博士研究生学位论文

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1、博士研究生学位论文题目：标题姓名：学号：院系：专业：研究方向：导师姓名：二〇一年月版权声明任何收存和保管本论文各种版本的单位和个人，未经本论文作者同意，不得将本论文转借他人，亦不得随意复制、抄录、拍照或以任何方式传播。否则，引起有碍作者著作权之问题，将可能承担法律责任。致谢摘要某某问题是…….本文本研究得到某某基金（编号：XXX）资助。采用了……研究表明…….关键词：关键词1，关键词2，关键词3……III致谢ENGLISHTITLEAuthorName(Major)DirectedbyyourSupervisorABSTRACTInenvironmentaleconomics,env

2、ironmentalresourcesincludingenvironmentalqualityarecategorizedasamenityresources.Duetoitsimportancetohumanwelfare,theamenityresourcestheoreticalstudyandvaluationisanongoingissueattheacademicfrontierintheenvironmentaleconomicsarea.KEYWORDS:Keyword1,Keyword2,Keyword3,……III致谢目录摘要IABSTRACTII目录III第一

3、章引言11.1Ⅲ族氮化物（GaN基半导体）材料的基本性质11.1.1Ⅲ族氮化物半导体的晶体结构1第二章研究进展22.1环境中黑炭的主要来源2第四章图表示例4第五章结论及展望5参考文献6附录A附录示例8致谢9北京大学学位论文原创性声明和使用授权说明10注：目录从第1章开始，前边因页眉需要设置了标题，实际使用时更新后去掉前边部分。使用时请删除本注释。如本示例，更新目录后删除前边三项（摘要、ABSTRACT、目录）即可。III致谢第一章引言第1章用了“顺序编码制索引文献”样式，采用后全文都只能采用这种方式。自20世纪50年代后期集成电路问世以来，固体电子器件的小型化和集成度便在高速、低能耗

4、、和高存储密度的要求下持续迅速地提高。半导体集成电路经过近几十年来的发展，在Moore定律“大约每18个月芯片的集成度增加一倍”的预言推动下，硅基微电子芯片的特征线宽已经从Intel第一代处理器的10μm缩小到了2011年应用于第三代Core处理器的22nm[1,2]，目前正在向14nm工艺发展。随着器件的缩小，尺寸限制所带来的量子效应也趋于明显。当器件尺寸达到与电子的费米波长相比拟的长度时，离散能级以及干涉、隧穿等量子效应就会对器件中的电子输运产生决定性的影响。这些小尺度下的新现象和新效应既是对传统半导体器件的挑战，也为开发新型器件提供了机遇。如何突破传统器件的设计思路，利用这些量

5、子效应来实现更高效、低能耗的计算，成为了物理学中的一个研究热点[3-5]。……….1.1Ⅲ族氮化物（GaN基半导体）材料的基本性质Ⅲ族氮化物是一类具有宽带隙、强极化和铁电性的半导体材料。常见的Ⅲ族氮化物如AlN、GaN和InN都是直接带隙半导体……………….………….1.1.1Ⅲ族氮化物半导体的晶体结构………….9致谢第一章引言第1章用了“顺序编码制索引文献”样式，采用后全文都只能采用这种方式。自20世纪50年代后期集成电路问世以来，固体电子器件的小型化和集成度便在高速、低能耗、和高存储密度的要求下持续迅速地提高。半导体集成电路经过近几十年来的发展，在Moore定律“大约每18个月芯

6、片的集成度增加一倍”的预言推动下，硅基微电子芯片的特征线宽已经从Intel第一代处理器的10μm缩小到了2011年应用于第三代Core处理器的22nm[1,2]，目前正在向14nm工艺发展。随着器件的缩小，尺寸限制所带来的量子效应也趋于明显。当器件尺寸达到与电子的费米波长相比拟的长度时，离散能级以及干涉、隧穿等量子效应就会对器件中的电子输运产生决定性的影响。这些小尺度下的新现象和新效应既是对传统半导体器件的挑战，也为开发新型器件提供了机遇。如何突破传统器件的设计思路，利用这些量子效应来实现更高效、低能耗的计算，成为了物理学中的一个研究热点[3-5]。……….1.1Ⅲ族氮化物（GaN基

7、半导体）材料的基本性质Ⅲ族氮化物是一类具有宽带隙、强极化和铁电性的半导体材料。常见的Ⅲ族氮化物如AlN、GaN和InN都是直接带隙半导体……………….………….1.1.1Ⅲ族氮化物半导体的晶体结构………….9致谢第二章研究进展本章为“著者-出版年制”索引文献示例，实际写作时只能选择本章和第1章索引文献方法之一，不得混用。2.1环境中黑炭的主要来源环境中黑炭(blackcarbon)气溶胶的主要来源包括各种化石燃料和生物质燃料的不完全燃烧过程(Pennere