模拟电子技术基础知识

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1、常用半导体器件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）（5）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√）二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将A。A.变窄B.基本不变C.变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在C。A.正

2、向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏（4）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有AC。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入A元素可形成N型半导体，加入C元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。A.增大B.不变C.减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为C。

3、A.83B.91C.100三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。图T1.3四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。图T1.4五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。图T1.5六．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.6所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。表T1.6管号UGS（th）/VUS

4、/VUG/VUD/V工作状态T14－513恒流区T2－43310截止区T3－4605可变电阻区基本放大电路一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。(√)（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，(√)它只能放大交流信号。(×)（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，(√)它只能放大直流信号。(×)（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。(×)（5）互补输出级应采用共集或共漏

5、接法。(√)（6）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。(×)（7）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。(√)（8）当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。(×)二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路。根据要求选择合适电路组成两级放大电路。（1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用A，第二级应采用A。（2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用D，第

6、二级应采用A。（3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用B，第二级应采用A。（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用D，第二级应采用B。（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且Au>1000，输出电阻Ro＜100，第一级应采用C，第二级应采用B。三、选择正确答案填入空内。（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是A。A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压

7、的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是B，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是A。A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的fL或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的B。A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降A。A.3dBB.4dBC.5dB（4）对于单管共射放大电路，当f＝fL时，uo与ui的相位关系是C。A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f＝fH时，uo与ui的相位关系是C。

8、A.－45˚B.－135˚C.－225˚（5）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大A。A．交流功率B．直流功率C．平均功率（6）功率放大电路的转换效率