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时间:2018-10-17
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1、模拟电子线路试题(第一部分)一判断题:1.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而不发生变化。()2.以自由电子为主要导电方式的半导体称为P型半导体。()3.P、N型半导体都不带电。()4.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。()5.如果二极管的正反向电阻都很小或为零,则该二极管断路。()6.二极管正反向电流值大,说明其单向导电性能差,且受温度影响大。()7.单相半波整流电路中,流过二极管的平均电流只有负载电流的一半。()8.在常温下,锗二极管的死区电压约为0.5V,正向导通电压为0.7V。()9.单相全波整流电路中,二极
2、管承受的最高反向电压UM=√2U2。()10.在单相桥式整流电路中,若变压器次级电压有效值为150V,则输出电压平均值为135V。()11.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。()12.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。()13.用万用表欧姆档粗测2AP9时用R×100档。()14.单向桥式整流电路在输入交流电压时没半周内两只二极管都有可能导通。()15.全波整流电路中,二极管与负载串联,流过二极管的电流和负载电流不相等。()16.PN结反向偏置时,电阻大,正向电流小,处于截止状态。()17.桥式整流电路
3、中,流过二极管的平均电流等于负载电流。()18.二极管加反向电压时,处于截止状态,此时没有电流流过二极管。()19.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。()20.二极管的电压和电流变化不呈线性关系,其内阻不是常数,所以二极管属于非线性器件。()21.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而发生变化。()22.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。()23.P型半导体带负电。()24.PN结处于反向偏置时,处于导通状态,说明正向电流大,电阻小,。()25.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管断路。()26.二极管正反
4、向电流值小,说明其单向导电性能好,且受温度影响小。()27.单相半波整流电路中,流过二极管的平均电流就是流过负载电流。()28.在常温下,硅二极管的死区电压约为0.1-0.2V,正向导通电压为0.3V。()29单相全波整流电路中.二极管承受的最高反向电压UM=U2,。()30.在单相全波整流电路中,若变压器次级电压有效值为150V,则输出电压平均值为135V。()31.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,产生电击穿。()32.锗二极管两端加上正向电压时不会立即导通。()33.N型半导体带负电,P型半导体带正电。()34.单向桥
5、式整流电路在输入交流电压的正,负半周内4只二极管导通。()35.变压器整流电路中,二极管与负载串联,流过二极管的电流和负载电流相等。()36.PN结反向偏置时,正向电流小,反向电阻大,处于截止状态。()37.单向半波整流电路中,流过二极管的平均电流等于负载电流的一半。()38.二极管加反向电压时,处于导通状态,此时电流流过二极管。()39.半导体加入外电的作用下存在数量不相等的空穴和自由电子两种载流子。()40.二极管的电压和电流变化呈线性关系,其内阻是常数,所以二极管属于线性器件。()41.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。()42.晶体
6、三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。()2043.三极管按半导体材料分为PNP型和NPN型。()44.晶体三极管工作在截止和道通状态时,如同开关的闭合和断开。()45.三极管相当于两个反接的二极管,所以基极断开后还可以作为二极管使用。()46晶体二极管同晶体三极管一样都具有两个PN结。()47.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。()48.NPN型和NPN型三极管都是由硅材料制成的。()49.PNP型三极管工作在放大状态,三个极的电位必须符合不等式UE>UB>UC()50.三极管具有三个极,分别为:栅极(B),源
7、极(C),漏极(E)。()二选择题:1.以下属于半导体的是()。A.锗B.塑料 C.铜 D.云母2.P型半导体中的多数载流子是()。A.负电荷B.自由电子 C.正电荷 D空穴.3.将PN结P区接电源负极,N区接电源正极,此时PN结处于()偏置。A.正向B..双向 C.单向 D反向4.将PN结两端加反向电压时,在PN结内参与导电的是()。A.空穴B.自由电子 C.自由电荷 D.空穴和自由电子5.PN结反向击穿后,若这种击穿时可逆的,称为()。A.电击穿B.热击穿 C.反向击穿 D.完全击穿6.由理想二极管组成的电路如下图所示,
8、其A、B两端的电压为()。A..-6VB.+6V C-12V D.+12V
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