半导体材料论文

《半导体材料论文》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、半导体材料论文半导体材料是物理中常见的物质，下面就是小编为您收集整理的半导体材料论文的相关文章，希望可以帮到您，如果你觉得不错的话可以分享给更多小伙伴哦！　　半导体材料论文一　　：随着科技和经济的进步发展，半导体器件在我们生活中的应用越来越广泛，而在半导体器件中有机半导体应用最为广泛。本文即将探索和解说有机半导体器件的电学性能，揭开其神秘的面纱。该文主要从有机半导体同无机半导体的发展历程及其其概念导入，其次在分析有机半导体的优劣点，解说有机半导体的场效应现象，最后以纳米ZnO线(棒)的试验解说其电学性质　　关键词：半导体有机半导体电学性能　　

2、一、从有机半导体到无机半导体的探索　　1.1有机半导体的概念及其研究历程　　什么叫有机半导体呢?众所周知，半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类材料，这类材料具有独特的功能特性。以硅、锗、砷化嫁、氮化嫁等为代表的半导体材料已经广泛应用于电子元件、高密度信息存储、光电器件等领域。随着人们对物质世界认识的逐步深入，一批具有半导体特性的有机功能材料被开发出来了，并且正尝试应用于传统半导体材料的领域。　　在1574年，人们就开始了半导体器件的研究。然而，一直到1947年朗讯(Lueent)科技公司所属贝尔实验室的一个研究小组发明了双极晶体管后

3、，半导体器件物理的研究才有了根本性的突破，从此拉开了人类社会步入电子时代的序幕。在发明晶体管之后，随着硅平面工艺的进步和集成电路的发明，从小规模、中规模集成电路到大规模、超大规模集成电路不断发展，出现了今天这样的以微电子技术为基础的电子信息技术与产业，所以晶体管及其相关的半导体器件成了当今全球市场份额最大的电子工业基础。，半导体在当今社会拥着卓越的地位，而无机半导体又是是半导体家族的重中之重。　　1.2有机半导体同无机半导体的区别及其优点　　与无机半导体相比，有点半导体具有一定的自身独特性，表现在：　　(l)、有机半导体的成膜技术更多、更新，

4、如真空蒸镀，溶液甩膜，Langmtrir一Blodgett(LB)技术，分子自组装技术，从而使制作工艺简单、多样、成本低。利用有机薄膜大规模制备技术，可以制备大面积的器件。　　(2)、器件的尺寸能做得更小(分子尺度)，集成度更高。分子尺度的减小和集成度的提高意味着操作功率的减小以及运算速度的提高。　　(3)、以有机聚合物制成的场效应器件，其电性能可通过对有机分子结构进行适当的修饰(在分子链上接上或截去适当的原子和基团)而得到满意的结果。同时，通过化学或电化学掺杂，有机聚合物的电导率能够在绝缘体(电阻率一10一Qcm)到良导体这样一个很宽的范围

5、内变动。因此，通过掺杂或修饰技术，可以获得理想的导电聚合物。　　(4)、有机物易于获得，有机场效应器件的制作工艺也更为简单，它并不要求严格地控制气氛条件和苛刻的纯度要求，因而能有效地降低器件的成本。　　(5)、全部由有机材料制备的所谓“全有机”的场效应器件呈现出非常好的柔韧性，而且质量轻。　　(6)通过对有机分子结构进行适当的修饰，可以得到不同性能的材料，因此通过对有机半导体材料进行改性就能够使器件的电学性能达到理想的结果。　　1.3有机半导体材料分类　　有机半导体层是有机半导体器件中最重要的功能层，对于器件的性能起主导作用。所以，有机半导体

6、器件对所用有机半导体材料有两点要求:　　(l)、高迁移率；(2)、低本征电导率。　　高的迁移率是为了保证器件的开关速度，低的本征电导率是为了尽可能地降低器件的漏电流，从而提高器件的开关比。用作有机半导体器件的有机半导体材料按不同的化学和物理性质主要分为三类:一是高分子聚合物，如烷基取代的聚噬吩;二是低聚物，如咪嗯齐聚物和噬吩齐聚物;三是有机小分子化合物，如并苯类，C6。，金属酞著化合物，蔡，花，电荷转移盐等。　　二、制作有机半导体器件的常用技术　　有机半导体性能的好坏多数决定于半导体制作过程因此实验制备技术就显得尤为重要。下面将对一些人们常用

7、器件制备的实验技术做简要的介绍：　　(1)、真空技术。它是目前制备有机半导体器件最普遍采用的方法之一，主要包括真空镀膜、溅射和有机分子束外延生长(OMBE)技术。　　(2)、溶液处理成膜技术。它被认为是制备有机半导体器件最有发展潜力的技术，适用于可溶性的有机半导体材料。常用的溶液处理成膜技术主要包括电化学沉积技术、甩膜技术、铸膜技术、预聚物转化技术、分子自组装技术、印刷技术等。　　三、有机半导体器件的场效应现象　　为了便于说明有机半导体器件的场效应现象，本文结合有机极性材料制作有机半导体器件对薄膜态有机场效应进行分析。试验中，将有机极性材料经

8、过真空热蒸镀提纯之后溶在DMF溶液中，浓度是20Omg/ml，使用超声波清洗机促进它们充分并且均匀的溶解，经过真空系统中沉积黄金薄膜作为器件的源极和漏极。在类似条件