pwm控制芯片lm5025应用电路

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1、拟制:审核:批准:日期:1概述（电路类别、实现主要功能描述）：22电路组成（原理图）：23工作原理分析（主要功能、性能指标及实现原理k24关键参数汁算分析：35电路的优缺点36电路的应用说明：37应用的注意事项：41概述（电路类别、实现主要功能描述）：电压型PWM控制芯片，两路输出（N10S驱动S大电流3A），输入电压范围13〜100V，内部设置线稳电路，提供VCO7.7V的电压（不需要启动电路）。具有输入欠压、软启动、斜波补偿等功能。限流功能：CS1限脉宽（限电压），CS2关断（打嗝方式）。2电路组成（原理图）：3工作原理分析（主要功能、性能指标及实现原理，关键参数计算分析）：3.1PIN

2、卜输入电压（13V〜90V）通过电阻R28为芯片提供电压，C4滤波储能川。芯片内部线性稳压器提供芯片川的电压VCC(7.7V)，芯片内部电路开始工作。3.2PIN2—斜波补偿。R2IC2I限制脉冲宽度，R2IC2尸VINTON/2.5，C21的取值范围为lOOpF〜lOOOpF3.3PIN3—过流保护，此脚电压M).25V,脉冲宽度将被限制，输出电压降低。经互感器整流后的电压进行分压进入到该引脚，可达到限流的目的。3.4PTN4—过流保护，此脚电压20.25V，输出将被关断(打嗝方式)。输出电流高，C0MP(PTN14)引脚电压升高，COMP电压经电阻R32,R31分压后送入该引脚，可达到过流

3、保护(打嗝方式)的目的。3.5HN5—死区时间限制(两路输出死区时间)klxR35(kl是系数)。3.6P1N6—提供基准电压5V/10mA3.7PIN7—Vcc(7.4V〜16V)3.8PTN8—OUTA主驱动，直接驱动N-MOS管。3.9PTN9—OUTB辅驱动，驱动P-MOS管。由于主管是N-MOS，辅管是P-MOS,就要求两个驱动同相位，OUTA高电压时，OUTB也高电压，辅管不能导通，二极管VD3即将驱动电压嵌位到0.7V—下。C11个直流用。3.10PIN10—功率地3.11PIN11—信号地3.12PTN12—软启动，对地接电容，电容容值大，启动延时长；反之短。该引脚电压如低于I

4、V,芯片无输出，可以通过将此引脚电压拉低达到关闭电源模块的目的。如热保护等。3.13P1N13—误差运放的输出。输出经光耦反馈到该引脚，控制该引脚的电压，可以控制芯片的脉货，达到控制输出电压的目的。3.14P14—开关频率设置。对地接电阻，阻值大频率低，反之高。3.15PIN15—同步端。单芯片使用时一般不用，悬空。3.16PIN16—欠压关断。此脚电压22.5V,关闭输岀。可以通过将此引脚电压拉低达到关闭电源模块的目的。如遥控、输出过压等。4关键电路参数计算参见ESR08-48S8(-L)G设计计算书。5电路的优缺点LM5025功能较齐全，外围器件少。如果原边有源嵌位开关管采川N-MOS管，

5、则収动要外加电路，电路会比较复杂，成本会增加。LM5025相对UC3843成本较高。输入电压低于13V则不能启动，需外加启动电路。6电路的应用说明：可应用在原边有源嵌位单端正激变换器中。QSR25-48S3V3(-L)G,HSR15-48D053V3(-L)G,ESR06-48S8(-L)G均是同类电路。且己大批量生产，验证此芯片工作稳定、可靠性高。7应用的注意事项：该芯片输入电压13V〜100V,因此输入电压不能超过100V;输入电压低于13V则不能启动，需外加启动电路。