用tmt处理含铜氨络合物废水的设计研究

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1、WORD文档下载可编辑用TMT处理含铜氨络合物废水的研究研究了环境友好型的有机硫药剂TMT处理含铜氨络合离子废水的影响因素，用元素分析、红外与X衍射等手段表征了生成的沉淀，并对它的热分解性与在去离子水中的渗滤性作了初步探讨。结果表明，TMT能与铜离子强力螯合并沉淀，处理含铜氨络合物废水的效果好，处理方法简单。生成的沉淀物为非晶态的Cu3(C3N3S3)2•1.5H2O，它的热稳定性较高，在去离子水中渗滤出的饱和铜浓度很低，不会对环境造成二次污染。Abstract：Weinvestigatedtheinflue

2、ncesofammoniaconcentration,pH,settlingtimeontheeffectivenessofcopperprecipitationusingtheenvironment-friendlyreagent-TMTandcharacteristicsoftheobtainedprecipitate.TheresultsshowthatTMTisaveryadvantageouschelatingagentinprecipitatingcomplexcopperandthetechni

3、queoftreatingcopper-amminewastewaterbyTMTiseasy.TheprecipitateisamorphousCu3(C3N3S3)2•1.5H2O,whichhasnosecondarypollutionontheenvironmentbecauseofthehighthermalstabilityandlowleachabilityindeionizedwater.含铜废水主要来自印刷电路板、金属的漂洗和电镀、纸浆制作等行业[1]。过量的铜会产生危害并有致突变作用[2]

4、，用含铜废水灌溉农田，铜可在土壤和农作物内累积，产生危害[3]。为了控制铜等重金属对水体的污染，保护地面水和地下水水质的良好状态，我国政府制定了统一的污水排放标准，其中总铜的一级排放标准为0.5mg/L[4]。当废水中含有络合剂如NH3、EDTA、磷酸酯、柠檬酸盐和天然有机酸时，它们将与铜离子配位形成非常稳定的可溶性络合物，从而干扰传统工艺对铜的处理[5]。以印制电路工业为例，目前印刷电路板的腐蚀多数采用碱氨蚀刻液。该蚀刻液借助氧化、溶解和配合等化学过程，将印制电路板上露出的铜以二氯化四氨合铜的形式溶解下来，

5、其总反应为：这样，电路板经碱性蚀刻后产生了大量的含铜清洗废水和回收尾液。此类废液偏碱性，NH3较多，铜以较稳定的铜氨络合物形式存在。采用混凝、中和沉淀、吸附、电解、微生物法等处理方法，难以达到良好的去除效果或处理成本太高。而采用硫化物沉淀法处理含络合剂的重金属废水，由于各种重金属硫化物的溶度积都非常小，重金属的去除效果很好。常用的硫化物分无机硫（硫化钠）与有机硫（STC、DTC和TMT）两大类，有关分子结构见图1，它们的生态学及毒理学数据见表1。专业资料精心整理WORD文档下载可编辑从表1中可以看出，与TMT

6、相比，硫化钠、STC和DTC的毒性较大，特别是DTC更具有生物杀伤性，曾经由于它的过量投加，杀死了从Anderson到Indianapolis的50英米流域内的117吨鱼[7]。TMT常见的商品形式为15%的水溶液，俗称TMT-15，它在20℃时的密度为1.12g/mL[6]。可见，当每立方米废水中含有高达12000mLTMT-15时，仍不会对鱼类的生存造成任何不良影响，因此，TMT是一种环境友好型有机硫药剂。在含有[Cu(NH3)4]2+的废水中加入TMT-15时，发生以下反应：专业资料精心整理WORD文档

7、下载可编辑用TMT-15处理含铜氨络合离子废水的影响因素，用元素分析、红外与X衍射等手段表征了生成的沉淀，并对它的热稳定性与在去离子水中的渗滤特性作了初步探讨。1 试验部分1.1 试剂固体Na3(C3N3S3)•9H2O（即TMT）为美国Aldrich公司出品，将33.32g的Na3(C3N3S3)•9H2O晶体溶解于100g的去离子水中，即为TMT的15%水溶液，俗称TMT-15。其余所涉及的化学品皆为分析纯，实验所用的水都为新鲜的去离子水，其电导率小于0.7μs/cm。1.2 主要仪器实验中pH值的测定是

8、由HannapH211型pH计与E-201-C-6型复合电极完成的，采用的pH定位液（4.01、6.86和9.18）由上海雷磁公司出品。热重分析采用SetaramSetsys-16TA仪，实验在99.999%的氮气氛围中进行，气体流速为50mL/min，温度范围为20－800℃，程序升温速率为10℃/min。红外分析采用KBr压片法在Nicolet-Nexus670红外光谱分析仪上进行。采用日本理学