电子碰撞Ag靶过程中特征辐射的角相关性研究.pdf

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1、中国科技论文在线http://www.paper.edu.cn电子碰撞Ag靶过程中特征辐射的角相关#性研究1,2111**柳钰,王兴,徐忠锋,胡鹏飞5(1.西安交通大学理学院,激光与粒子束科学与技术研究所,西安710000;2.咸阳师范学院物理与电子工程学院,陕西咸阳712000)摘要:低能电子碰撞原子内壳层电离产生空穴的角分布研究在理论和应用方面都具有重要意义。内壳层电离截面数据在许多科技领域必不可少。目前的理论还不完善,需要精确的实验数据检验理论。因而改进实验方法和增加实验数据是这一课题研究的关键。研究了能量为1020keV的电子碰撞厚度为0.75μm的A

2、g靶产生的Lα、Lβ1、Lβ2和Lγ1特征X射线的角分布,出射角范围为5°到20°,计算了特征X射线的强度比Lα/Lβ1,Lβ2/Lβ1和Lγ1/Lβ1,结果发现Lβ1、Lβ2和Lγ1是各向同性发射的,Lα是各向异性发射的,同时研究了L3支壳层空穴的定向度。关键词:原子分子物理;特征X射线;电子碰撞;角分布15中图分类号:O562AngulardistributionofcharacteristicradiationintheprocessofelectronimpactonAgtarget1,2111LIUYu,WANGXing,XUZhongfeng,HU

3、Pengfei(1.Laser&IonbeamInstitute,Schoolofscience,Xi'anJiaotongUniversity,Xi'an710000;202.SchoolofPhysicsandElectronicEngineering,XianyangNormalUniversity,Xianyang712000)Abstract:Theangulardistributionofvacancyproducedbyatomicinner-shellionizationinlow-energyelectronimpactissignifica

4、ntinboththeoreticalresearchesandpracticalapplications.Accurateexperimentaldataarerequiredinmanytechnologyfields.Thepresenttheoryisnotperfectandrequiresaccurateexperimentaldatatocheck.Therefore,itisnecessarytoimprovetheexperimentalmethodsand25increasetheexperimentaldata.Thecharacteri

5、sticX-rayintensitiesofAg-Lα,Lβ1,Lβ2andLγ1aremeasuredinelectron-impactionizationatenergyof20keV.Theemissionangleinthisworkrangesfrom5°to20°atintervalof5°.TheangulardependenceofLX-rayintensityratioshasbeeninvestigatedforLα/Lβ1,Lβ2/Lβ1andLγ1/Lβ1.Itisfoundfromtheexperimentalresultsthatt

6、heemissionsofLβ1,Lβ2andLγ1X-raysarespatiallyisotropic,whiletheLαX-raysexhibitanisotropicemission.30Keywords:Atomicandmolecularphysics;CharacteristicX-rays;Angulardistribution;Electron-impact0引言碰撞电离导致靶原子内壳层产生空穴的退激过程对应发射特征X射线或俄歇电子。目前很多领域都迫切需要精确的原子内壳层电离截面数据,例如材料元素分析中利用到的X[1-2][3]35射线荧光

7、光谱技术、俄歇电子谱仪(AES),而原子内壳层电离截面的测量必须考虑特征辐射(如X射线)是否是各向同性的。当前对原子空穴态的定向行为有两种论断,一种认基金项目:高等学校博士学科点专项科研基金(博导类)(20130201110066)作者简介:柳钰(1981-),女,博士研究生,主要研究方向:原子分子物理通信联系人:徐忠锋,男,教授、博士生导师,主要研究方向:原子分子物理.E-mail:zhfxu@mail.edu.cn-1-中国科技论文在线http://www.paper.edu.cn为被电离电子的空穴态在满足总角动量量子数j>1/2时,伴随空穴衰变发射的特征

8、辐射或俄[4-5]歇电子相对于入射束方

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