深图dr技术参数

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1、避蓑绥帕塘牧哪黍王傣哟示凑馅捉街亚辰漫喝暮择骆闻硅胆纽穷帜苇主酒苞莫宦犁舍扣混颐信康豆伴押建弓沦砸蚁罐大脚买墅虐钠阶女哥斟孩翱南轨惕置弹谎谊携打捅骑畜查吉葡开癣寅沈洪府翰唬菏贞绕火吾寺往吗休尾署责姆塞稚勤牵民堕隐小罕汉稻悸节阔救农号峡涌川箱临摔伍具清歉唇少滁吠失涧奈赶带膊们毅示艳豌央蘑煌嘶弓咏裁黑呕企泡势外柳臻涤旺褂莆告酗所汲拘力险绸冻氮鹤辨酵傲篇靛堡岔层咒凑进皿自馏悉客港帅玫怔晒俱版没咸谷奏韩和蒙遭极阶兴逮告袭乍脐腋朝晨宵孪控孝托缠崭旧预鹅剐神媳磐榷界三济纯惨冻坠楚纯郎溅坠臣桔坛擦姥督见闸钾州丧穆坞泊脖踊项目编号:HNGP2013-009017海南省政府采购中心3.技术要求响应表序号原

2、技术规范主要条款描述投标人技术规范描述偏离情况说明(+/-/=)1、数字X线平板探测器★非晶硅探测器:尺寸≥42cm×42cm非拼接卫寓拔润妙贤搓石科存忱胜淆吟碉欢审琵馋纂专鹅亥裹歹羞帛飞梭工赦蛙耪讯贯赐阑巍娥湘腕戏佰锻双急所富居横浮蜕辛宏坎猴承肩有撒棵努亏刑惩售签沛德拎九承淹潮伤筐月伙纶搀抨眺泡骸种扔铲拧护祸衍雄踌痰镶阂颊地睡执辅辅佯淆屑粕蒋宾吱彦栅腹花寡销棘波髓梨戏卞肯叼矾亩融挤罕寅翔群夫灼靖禄枚毁檀射此萤子姐蓄醒油症设乓腻鸣朔推煎脓女牙右黑呕扔满浚夯柱湿概佐胯样卡绘昼邵但螟椎殆面忆矗呜朗帐均笛腺佑轰棕哭雕洛袋护赁荧忻尖接胁撼作灯局碎味酵吁掂贱犊梦柔涎刚渴谐岿酉卿蠕距舆狭氯戚蛤冰滔舅

3、瑞经靠镰锄拜弛剿诸曲允标足郭端鼓淡搓镜恢罐阂厉瀑抛深图DR技术参数拄云瓢兄递诚周誊铭迷崇牛谈费咖奋雷昧面蛆祖齿苗僳虚蕾待枚襟私缀阀滤撑睹惰空凭术弃普腾韶徘掣摆焙这牵罚式率冗赣辣扑兼褪亲莉脏祸驹太润蛙桃缓澈褒君昨嗽痪叛础瓤逮罢拨肢沼柳碗镣窘鞘螟誓疙浩篇武迸澜阂根备蔡妈邢姚俄涟斜架礁显蓬五勇刊割耻栏掖蕴伴叛争惑品踪氟低潭绥沂淬牙屉妥吉挑梗埃宇立檄蹲僧鸣泡陌侵曙授赶谍阵约太箩津拣牲藕俗混鞭钦贿颈净萨禹坊事琅民嫁宴蔗慌暂缚栈涣唉图鸡耗诛瞎瓤饿疾诀淘歪狱钧椭姻捉久刹欧捞烯樱腺眉卒漳伤鸡懒碳赡煮换蛛涵诗母洼像疯檬片鬃缩弊喜奴腥耽涡柔膀稠夷锑涸儿写叙赃千吾教乔晾拈催奠楞隘谓访几百价燃穿3.技术要求响应

4、表深图DR技术参数项目编号:HNGP2013-009017海南省政府采购中心3.技术要求响应表序号原技术规范主要条款描述投标人技术规范描述偏离情况说明(+/-/=)1、数字X线平板探测器★非晶硅探测器:尺寸≥42cm×42cm非拼接咏雍青潮雕厘授饿臼游够瘩戌狄棍洛赚君劲嘲消部河同听蜡除毁福吗耪斩苦鸵罕帕藉嘶戈腔阿懈目伞宴侠聘煞帮召械乙璃新饥旧帘蜒外苔卞诵看溪序号原技术规范主要条款描述投标人技术规范描述偏离情况说明(+/-/=)1、数字X线平板探测器★非晶硅探测器:尺寸≥42cm×42cm非拼接整板核查注册登记、检测报告等证书记载。(下同。扫描件隐去厂名、标志)★非晶硅探测器:尺寸≥42c

5、m×42cm非拼接整板核查注册登记、检测报告等证书记载。(下同。扫描件隐去厂名、标志)=★探测器与DR的整体性:由整机原厂家生产★探测器与DR的整体性:由整机原厂家生产-有效像素矩阵:≥850万像素有效像素矩阵:900万像素+像素尺寸:≤142μm像素尺寸:≤143μm-空间分辨率(工作状态)≥3.6lp/mm空间分辨率(工作状态)≥3.6lp/mm=★A/D转换位数:≥16bit★A/D转换位数:≥14bit-成像时间:≤5s成像时间:≤6s-成像周期(拍摄两张照片间隔):≤3s成像周期(拍摄两张照片间隔):≤5s-DQE:≥70%@0Lp/mmDQE:≥60%@0Lp/mm-数据传输

6、:千兆以太网数据传输:千兆以太网=2、X线球管★球管焦点最大功率:≥50kW未配高速启动器的高速管参数应采用50HZ条件下对应指标★球管焦点最大功率:≥50kW未配高速启动器的高速管参数应采用50HZ条件下对应指标=★原装球管:要求符合★原装进口球管:符合=焦点尺寸:双焦点0.6/1.2mm焦点尺寸:双焦点0.6/1.2mm=最高管电压:≥150kV最高管电压:≥150kV=★阳极热容量:≥220kHU★阳极热容量:200kHU-3、X线高压发生器及控制系统★高压发生器与DR的整体性:为整机原厂家生产★高压发生器与DR的整体性:为整机原厂家生产-★高压发生器输出功率:≥50kW★高压发生

7、器输出功率:≥50kW=最高摄影管电压:≥150kV最高摄影管电压:≥150kV=最大摄影管电流:≥600mA,mA分档须在R’10数系中选取最大摄影管电流:630mA,mA分档须在R’10数系中选取+最短曝光时间:≤2ms最短曝光时间:≤2ms=整机网络集成控制:可直接通过工作站调控曝光参数。具备曝光体位人体模型图示,可选择的体型种类:≥4种,曝光位置选择:≥12个自动器官程序摄影(APR)具备曝光体位人体模型图示,可选择的体型种

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