乾膜特性介绍ppt课件

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1、乾膜特性介紹講授大綱光阻簡介成像原理光阻顯像光阻簡介光阻(photoresist)類型依其製造型式可分為:乾膜D/F(為現行使用之光阻類型)濕膜感光/防焊油墨光阻(photoresist)類型依成像方法可分為:正型光阻負型光阻(為現行使用之光阻類型)polyethylene乾膜光阻成份Photoresistpolyester蓋膜層(PET)感光層(photopolymer)隔膜層(PE)polyethylene各層功能Photoresistpolyester蓋膜層(PET)一、支持保護感光層二、隔絕氧氣三、防止或抑制光聚合作用polyet

2、hylene各層功能Photoresistpolyester感光層產生光聚合作用polyethylene各層功能Photoresistpolyester隔膜層(PE)隔離感光性高分子沾黏至其他聚酯層又稱隔離層(separatorSheet)乾膜感光層本公司所用之乾膜係由一種負型自由基式的聚合物組成其組成之成份約有三十餘種，就性質約可分為五大類感光層組成Photoresist一、感光啟始劑及光敏劑(photo-initiator&sensitizer)二、黏結劑(binder)三、單體或中體/寡聚物(monomeroroligonm)四、塑

3、化劑及附著力促進劑(plasticizer&adhesionpromoter)五、染料(dye)乾膜厚度對製程之影響20micron以下，適用於L/S:30/30micron之製程30micron左右，適用於L/S:50/50micron之製程40micron左右，適用於L/S:80/80micron之製程乾膜愈薄，其解像能力愈佳，薄到一定限度則由濕式光阻替代(可達4micron以下)成像原理曝光能量與乾膜感光後聚合程度對照60Polymerization%103104105106Logexposure，erg/cm2Inductionp

4、eriod乾膜自由基必須在無氧狀態下方能產生感光聚合反應SensitizeTerminatePropagateChaintransferFormradicalsPolymerImageInitiate+O2inactiveproducts影響曝光之因素能量:能量之大小影響成像品質(解析度及密合度)曝光時間:由shutter控制紫外光波長:波長範圍250~520(主波長:365、405、436nm)燈源:計有平行光(parallellight)、準平行光(almostparallel)、散射光(scatteredlight)乾膜對曝光之影響

5、乾膜愈薄，愈容易產生皺折乾膜愈薄，解析度及蝕刻均勻性愈佳影響壓膜之基本因素:壓力及溫度影響壓膜之因素溫度:藉加熱以降低光阻之黏度，增加流動性壓力:藉加壓以將黏度小之光阻填擠於銅面上，產生附著力乾膜對曝光之影響乾膜愈薄，愈容易產生皺折乾膜愈薄，解析度及蝕刻均勻性愈佳影響壓膜之基本因素:壓力及溫度光阻顯像顯像原理因乾膜組成為有機之高分子化合物，經曝光過程UV之聚合curing產生化學變化，未經UV聚合之部份則經顯影液洗去留下銅面，此種乾膜類型為負型成像。D/FCCLPI+ADA/WorMASKUVLIGHT顯像原理D/FCCLPI+AD完成光

6、聚合反應之乾膜形成線路顯影液主要成份CO32-．．．．乾膜主要成份Resist-COOH顯像原理D/FCCLPI+AD完成顯影過程之線路CO32-Resist-COOH+CO32-CO3-+Resist-COO-反應官能基反應官能基由顯影液Na2CO3或K2CO3提供顯像原理CO32-Resist-COOH+CO32-CO3-+Resist-COO-反應官能基反應官能基本反應實際為一種皂化作用，故於製程中會產生類似肥皂狀的泡沫顯像原理CO32-Resist-COOH+CO32-CO3-+Resist-COO-H20+CO32-HCO3-+

7、OH-反應平衡式:K=[HCO3-][OH-]/[CO32-]PH=14+log｛K．[CO32-]/[HCO3-]｝為掌握顯影之品質，製程中需嚴格控制[CO32-]/[HCO3-]的濃度比值(PH值控制)，以得最佳之線路顯影效果