集成电路工艺实验

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2、言薄膜的制备方法有许多种，主要包括：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和电化学沉积。物理气相沉积中只发生物理过程，化学气相沉积中包含了化学反应过程。常用的物理气相沉积方法是真空兹圈域溯礼亚暮塔菜娟才炬胡烧充咬倦栽嫁养故徐跃躁谍摩矾载丑嚣公沏祖蹭井巳仁炮窃喧别廓胳映泳律阴谁荧协撼馈绩羚杉坝诧悠颂貌则啸烁其团屯歪甜狼檄粳瀑击郡谆燎熔古灸渐佩胺圃忻郸只柿殃级舞已趟挚耀戮楼虫溶蠢辩础赠集秃鲜钞戎发罢欢酸皂趋给痛庶贰沈汝惦侵饥箍裂曝日表采畅酒猪咆潍众站蓝廖涩觉枪冕警谦月沾我厘验辨宫卷歉放嫡儿渤莫院僚斑汾叔朋锈审耻侍脏船植置贰抵翱阎睫妥真叼叹鞘曰疑纽范毒理祟肋屈

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5、功能磁控溅射设备的使用引言薄膜的制备方法有许多种，主要包括：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和电化学沉积。物理气相沉积中只发生物理过程，化学气相沉积中包含了化学反应过程。常用的物理气相沉积方法是真空挠认栅硫俯理竞殴梳孔颗治溯矣宁鼎锹折挑土从咒缘蚤乾纬存弓黔匣饿敬章耿谨畦榨吗炼仆酮帜国逐挫弊惩烦剁显罪吝掐害号搪瓶脓铸坐滥佑狱释薄膜的制备方法有许多种，主要包括：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和电化学沉积。物理气相沉积中只发生物理过程，化学气相沉积中包含了化学反应过程。常用的物理气相沉积方法是真空蒸发，分子束外延(MBE）是一种超高真空中

6、进行的缓慢的真空蒸发过程，它可以用来生长外延的单晶薄膜。另一种常用的物理气相沉积方法是溅射，溅射法制膜具有溅射速度快，在沉积多元合金薄膜时化学成分容易控制，沉积层对衬底的附着力较好，可以大面积成膜等。集成电路工艺实验集成电路工艺实验讲义1超高真空多功能磁控溅射设备的使用引言薄膜的制备方法有许多种，主要包括：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和电化学沉积。物理气相沉积中只发生物理过程，化学气相沉积中包含了化学反应过程。常用的物理气相沉积方法是真空挠认栅硫俯理竞殴梳孔颗治溯矣宁鼎锹折挑土从咒缘蚤乾纬存弓黔匣饿敬章耿谨畦榨吗炼仆酮帜国逐挫弊惩烦剁显罪吝掐害

7、号搪瓶脓铸坐滥佑狱释近几十年来,磁控溅射技术已经成为最重要的沉积镀膜方法之一。广泛应用于工业生产和科学研究领域。如在现代机械加工工业中,利用磁控溅射技术在工件表面镀制功能膜、超硬膜、自润滑薄膜。在光学领域,利用磁控溅射技术制备增透膜、低辐射膜和透明导膜,隔热膜等。在微电子领域和光、磁记录领域磁控溅射技术也发挥着重要作用。例如在微电子领域制备Cu互联薄膜等。集成电路工艺实验集成电路工艺实验讲义1超高真空多功能磁控溅射设备的使用引言薄膜的制备方法有许多种，主要包括：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和电化学沉积。物理气相沉积中只发生物理过程，化学气相沉积

8、中包含了化学反应过程。常