材料科学基础考试试卷电子2002与2003(重修卷)new

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1、广东工业大学考试试卷(重修卷II)课程名称:材料科学基础导论考试时间:第十五周星期三(5月31日)题号一二三四五六七八九十总分得分评分人一．选择题（15分，每空格1分）1．在bcc、fcc和hcp三种典型的金属晶体结构中，致密度最低的是，其值为。（A）fcc—0.74（B）fcc和hcp—0.68（C）hcp—0.74（D）bcc—0.682．根据位错线与柏氏矢量的几何关系，可将它们分为三类，分别是、和。（A）全位错—不全位错—单位位错（B）扭折—滑移割阶—攀移割阶（C）肖克莱不全位错—弗兰克不全位错—扩展位错（D）螺位错—刃位错—混合位错3．菲克第一定律适用于，菲克第二定律适用于。（

2、A）上坡扩散—下坡扩散（B）下坡扩散—上坡扩散（C）稳态扩散—非稳态扩散（D）非稳态扩散—稳态扩散4．与金属晶体中的扩散金属原子相比，离子晶体中扩散离子所需的激活能。（A）较低（B）较高（C）取决于温度（D）取决于浓度5．导体铜属于fcc结构，其内晶胞原子数为，半导体硅也属于fcc结构，其内晶胞原子数为。（A）4—12（B）12—4（C）4—8（D）8—46．利用杠杆定则计算两相的相对含量的前提条件是。（A）平衡凝固过程中的两相（B）恒温过程中的两相学院：材料与能源专业(班级)：电子科学与技术(电子信息材料与元器件)(200级班)学号：姓名：装订线51111111广东工业大学试

3、卷用纸，共5页，--第-5-页（C）恒压过程中的两相（D）恒重力过程的两相7．在A-B二元体系中，可形成以A为溶剂的固溶体a和以B为溶剂的固溶体b，在一恒定温度下，液相L与a、b三相平衡共存，反应结束后形成a+b两相混合物，则反应式为。（A）（B）（C）（D）8．据溶质原子在溶剂点阵中的位置,将固溶体分为类，分别是、和。（A）两类—间隙固溶体—间隙相（B）两类—间隙相—间隙化合物（C）两类—正常价化合物—电子化合物（D）两类—间隙固溶体—置换固溶体二．填空题（15分，每空格1分）1．如图1所示，立方晶系中晶面ABGH的指数为⑴，晶面CDEF的指数为⑵，两晶面的夹角为⑶；晶向AB的指数为

4、⑷，晶向BC的指数为⑸，两晶向的夹角为⑹。图1立方晶系中的晶面与晶向2．纯晶体凝固的外部条件是⑺，内部条件是⑻。3．在外力场作用下，刃位错既可进行⑼运动，也可进行⑽运动，而螺位错只能进行⑾运动。4．当冷却速度⑿时，成份在⒀的合金凝固后出现⒁组织，称这种组织为伪共晶。5．纳米晶材料是指⒂。装订线51111111广东工业大学试卷用纸，共5页，--第-5-页第三~八题为简答题(共46分)：三．何谓晶带定律？（5分）四．简述刃型位错与螺型位错的异、同点。（6分）五．简述上坡扩散与下坡扩散的区别（6分）六．何谓单元系？何谓多元系？（5分）七．图2为As-Ga二元相图，要求：(1)写出所有三相平衡

5、的反应式；(2)分别说明经上述三相反应后材料的组织特征。（12分）图2As-Ga二元系相图八．简述均匀形核与非均匀形核的异、同点（12分）第九~十题为综合题(共24分)：九．图3a给出某集成片的截面显微组织照片，其中A区为Cu，B区为Ni，C区为Ag，D区为Si。请结合图3b~3d给出的二元相图，回答下列问题：A．若Si与Ag直接接触，置于700°C下保温足够长的时间，会在Si与Ag之间的界面处形成以Si为基的固溶体，或以Ag为基的固溶体吗？为什么？（2分）B．若Ag直接与Cu接触，置于700°C的温度下保温足够长的时间，试画出界面及其附近区域的成份分布曲线。（2分）C．集成片中Ag通

6、过Ni再与Cu接触，若在800°C下保温足够长时间，试分别画出Ag与Ni界面及其附近区域、Ni与Cu界面及其附近区域的成份分布曲线(提示：Ni与Cu形成匀晶相图)。（2分）装订线51111111广东工业大学试卷用纸，共5页，--第-5-页D．分析B和C两种配置方式的差别。（2分）图3a集成片的截面显微组织图3bAg-Si二元系相图图3cCu-Ag合金的DSC曲线装订线51111111广东工业大学试卷用纸，共5页，--第-5-页图3dNi-Ag二元系相图十．图4为In-As二元相图，试分析：A．As含量对组织组成物的影响（8分）B．As含量对初晶形态的影响（注：In的金属性最强，As的金

7、属性最弱）（8分）图4Si-As二元系相图装订线51111111广东工业大学试卷用纸，共5页，--第-5-页