单相全桥逆变电路讲解（课件）

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1、单相全桥逆变电路讲解首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性重要性：找工作面试、考研面试和在以后工作中都是很好的基础，起到良好的作用。以此为基点，展开，引用李泽元老师的话：“现在知识面很宽很大，不可能面面具到，且搞的人很多，要找一个自已感兴趣的点，深入研究，动手实践做实验，在实验中发现问题和解决问题，然后再扩展。”首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性必要性：这个电路的选取有代表性，由于桥式逆变电源在选择功率开关器件耐压要求可以稍低，并有较高的功率输出，现通常采用全桥式逆变电路来实现较大功率输出。单相三相全桥逆变

2、电路应用范围广（各种开关电源如电源车载电源、航空电源、电信电源等；各种电机调速如空调、电焊机等；变频器；牵引传动等领域）。整体安排一、基础知识讲解（计划两至三个半天）开关管（MOSFET和IGBT）知识、电阻电容等基本知识、芯片管脚功能（IR2110、SG3525、LM339、MUR8100、IRFP450）主电路、控制电路的工作原理、参数的确定整体安排二、PROTEL介绍、原理图绘制（计划三个半天）两个图，主电路和控制电路（各1.5个半天）初步认识元器件封装，画原理图尽量选正确的封装三、生成PCB、手动布

3、线（计划两个半天）两个PCB图，主电路和控制电路（各一个半天）认真核对元器件封装，检查PCB的各种规则整体安排四、焊板调试（计划两个半天）PCB画好后，制板需要一周左右的时间，可休息）在同学画的板当中选一个PCB去腐蚀调试需要两个半天或更长时间，调好为止，完成后将自已的作品带走。以上时间可随工作进展情况调节基础知识介绍（晶闸管）晶闸管:只能控制开，不能控制关基础知识介绍（晶闸管）基础知识介绍（MOSFET）MOSFET:可控开，可控关什么是MOSFET“MOSFET”是英文MetalOxideSemicod

4、uctorFieldEffectTransistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。基础知识介绍（MOSFET）MOSFET的结构基础知识介绍（MOSFET）MOSFET体内电容和二极管基础知识介绍（MOSFET）为什么要在MOS管前串接一个电阻?有什么作用?MOS导通瞬间,由于D、S近似短路,G、D间电容可看作变成

5、G、S间电容,G极驱动电路立刻对其进行充电,这样就产生了驱动电压振荡现象.为了防止MOSFET产生震荡而串接的,一般情况下阻值较小,过高的振荡有可能击穿G,S间的氧化层.也可以接一个稳压管防止产生振荡基础知识介绍（MOSFET）为什么MOSFETG-S之间往往并联一个电阻,这个电阻选择依据什么?这个电阻的主要作用是防止静电损坏MOS，静电损伤是因为GS之间结电容太小导致(U=Q/C)也就是即使有很小的静电电荷就有可能产生很大的电压,使的MOSFET损坏，这个电阻提供寄生电容电荷泻放通道，这个电阻是需要的，并

6、且很重要。一般情况，取个10k或5.1K已能适应大部分情况基础知识介绍（IGBT）IGBT:可控开，可控关基础知识介绍（IGBT）IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，（输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管）GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，

7、但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，即：驱动功率小和开关速度快,且饱和压降低和容量大的优点。基础知识介绍（IGBT）IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件基础知识介绍（电阻）电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、kΩ、MΩ表示。电阻器的

8、分类一种分类:固定电阻器（R）、电位器（W）、敏感电阻器、贴片电阻器基础知识介绍（电阻）另一种分类如下：1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器