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时间:2018-10-14
《超低成本28w-pwm反激式变换器》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、技术指标:Vout:DC+5V,最大电流2A,最小电流0.5A。 DC+12V,电流0.5A。 DC-12V,电流0.5A。 DC+24V,电流0.25A。Vin:DCl8~36V可调。 输入额定电压为DC+24V。 Pout=5V×2A+12V×0.5A+12V×0.5A+24V×0.25A=28W Pin=Pout/ηest=28W/0.75 =37.3W Iin(high)=Pin/Vin(low)=37.3W/18V=2.07A
2、 Iin(op)=Pin/Vin(nom)=37.3W/24V=1.55A从这个电流值可以看出,变压器一次绕组的绕线要用#18AWG的导线或采用其他相当规格导线。Ipk 5.5Pout/Vin(min)=5.5×28W/18V=8.55A 电源的工作频率选为40kHz(即Ton(max)=12.5μs)设计反激式变压器 Lpri=Vin(min)Ton/Ipk=18V×12.5μs/8.55A =26.3μH 计算磁心功率的吞吐量: Pout(est)=fLpriIpk2/2=40
3、000Hz×26.3μH×(8.55A)2/2=38.45W(满足要求) 这里选用MPP环形磁心.估计所需的磁心大小为 EL=LI2=LpriIpk=0.0263mH×(8.55A)2 =1.92参考图22,选择磁导率为125的磁心,其型号为55310-A2,这种磁心的AL为90mH/1000匝。一次绕组的匝数为 1000×(0.0263mH/90mH)1/2=17.09匝(取17匝) 输出电压最低(+5V)的二次绕组匝数(用肖特
4、基整流管): N(+5V)=17匝×(5.0V+0.5V)×50%1(18V×50%) =5.19匝(取5匝) 其余绕组(假设用超快速整流二极管): N(+12v)=(12.0V+0.9V)×5匝/(5.0V+0.5V)=11.73匝(取12匝)-12V的绕组与这相同。 N(+24v)=(24.0V+0.9V)×5匝,(5.0V+0.5V)
5、 =22.6匝(取23匝) 每个输出端的误差为 ±12V:+0.3V +24V:+0.4V 在这里,二次侧采用自耦变压器的结构,这样低电压输出端的绕组会包含在高电压输出端的绕组中。这些绕组的匝数和线规如下: +5V:5匝,#17AWG(或三股#22AWG)。 +12V:7匝,#21AWG。 -12V:12匝,#21AWG。 +24V:ll匝,#26AWG。 一次绕组:17匝,
6、#19AWG(或两股#22AWG)。变压器绕线技术 把变压器的所有绕组并绕的方法并不经济,这里选用有选择地并绕的方法:在绕到磁心上之前把一次绕组与+24V绕组、+12V绕组与一12V绕组分别绞合在一起。+24V绕组作为一次侧的续流绕组,可以在开关关断时减小电压尖峰。 十5V的绕组先均匀地绕在环形磁心上,然后再均匀地绕原先绞在一起的一次绕组,+24V绕组,最后绕原先绞在一起的+12V和一12V绕组。这个绕组可以紧贴在前面的绕组上。 从产品方面考虑,通常的安装办法是把绕好的磁环放在接线端子板上,然后把它封装起来。这
7、样可以防止操作时损坏,也易于放置在PCB上。这部分的成本大约为2.50美元。选择功率开关管和整流二极管 功率开关管:在这种场合下,使用MOSFET有很明显的优势,MOSFET的驱动和开关损耗都比较小: VDS(min)>(Vout+VD)Npri/Nsec+Vin(max) >(24.4V+0.9V)×17匝/23匝+36V >54.7V(忽略漏感引起的尖峰)取100V。 ID:对于反激式变换器,选择开关管的额定平均电流时,大约取最大输入平均电流的1.5倍是比较理想的。
8、另外要考虑损耗的问题,通过牺牲一点成本和输入电容,就可以使电流损耗I2RDS(on)(导通损耗)减小。 ID(min)>1.5×2.07A=3.11A 可以选用MTPl0N10M管子。为了实现电流型控制,在这里选用的是电流检测型的功率MOSFET,这样就可以显著减少测量损耗。整流二
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