电容和二极管

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1、10星火培训课程BY星火电子社电容电容构成原理电容的基本构成电解电容器瓷质电容器聚丙烯膜电容器固定电容器实际电容器示例电容的电路符号一般电容可变电容电解电容管式空气可调电容器片式空气可调电容器可变电容器电容元件是一种动态元件，其端口电压、电流关系为微分（或积分）关系。当电容器填充线性介质时，正极板上存储的电荷量q与极板间电压u成正比电容[系数]，单位：F(法拉)表示。常用单位有μF(微法)及pF(皮法)，分别表示为10-6F及10-12F。线性电容电路符号和特性在u、q取关联参考方向且C是正值时，线性电容的

2、电路符号和它的电荷、电压关系曲线如图电容的分类1.聚酯（涤纶）电容2.聚苯乙烯电容3.聚丙烯电容4.云母电容5.高频瓷介电容6.低频瓷介电容7.玻璃釉电容8.铝电解电容9.钽电解电容10.空气介质可变电容器11.薄膜介质可变电容器12.薄膜介质微调电容器13.陶瓷介质微调电容器14.：独石电容电容符号穿心式电容器四联可变电容薄膜电容器电解电容器半可变电容器可变电容器等容双联可变电容器、差容双联可变电容器1、标称容量1F=103mF=106uF=109nF=1012pF2、额定工作电压（耐压值）即电容在电路中

3、能长期、联系可靠工作而不被击穿所能承受的最高电压3、频率特性在不同频率的电路中工作，电容值随频率变化的性质4、绝缘电阻（漏电电阻）电容两级间的电阻，绝缘电阻越大，电容质量越好主要参数1、直标法。如电容器上标63pF、220V。表示标称电容量是63pF、额定电压220V11P为标称容量为11pF11m为标称容量为11mF1P1为标称容量为1.1pFP11为标称容量为0.11pF110为标称容量为11pF112为标称容量为1100pF119为标称容量为1.1pF2、当标称上没有点位是单位为pF特别的当第三位为9

4、是时10-1倍色标法如电阻色标法，单位为pF电容读法电容串并联U=U1+U2I1=I2C总=1/(1/C1+1/C2)串联提高电容的耐压值。如图当电容串联的耐压值都为15V时就可以满足电路电容串联电容并联C=C1+C2I=I1+I2并联提高电容值作用1、滤波主要用于电源滤波，去掉不要的信号2、耦合将传送信号到下一个放大器，起到桥梁作用。即让交流信号通过，隔断直流3、旁路将某一频段信号通过该电容器短路到公用地端，常用于高频电路4、补偿把电路中的信号给予提升。满足音响效果需求5、谐振用于LC谐振，与电感线圈一起

5、，构成谐振电路6、退偶消除多级放大器中各级间的有害低频交连。一般每级放大器都有退偶电容，使其低频交联减小到最低程度7、自举提高电路中的信号电压的幅度。8、定时通过定时电容本身的充电，放电时间的大小，来控制电路的正常工作9、分频把信号中的频率按要求进行分离10、中和把电路中的自激信号去掉二极管半导体基础与PN结半导体及其特性一般金属电阻率为10-9～10-6Ω·cm，绝缘体的电阻率为1010～1020Ω·cm，半导体的电阻率为10-3～109Ω·cm。由于半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，故称为半导体。半

6、导体具有以下特性：（1）热敏特性（2）光敏特性（3）杂敏特性半导体二极管2.2.1二极管的结构、类型及符号将一个PN结封装起来，引出两个电极，就构成半导体二极管，也称晶体二极管。其电路中的表示符号如图2-11a所示。二极管的外形如图2-1b所示。二极管的结构示意图二极管的结构有三种，点接触型、面接触型、平面型，如图2-12所示。点接触型面接触型平面型结构由一块P型半导体和一块N型半导体构成，在交界面形成一个PN节P型半导体的引线端为”+”极，一块N型半导体引线端为“-”极由于PN结的存在使得二极管电压要达到

7、一定值是才能导通。当二极管反向接电路时是不导通的，而且有可能导致二极管击穿。二极管具有单向导电性两端压降（端电压）一般为0.7V左右（硅材料为0.7V，锗材料为0.2V）。特性曲线包括两个特性：正向特性和反向特性。、LED的正向电流通常为15ma~20maU(V)0.400.8-50-25I(mA)204060(A)4020在一个PN结的两端，各引一根电极引线，并用外客封装起来就构成了半导体二极管，（或称晶体二极管，简称二极管。由P区引出的电极称为阳极（正极）由N区引出的电极称为阴极（负极）半导体二极管的

8、结构和类型二极管的伏安特性二极管的伏安特性就是二极管流过的电流i和两端电压u之间的关系，如图2-13。1．正向特性当正向电压足够大，超过开启电压后，内电场的作用被大大削弱，电流很快增加，二极管正向导通，如图2-13(1)段。此时硅二极管的正向导通压降在0.6~0.8V，典型值取0.7V；锗二极管的正向导通压降在0.1~0.3V，典型值取0.2V。（2－1）2．反向特性二极管的反向特性对应图2-13曲线的（2）段，