电力电子技术期末复习要点

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1、电力电子技术期末复习题一、辨析题要点：1、由交流到直流的电力变换称为整流，由直流到直流的电力变换称为直流斩波，由交流到交流的电力变换称为交交变频或交流电力控制，由直流到交流的电力变换称为逆变。2、电力电子器件目前专指电力半导体器件，一般都工作在开关状态。3、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件。4、半控型器件—通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定，如晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。5、全控型器件—通过控制信号既可控制其导通又可

2、控制其关断，又称自关断器件。如：绝缘栅双极晶体管（IGBT——Insulated-GateBipolarTransistor）电力场效应晶体管（PowerMOSFET）门极可关断晶闸管（GTO，GateTurn-Off）电力晶体管（GTR，GiantTransistor）12、不可控器件不能用控制信号来控制其通断,因此也就不需要驱动电路。如：电力二极管（PowerDiode），只有两个端子，器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。13、按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类：1）电流驱动型→通过从控制端注入或者抽

3、出电流来实现导通或者关断的控制。如：门极可关断晶闸管（GTO，GateTurn-Off）和电力晶体管（GTR，GiantTransistor）2）电压驱动型→仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。如：绝缘栅双极晶体管（Insulated-GateBipolarTransistor——IGBT）电力场效应晶体管（PowerMOSFET）14、电力二极管是以半导体PN结为基础，主要特性为不可控的单向导电性。目前常用的电力二极管有普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管三类。15、晶闸管的外形有螺栓型和平板型两种封装，

4、并在上面引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端。内部是PNPN四层半导体机构。16、只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段。17、一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍。18、使用晶闸管时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管，并留一定的裕量，一般取1.5~2倍。12、使晶闸管维持导通所必需的最小电流叫维持电流IH，晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流叫擎住电流IL。通常IL约为IH的2~4倍。13、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流减小至维持

5、电流IH以下。14、晶闸管的派生器件主要有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管和光控晶闸管。15、造成在不加门极触发控制信号即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折，有两种因素：一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应。16、电力MOSFET工作在开关状态，既是在截止区和非饱和区之间来回转换。17、绝缘栅双极晶体管是GTR和MOSFET器件技术的复合，结合二者的优点，具有好的特性。18、电力电子器件的驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。光隔离一般采用光耦合器， 

6、磁隔离的元件通常是脉冲变压器。19、抑制过电压的方法之一是用RC阻容电路吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。20、用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。21、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度，称触发角或控制角。用α表示。22、晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度，叫导通角，用θ表示。23、低频整流电路一般采用相位控制方式，高频整流电路一般采用PWM控制方式。24、在整流主电路直流输出侧串联一个平波电抗器，用来减少电流的脉动和延长晶闸管导通的时间。25、单相全波可控整流电路的特性与单相桥

7、式全控整流电路基本一致，主要的区别为：单相全波只用2个晶闸管；晶闸管承受的最大电压为U2。单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的最大反向峰值电压为U226、单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是防止失控现象的产生。27、驱动电路是电力电子器件主电路与控制电路之间的接口。28、三相半波可控整流电路常用共阴极接法。29、三相半波可控整流电路中将二极管换相时刻，作为各相晶闸管能触发导通的最早时刻，即a=0°的位置，这些点也称为自然换相点。30、单相全控桥式整流电阻性负载电路中，触发角的最大移相范围是180°。31、单相桥可

8、控整流电路，控制角为a，带阻感性负载时的功率因数是0.9cosa32、三相桥可控整流电路，控制角为a，带阻感性负载时的功率因数是0.955cosa12