电力电子技术试题库

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1、一.填空题1.电力电子器件一般下作迕开关状态。1在通常情况下，电力电了器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。L电力电子器件组成的系统，一般rh控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，巾于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。U安内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，屯力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类1M0SFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输岀特性中的7个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。1电

2、力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。15^IGBT的开启电压UGE（th）随温度升髙而略有下降，开关速度小于电力MOSFET。1按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。UJGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有_^_温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有iL_溫度系数。1在如下器件：电力二极管（PowerDiode）＞晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GT0）、电力晶体管（GTR）、电力场效.应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）屮，属于不可控器件的是电

3、力二极管，.属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT;属于甲•极型电力电子器件的有电力MOSFET，属于双极型器件的有电力二极管、晶闸管、GTO、GTR,属于复合型电力电子器件得有IGBT;在可控的器件中，容量最大的是品闸管，工作频率最高的是电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT，属于电流驱动的是品闸管、GTO、GTR。1.电阻负哉的特点是_电压和电流成止比且波形相冋，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角a的最大移相范围是_0-180°。2.阻感负载的特点是流过电感的电流不能突变，

4、/上单相半波可控整流带阻感负载并联缋流二极管的电路中，晶闸管控制角a的最大移相范M是0-180"_,K承受的最大正反向电压均为续流二极管承受的最大反向电压为（设％为相电压何效值）。1单相桥式企控整流电路中，带纯电阻负载时，a角移相范围为0-180°，单个品闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_^/72/2_和_^£72;带阻感负载时，《角移相范閔为0-90a,单个晶闸管所承受的最大正㈧电压和反电压分别为_#/2_和_＞/^"2_;带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可迮主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。I单相企控桥反电动势负载电路巾，当控

5、制角（1大于不导电角S时，品闸管的导通角当控制角a小于不导电角S时，品闸管的导通角e=_n-2S_。5.电阻性负载三相半波可控整流电路屮，晶闸管所承受的最大正㈧电压UFni等于彻”晶闸管控制角c（的最大移相范围是0-150”，使负载电流连续的条件为30"_（U2为相电压有效值）。［三相半波可控整流电路屮的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_1^_,当它带阻感负载时，a的移相范围为0-90。L三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最髙的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低的相电压；这种电路a角的移相范围是0-

6、120"，ud波形连续的条件是_汉＜60"_。［对丁•=.相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输岀电压平均值。下降。i电容滤波单相不讨控整流带电阻负载电路中，甲载时，输出电压为随负哉加重Ud逐渐趋近丁•0.9U，通常设计时，应取RC＞1.5-2.5T，此时输出电压为1.2U2（U2为相电压有效值，T为交流电源的周期）。1电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流id断续和连续的临界条件是_6y/?C=W_，电路中的二极管承受的最人反向电压为i实际工作中，整流电路输出的电压足周期性的非正弦函数，当a从0°〜90°变化时，整流输出的电压ud的谐波幅值随c

7、e的增人而增人，当a从90°〜180"变化时，整流输出的电压ud的谐波幅值随a的增大而减小。1逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为有源逆变，欲实现有源逆变，只能采用全控电路:对丁•单相全波电路，当控制角0〈a〈K/2时，电路工作在整流状态;兀/2＜（x＜k时，电路工作在逆变状态。i在整流电路屮，能够实现有源逆变的有单相全波、三相桥式整流电路等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是有莨流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值人于变流器直流侧平均电压和晶闸管的控制角汉＞90（1,使输出平均电压W为负值。i品闸管直流电动机系统工作于整流状态，

8、当电流连续时，电动机的机械特性为一组。