通信工程实习报告

通信工程实习报告

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时间:2018-10-02

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1、第一章公司简介**网络器材(深圳)有限公司,隶属于**国际集团,集团公司为香港主板上市公司(股份代码:912)。**网络自成立以来,一直致力于高科技、高精度、高品质的网络通信类电子产品的生产制造服务,以技术领先、人才专业、快速反应、品质卓越、优质服务作为公司发展的核心动力,迅速成为国内两家著名的通信网络公司的主要制造商,同时也是英国一家著名的教育网络产品及一家世界知名的音响产品制造商之一,是一家专业的电子制造服务(EMS)供应商。  公司生产的主要产品包括:网络通信产品、教育网络产品、工业电力产品以及专业音响、中小型液晶显示器LCD等。网络

2、通信产品包括智能多层网络交换机、核心路由器、IP语音、网关设备、无线接入设备、宽带IPDSLM等,专业音响产品包括调音台、功放器、效果器、数字无线音响产品等。产品出口欧洲、美国、日本、香港等地。公司有经验丰富、熟悉国际化企业运作的专业技术人员和管理人员。拥有数条目前世界上最先进的SIEMENS、YAMAHA的新型高速、高精度SMT生产线,专业的大型X-RAY光学检测设备、AOI、高精度的BGAREWORKSTATION、X-RAYRoHS检测仪、还有近100台高端测试电脑以及数十台专业的网络测试设备等等。公司在成立之初就立即通过了ISO90

3、01-2000的国际质量认证,在品质先行的倡导下,目前是客户认可的最佳品质供应商。  公司位于全球经济增长最迅速的制造业基地—珠江三角洲的深圳经济特区。深圳是中国的沿海口岸城市,紧邻香港,在中国高新技术产业、外贸出口、海洋运输等多方面占重要地位,是中国唯一的海陆空口岸俱全的副省级城市,进出口总额连续10年居中国大陆第一,港口集装箱吞吐量居中国大陆第二位,财政收入居中国大陆城市第三位。  **网络器材(深圳)有限公司秉承**国际集团一贯的服务宗旨:SystematicManagement(系统化管理),UnderstandingofCusto

4、mer'sRequirement(了解客户需求),GoodQuality(超卓产品质素),AdvancedTechnology(应用尖端科技),加之逐鹿全球的策略,将引导**网络逐步走上全球市场,**网络矢志成为中国乃至亚洲一流的国际化高端电子产品制造商。22第二章实习概况2.1实习目的通过实习提高自己的对社会的认知能力,同时理论联系实际,让自己迅速适应社会,跟上IT前进的快速步伐。通过理论与实际的结合、学校与社会的沟通,进一步提高学生的思想觉悟、业务水平,尤其是观察、分析和解决问题的实际工作能力,以便培养自己成为能够主动适应社会主义现代化

5、建设需要的高素质的复合型人才。生产实习是电子信息工程专业学生不可缺少的实践环节,本次实习是在学生学完所有基础课及技术基础课和大部分专业课后进行。实习的目的在于通过在网络和通信公司、企业广域网和内联网(Internet/Intranet)或实习基地的生产实践,使学生能将所学的理论和实践相结合,巩固消化所学的知识,培养实践操作技能,建立网络、信息系统集成概念,并为后继课教学及毕业环节打下基础。nzk范文搜2.2实习时间和地点时间:总共四周地点:**网络器材(深圳)有限公司2.3实习内容实习内容具体可包括以下主要内容:1.阅读实习产品的有关技术资

6、料和工艺文件,如产品说明书、调试工艺流程等。学习产品的开发手段、调试方法、调试仪器原理及操作规程;或阅读通信网络技术及工程等方面的资料,了解通信网络的设计、施工、维护及管理。2.通过参观,对实习单位建立总体认识,了解先进的生产过程和生产工艺,学习产品开发设计知识、生产工艺知识、企业管理知识以及安全生产知识等。3..了解到了焊普通元件与电路元件的技巧、印制电路板图的设计制作与工艺流程、工作原理与组成元件的作用等。4.掌握了一些软件测试技能如LCD显示测试等。22第三章LCD液晶显示器驱动原理针对TFTLCD的整体系统面来做介绍,也就是对其驱动

7、原理来做介绍,而其驱动原理仍然因为一些架构上差异的关系,而有所不同.首先我们来介绍由于Cs(storagecapacitor)储存电容架构不同,所形成不同驱动系统架构的原理.3.1Cs(storagecapacitor)储存电容的架构一般最常见的储存电容架构有两种,分别是Csongate与Csoncommon这两种.这两种顾名思义就可以知道,它的主要差别就在于储存电容是利用gate走线或是common走线来完成的.在上一篇文章中,我曾提到,储存电容主要是为了让充好电的电压,能保持到下一次更新画面的时候之用.所以我们就必须像在CMOS的制程之

8、中,利用不同层的走线,来形成平行板电容.而在TFTLCD的制程之中,则是利用显示电极与gate走线或是common走线,所形成的平行板电容,来制作出储存电容Cs.图3.1Cson

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