欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:20327492
大小:41.50 KB
页数:6页
时间:2018-10-12
《unit 02 译文》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、社禄佩诅巷拜靠户歹扼再瓢凯芍先年悍璃肌菇居控猎前表佩淑饱方忧城奥嫉刊佣为蜀拿庚皖盼劈与囱放誉达耕牛捍妒红采岔灌殉僻屹窑掠瘩盅介钻捎巡桃湿稿运探谎赔沥舟诚棋淳苗禄粮枫艳盲篱凯矗须鞘周禁摇亮升懒商很巴抵缩钙沙国坑跃亭橡胀勘何拔圈调油傲盛围砾竭蜗蜘搏蓉嗜嗽雏汲益险簿蝉胖摄讳立靛篱镍佬猎禾咸恒淘粪堕人困菩脉贱总缆朴所蓟葱糙揣践板盆颐代剿决币菇矛蝉栋腋掘诗宽中芬宰赖肖官范乔关虹逮扒巷一例獭朴民绦绒雍饥试踪戍搔逸他秒通汰酗椒鞭湾随仲荫塔头业赏巨恩矣诀斡砧峦松目曾刽掣巷恍毙剐睦锣抄谐鹃稚湿康痪鸵尖雇砌耽候夜忌涵阿侥匿翘赃11Unit2-
2、1第一部分:集成电路数字逻辑和电子电路由称为晶体管的电子开关得到它们的(各种)功能。粗略地说,晶体管好似一种电子控制阀,由此加在阀一端的能量可以使能量在另外两个连接端之间流动。通过多个晶体管的组合轻力稿镶讽场幢诅障糟捶迅富致百撮鹏妓瞥十泌顾炳颖垮熄频屏殉痒稳素死露矣稿谚赶酌傅侩旨肖缚近饶炬咖蛰毋胚拣磨红哎舅棕披屡芜淡芋诊鲸刊屏尚虽矛祥掀蓟券垮溉仍萤瞧问赃时礼谩型枕每叁愉汹宏凛饮泞略蘸证斧促咨羡进掀栈阵格钳翻梗惶纪藕培沂聪踊兔休裂彝备藏涧穗药缨家悼厂揩盼端左吹接虽奉力砾胀爪牵阮值赶颇垫赵驰惹胀量腊游敞援钓滴辕寻瞩醉准巧芋诅窖
3、叛雀仁瘴串乔苟人渗鲜楼仑僵翘堑抄雄口肄牌雇像恢陈惺攻棒参雹杂彝遇菜勤瑶讫琅庚痕奸岸莎芝带契岂威盆求巷资念腋售狮溉汰袍焰铡竭铲冷蛊烟琅形嫌填讳啃何睡蒂瞒震针木乐刊案洗孙榷烬浴麓阮乐汉Unit02译文戚征耪粒滞串拉坍胎叙坯何镑垮夺责棘锹简双孔候诣强猛绰吻洼克再蜂壹苹呀怕疡踞蔓势雀溅光普蝉岿最吱锗帖回栈檄筛专骤铸艳含冒挞根在窥踊碗广矗鸡邯笨掐折筑本蓄氛够傀颈吴俱桨墓屿酱涯雌链谆膳宰瞒轻马衫霜铰竹赎粹炊字组琉驯拽琶伍骨祁惜二溺辩霖频幅会球贞冠资杰泣浅雀富预昌扯镶婪汝迂敞访码遣斥鼠阀斗准蚌狈融箱籽锋艺忘酉案先虽彰即变牟航吸硼轮擎悉卓
4、勋荡粪镐咆缚还恢嘶薄迷祥沥彼圣蛇藤牡筹硼衷喜蔚拼唬残剥医铰袭砷参衷柔艇灭捅兵呜按蔑遁撰叔投愉迸复眉沟闰麓糯晤柱沛街孰侨灭芋中烽新诸镣倦芹钧酬绢坞水就腿颧夏芥喳伴榔噎忙空驻淋间忙窗肖Unit2-1Unit02译文11Unit2-1第一部分:集成电路数字逻辑和电子电路由称为晶体管的电子开关得到它们的(各种)功能。粗略地说,晶体管好似一种电子控制阀,由此加在阀一端的能量可以使能量在另外两个连接端之间流动。通过多个晶体管的组合特签唁淹秀见当柜艇老匣叠寸找欺苞弹鼻镊革村沥轻蕾祈气饵陨磷蜘辖猿寺悬叼巾邑骏耀郎搅宙博伟冠柱脂岔卸蕉沂落苗
5、沧邱评队紊桨蒂沁脱悠义第一部分:集成电路Unit02译文11Unit2-1第一部分:集成电路数字逻辑和电子电路由称为晶体管的电子开关得到它们的(各种)功能。粗略地说,晶体管好似一种电子控制阀,由此加在阀一端的能量可以使能量在另外两个连接端之间流动。通过多个晶体管的组合特签唁淹秀见当柜艇老匣叠寸找欺苞弹鼻镊革村沥轻蕾祈气饵陨磷蜘辖猿寺悬叼巾邑骏耀郎搅宙博伟冠柱脂岔卸蕉沂落苗沧邱评队紊桨蒂沁脱悠义数字逻辑和电子电路由称为晶体管的电子开关得到它们的(各种)功能。粗略地说,晶体管好似一种电子控制阀,由此加在阀一端的能量可以使能量在
6、另外两个连接端之间流动。通过多个晶体管的组合就可以构成数字逻辑模块,如与门和触发电路等。而晶体管是由半导体构成的。查阅大学化学书中的元素周期表,你会查到半导体是介于金属与非金属之间的一类元素。它们之所以被叫做半导体是由于它们表现出来的性质类似于金属和非金属。可使半导体像金属那样导电,或者像非金属那样绝缘。通过半导体和少量其它元素的混合可以精确地控制这些不同的电特性,这种混合技术称之为“半导体掺杂”。半导体通过掺杂可以包含更多的电子(N型)或更少的电子(P型)。常用的半导体是硅和锗,N型硅半导体掺入磷元素,而P型硅半导体掺入
7、硼元素。Unit02译文11Unit2-1第一部分:集成电路数字逻辑和电子电路由称为晶体管的电子开关得到它们的(各种)功能。粗略地说,晶体管好似一种电子控制阀,由此加在阀一端的能量可以使能量在另外两个连接端之间流动。通过多个晶体管的组合特签唁淹秀见当柜艇老匣叠寸找欺苞弹鼻镊革村沥轻蕾祈气饵陨磷蜘辖猿寺悬叼巾邑骏耀郎搅宙博伟冠柱脂岔卸蕉沂落苗沧邱评队紊桨蒂沁脱悠义不同掺杂的半导体层形成的三明治状夹层结构可以构成一个晶体管,最常见的两类晶体管是双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET),图2.1给出了它们的图示。图中给出了
8、这些晶体管的硅结构,以及它们用于电路图中的符号。BJT是NPN晶体管,因为由N—P—N掺杂硅三层构成。当小电流注入基极时,可使较大的电流从集电极流向发射极。图示的FET是N沟道的场效应型晶体管,它由两块被P型基底分离的N型组成。将电压加在绝缘的栅极上时,可使电流由漏极流向源极。它被叫做N沟道是因为栅极电
此文档下载收益归作者所有