133金基软焊料

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1、1.3.3金基软焊料金基焊料主要用于半导体器件的组装，已有悠久的使用历史，如绝缘基片与硅芯片、硅芯片与引线的钎焊及外壳封装等。为了提高焊点的机械和电连接的可靠性，硅片表面通常镀金或渗金，而使用金基软焊料可以大大减少镀金层向焊料中的溶解。金基焊料的优点是蒸汽压低，耐腐蚀性好，流动性和润湿性优异，但其缺点是价格非常昂贵，所以仅应用于特殊用途。半导体器件常用金基软焊料的成份和性能见表4.7-18所示。表4.7-18半导体器件用金基软焊料化学成份（质量分数，％）熔化温度/℃AuSnGe其它余量40－Ag：30411余量－－Si：2370余量－－Si

2、：3363余量－－Sb：0.5360余量－12Ag：2358余量－12－356余量－12Ni：0.5356余量20－－280余量90－－217向金基焊料加入Sn元素，可显著降低焊料的熔点，提高润湿性、力学性能和化学稳定性。加入少量Si和Ge等元素，可提高金基焊料的导电性。但Si和Ge元素易氧化，含有这两种元素的焊料通常需要在氮气等惰性气体保护条件下进行钎焊。由于金基焊料硬而脆，通常仅用于小尺寸芯片的钎焊。1.3.4铟基焊料铟熔点较低（为156℃），可与Sn、Zn、Ag等元素形成一系列低熔点共晶焊料。铟基焊料对碱性介质有较高的抗腐蚀性，对金属

3、和非金属都具有良好的的润湿能力，形成的焊点具有电阻低、塑性高等优点，可用于不同热膨胀系数材料的匹配封装。因而铟基焊料主要应用于电真空器件、玻璃、陶瓷和低温超导器件的封装上。然而，铟的资源有限，其价格也日益昂贵，从而严重限制了铟基焊料的广泛应用，目前仅使用于一些特殊用途。常用铟基焊料的化学成份和性能见表4.7-19所示。表4.7-19铟基焊料的化学成份和性能化学成份（质量分数，％）熔点/℃力学性能电导率/%(IACS①)InSnZnAg固相线液相线拉伸强度/MPa延伸率/%100－－－1571570.44124.0余量－2－143143－－－

4、余量48－－1171171.28311.7余量462－108－－－-4-余量－－102042301.16122.1①IACS－相对标准退火铜线电导率的百分比1.3.5铋基焊料铋基焊料属于低熔点软焊料，主要通过添加Pb、Sn、Cd等元素而形成系列熔点低于150℃的焊料，并通过添加微量Ag、In、Sb、Zn等元素而制备出性能不同的低熔点焊料，表4.7-20为常用铋基软焊料的化学成分和性能。Pb是传统铋基焊料中的主要添加元素，在产品无Pb、无Cd化的今天，这类焊料显然已不符合时代的发展，属于被淘汰之列。由于Bi性脆，导致铋基焊料也性脆、光泽性非常

5、差。1.3.6铝用锌基焊料锌基焊料主要用于铝及铝合金的钎焊。通常加入Sn来降低锌基焊料的熔点，加入银、铜、铝等来提高焊料的抗腐蚀性能。锌基焊料主要成份、性能和用途见表4.7-21。1.3.7其它软焊料热压钎焊在微电子的自动化组装上应用很普遍，表4.7-22为适合热压钎焊封装的主要软焊料。锡铅焊料在有源和无源元件的钎焊上应用较多，其优点是可以消除热应变和易于更换元件；但其缺点是容易溶蚀金和银。通过向焊料内加入少量的Ag，能防止焊料溶蚀引线等的镀银层，并改善润湿性和热疲劳性能。由于In对Au、Ag、Pd的溶蚀作用较小，因此大量应用于厚膜电路。厚

6、膜电路用软焊料见表4.7-23，微组装用软焊料见表4.7-24。表4.7-20铋基软焊料化学成份（质量分数，％）熔化温度/℃BiPbSnCdIn其它固相线液相线42.9121.77.975.0918.33Ag：4.038.043.044.722.611.35.316.1－44.752.244.722.68.35.319.1－47.547.547.525.412.69.55－56.765.0491815－18－57.868.9491812－21－585853.517.019－－Ag：10.06060502512.512.5－－60.560.5

7、50.126.613.310.0－－68685026.713.310－－707050.527.812.49.3－－7073502512.512.5－－70745034.59.36.2－－707942.537.711.38.5－－709050.730.9114.973.4－－708435.136.419.069.44－－70101-4-5717－－26－78.978.951.640.2－8.2－－91.591.5503020－－－9292502525－－－939352.532.015.5－－－95955031.2518.75－－－959556

8、2222－－－95104.5671617－－－95149502822－－－95.5109.5502822－－－10010033.3333.3433.33－－－10114354.0