华工网院模拟电子技术随堂练习2015-2016

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1、第1章常用半导体器件当前页奋8题,你己做8题,己提交8题,其中答对8题。1.N型半导体的多数载流子是电子,因此它应(C)。A.带负电B.带正电C.不带电2.将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将(B)。A.变窄B.变宽C.不变3.二极管的死区电压随环境温度的升高而(C)。A.增大B.不变C.减小4.电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10Sir^tV时,输出电压最大值为10V的电路是(C)。5.电路如阁所示,DI,D2均为理想二极管,出电压uO应为(D)。A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为一40VD.最

2、大值为10V,最小值为0V设U1=1OV,ui=40sinotV,则输稳压管的动态电阻以是指(B)。A.稳定电压久与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量AUZ与相应电流变化量AIZ的比值C.稳压管正向压降与和应正向电流的比值7.在放大电路屮的晶体管,其电位最高的一个电极是(B)。A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极8.已知放人电路屮某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为(A)。A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管第2章基本放大电路当前页有10题,你己做10题,已提交1

3、0题,其中答对7题。1.如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流(B)oA.反向B.近似等于零C.不变D.增大2.晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为(C)。A.发射结反偏,集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏3.晶体管的电流放大系数3是指(B)。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于(B)。A.

4、。A.截止状态B.放大状态C.饱和状态6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为(B)。A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管7.己知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压~^«约为(C)。A.OVB.+2VC.-2VD.-IV8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=1OV,UGS=OV处的跨导gm约为(A)。A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V7.如图示放大电路中接线有错误的元件是(B)。A.RLB.RBC.C1D.C27.放大电路如图所示,由于RB

5、1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是(C)。八.适当增加RB2,减小RBIB.保持RB1不变,适当増加RB2C.适当增加RB1,减小RB2D.保持RB2不变,适当减小RB18.图示电路,已知晶体管岁=6°,尽忽略UBE,如要将集电极电流1C调整到1.5mA.,RB应取(A)。A.480kWB.120kWC.240kWD.360kW9.电路如图所示,若晶体管的发射结被烧坏而形成开路,那么集电极电位UC应等于(A)。A.6VB.0VC.0.6VD.5.3V7.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示,欲使工作点移至Q5需使(C)。A.偏置电阻RB增大

6、B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小^=4OfA8.单管放大电路如图所示,其交直流负载的正确画法是图2中的(A)0nin<9.对放大电路进行动态分析的主要任务是(C)。A.确定静态工作点QB.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数4和输入,输出电阻ri,rO。16.如[某一固定偏置NPN管共射放大电路如2所示,造成这种失真的原因是(C1所示,其输入和输出电压波形)oA.管子的4值太小B.电路电源电压^^太高C.偏置电阻知太小D.偏置电阻屯太大曲■l17.如图所示的放大电路(C)。A.不能稳定静态工作点。B.能稳定静态工作点,但比无二极管D的电路效果要差。C.能稳定静态工

7、作点且效果比无二极管D的电路更好18.与共射单管放大电路相比,射极输出器电路的特点是(A)。A.输入电阻高,输出电阻低B.输入电阻低,输出电阻高C.输入,输出电阻都很高D.输入,输出电阻都很低19.27场效应管放大电路如下图所示,该电路的电压放大倍数(A)。A.小于但近似等于1B.约几十倍C.为oH^:20.某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍,第二级的电压放大倍数为5

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