lte室分设计规范指导书v1

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1、LTE室分设计规范指导书一、功率问题LTE的边缘场强要求，天线口功率要求：杭分意见：室内RSRP边缘场强>-105DBm；天线口功率-15~-10DBm,室内比室外弱在10米处>10DB，或室内<-100DBm。制定参考信号的信道：3151-fae，AF频段总功率是20W，PSSS（导频信号）参考信道最大功率12.2DBm，3151-e-fae设备,AF频段总功率是30W，PSSS（导频信号）参考信道最大功率13.97DBm　型号AF频段E频段功率规格(W)导频功率(dBm)功率规格(W)导频功率(dBm)3151-fae2012.

2、218492012.218493151-e-fae3013.97945016.197893152-fa2X2015.21849NANA3152-eNA2X5019.19789目前支持3级/4级级联最大支持18个RRU（工程建议不超过10个RRU）。3152-e设备支持MIMO双通道最多两级级联，最大支持12个RRU。室分使用设备功率建议：使用范围室分设备室分组方案设计功率要求单模E频段功率规格(W)导频功率(dBm)3151-fae2012.2184912dBm3151-e-fae5016.1978916dBm3152-e2X5019.

3、1978916dBm二、TD一二三四期RRU替换和单双天馈设备使用说明使用范围室分设备室分组方案设计功率要求LTE后期改造方式是否支持单双路单模E频段功率规格(W)导频功率(dBm)3151-fae2012.2184912dBm见图-1单3151-e-fae5016.1978916dBm见图-1单3152-e2X5019.1978916dBm见图-2和图-3双三、LTE全楼单天馈、全楼双天馈和全楼局部双天馈方案说明1、LTE全楼单天馈图-12、LTE局部天馈图-23、LTE全楼双天馈图-3