的三个工作区域分别是、、。12.晶体管放大电路有三种组态、、。13.有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻。14．三极管的交流等效输入电阻随变化。15．共集电极放大电路的输入电阻很，输出电阻很。16．射极跟随器的三个主要特点是、、。17．放大器的静态工作点由它的决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的决定。18．图解法适合于，而等效电路法则适合于。19．在单级共射极放大电路中，如果输入为正弦

3、波，用示波器观察uo和ui的波形的相位关系为；当为共集电极电路时，则uo和ui的相位关系为。20.在NPN共射极放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为失真，原因是Q点(太高或太低)，若输出电压的波形顶部被削掉，称为失真，原因是Q点(太高或太低)。如果其输出电压的波形顶部底都被削掉，原因是。21．某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为9V、2V和1.4V，则该三极管属于型，由半导体材料制成。22．在题图P2.1电路中，某一元件参数变化时，将UCEQ的变化情况(增加；减小；不变)填入相应的空格内。(1)Rb增加时，UCEQ将。(2)Rc减小时，UCEQ将。(3)Rc增加

4、时，UCEQ将。(4)Rs增加时，UCEQ将。(5)β增加时(换管子)，UCEQ将。第二章题解－14题图P2.123．为了使结型场效应管正常工作，栅源间PN结必须加电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比双极性晶体管的输入电阻。24．由于晶体三极管，所以将它称为双极型器件，由于场效应管，所以将其称为单极型器件。25．对于耗尽型MOS管，UGS可以为。对于增强型N沟道MOS管，UGS只能为，并且只有当UGS时，才能形有id。26．场效应管与三极管相比较，其输入电阻、噪声、温度稳定性、放大能力。27.场效应管放大器常用偏置电路一般有和两种类型。28.低频跨导gm反映了场效应管对控制能力，其

5、单位为。解：（1）热敏、光敏、掺杂特性。（2）五价、三价。（3）单向导电性。（4）0.5、0.7、0.1、0.2。（5）1-2.5。（6）电流型、电压型。（7）NPN、PNP。（8）锗、硅。（9）极性和方向。（10）正偏、反偏。（11）截止区、放大区、饱和区。（12）共射极、共基极、共集电极。（13）小。（14）静态工作点。（15）高（大）、低（小）。（16）输入与输出同相、电压放大倍数约等于1、输入电阻大且输出电阻小。（17）直流通路、交流通路。（18）分析各点的电流、电压波形和非线性失真情况，一般用于大信号放大电路；适宜于求解动态参数，一般用于小信号放大器分析。（19）反相、相同。

6、（20）饱和、太高；截止、太低；输入信号过大。（21）NPN、硅。（22）增加、增加、减小、不变、减小。第二章题解－14（23）反偏、高。（24）通过空穴和自由电子两种载流子参与导电，只靠一种载流子（多子）参与导电。（25）为正为负或者为零；为正；>UGS(th)。（26）高、低、好、弱。（27）自给式、分压式。（28）UGS、ID、西门子（ms）。2.2选择题1．二极管加正向电压时，其正向电流是由()。(A)多数载流子扩散形成(B)多数载流子漂移形成(C)少数载流子漂移形成(D)少数载流子扩散形成2．PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压时，()。(A)其反向电流增大(B)其反

7、向电流减小(C)其反向电流基本不变(D)其正向电流增大3．稳压二极管是利用PN结的()。(A)单向导电性(B)反偏截止特性(C)电容特性(D)反向击穿特性4．变容二极管在电路中使用时，其PN结应()。(A)正偏(B)反偏答：1、A2、C3、D4、B2.3写出题图P2.2所示各电路的输出电压值。(设二极管均为理想二极管)解：（a）3V（b）0V（c）-3V（d）3V。2.4重复题2.3，设二极管均为恒压降模型，且导通电压Uon=0.7V。（a）(