脱除和浓缩co2的膜气体吸收技术的开发

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1、脱除和浓缩CO2的膜气体吸收技术的开发陆建刚,王连军*(南京理工大学化工学院南京210094)温室效应是影响地球气候变化的主要因素,已引起世界各国的高度重视,而温室气体CO2的排放量主要来自工业领域,如火力发电、石油化工、冶金企业、医药工业、食品发酵领域等。如何减少全球CO2的排放量缓解温室效应,关系到人类的生存和发展,研究高效低能耗可行的分离和回收CO2技术有其重要的意义。用来分离和脱除CO2的技术包括各种物理和化学处理方法,如溶剂吸收、变压吸附、深冷分离和膜分离等。膜接触器在技术可靠性和经济性方面显示出突出的优势,被认为具有很大应用潜

2、力的技术之一[1]。膜基气体吸收(简称膜吸收),是膜分离技术与气体吸收技术相结合的新型分离装置,通常使用微孔中空纤维膜(气液膜接触器)将气液两相分开,气相中的组份(如CO2等)在驱动力作用下,通过膜孔扩散至液相,并被液相吸收,从而达到分离的目的。与传统气液吸收装置(如鼓泡吸收器,填料塔,喷淋塔等)相比,膜接触器具有传质效率高,能耗低,装置体积小,操作稳定和弹性大等优势,国内外研究人员正在开发利用膜接触器分离混合气中酸性气体(CO2、H2S、SO2、NOx等)。1985年Cussler等人[2]首次利用中空纤维膜接触器吸收气体,研究了其传质

3、过程;其后国外在这方面研究十分活跃[3,4];国内高校等也开展了相关的研究[5,6]。研究所涉及内容包括膜材料及结构形态、膜组件结构等对传质性能的影响,吸收溶剂的选择,操作条件对吸收性能的影响等。本文研究了采用N-甲基二乙醇胺(MDEA)溶液和添加活化剂AII的MDEA混合溶液作为吸收剂,PP中空纤维膜接触器分离N2/CO2体系,建立了膜接触器吸收-再生连续循环实验室装置,研究了操作条件对吸收过程和传质性能的影响,并提出了相应的数学模型预测总传质系数,结合实验结果对膜接触器分离N2/CO2过程进行了分析,比较了模型计算值和实验值,得出相关

4、结论。1气液膜接触器原理和传质模型1.1膜组件结构及操作形式气液膜接触器包括接触器和溶液两部分,膜接触器涉及膜材质、膜形态和膜组件结构。膜接触器中微孔中空纤维PP是高分子聚合物,按溶剂和膜湿润性关系分为疏水性膜和亲水性膜,在操作过程中疏水膜膜孔充满气体(非湿润模式),见图2;而亲水膜膜孔充满液体(湿润模式),见图3。通常对于气体吸收,疏水膜阻力小于亲水膜。为维持膜两侧压力平,气液两相间操作压差不能超过膜临界压力(即湿润压力),临界压力可由Young-Laplace方程决定:Pcritical=2γCosθ/r(1)显然选择高疏水性、膜孔较

5、小的膜可获得较高的临界操作压力,能维持膜孔充满气体而获得最小膜阻力。对于采用中空纤维管壳式膜接触器,膜组件结构根据流体在壳侧流动的方式有平行流和错流结构,见图1。本实验采用平行流结构,非湿润模式,气相在管侧流动,液相在壳侧流动。作者简介:陆建刚,男,博士生,高级工程师,专业:环境科学与工程,E-mail:jglu6161@hotmail.com*联系人:王连军,男,博士,教授,博士生导师,E-mail:wanglj@mail.njust.edu.cn7(a)(b)(c)(d)Fig.1Schematicdesignofmembraneco

6、ntactor.(a)parallel-flowconfiguration(b,c,d)transverse-flowconfigurationFig.2Non-wettingmodeFig.3wettingmode1.2传质模型1.2.1传质过程的双膜理论膜基气体吸收传质过程可用双膜理论来描述,当传质过程处于稳定状态时,在膜两侧分别形成气相边界层和液相边界层,见图4。气相组份i(=CO2)在浓度差作用下,从气相主体扩散至气相边界层,再通过膜孔扩散至液相边界层,与吸收剂发生化学反应,进入液相主体。传质过程经历了气相边界阻力层(1/kg),

7、膜相阻力层(1/kM)和液相边界阻力层(1/(HEkL)),总阻力方程描述如下:1/Kov=1/kg+1/kM+1/(HEkL)(2)式中膜传质系数kM可通过Fick定律推导出计算式,气液相分传质系数kg和kL通过无因次准数Sh、Re和Sc以Sh=aRebScc形式关联得到,E和H分别为液相化学反应增强因子和Henry常数。71/kg1/kM1/(HEkL)Fig.4Masstransferregions,dominantresistancesandchemicalreactionsinliquidinmembranecontactor1

8、.2.2膜传质系数kM的计算CO2在膜孔中扩散与膜结构形态及扩散状态有关,根据Fick定律可得出下式:kM=Dgε/(δτ)(3)其中扩散系数〔7〕:1/Dg=1/DiD+1/Dk(4)式中D

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