印制电路板显微剖切孔无铜技术分析.

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1、印制电路板显微剖切孔无铜技术分析.本文由FXQ1982贡献doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。物理微切片分析方法培训教材Tinysliceofphysicsanalyticalmethodtrainingteachingmaterial物理实验人员必备Thephysicsexperimentsthepersonnelessential编辑:方转强■中山宝悦嘉电子有限公司品保部中山宝悦嘉电子有限公司品保部方转强印制板显微剖切检测技术研究Microsect

2、ioningStudyontheTechnologyoftheMicrosectioningofthePrintedCircuitBoard■摘要:本文对印制电路板显微剖切技术及其应用进行了实践性的论述。本文对印制电路板显微剖切技术及其应用进行了实践性的论述。■范围:宝悦嘉公司■主题:板材不良、孔无铜板材不良、图一、200倍印制板所用的板材质量的好坏,直接会严印制板所用的板材质量的好坏,重影响产品质量。重影响产品质量。图1.2.3.4就是因板材因素而导致印制板孔无铜报废的事实。无铜报废的事实。图二、

3、100倍图二、分析:分析:一、图1.2在显微镜放大100倍可观查到板料树脂十分疏松,并且有空洞出现。查到板料树脂十分疏松,并且有空洞出现。二、在钻孔时钻刀的高速旋转下必然会扯动松动的树脂而造成孔壁粗糙,测量图会扯动松动的树脂而造成孔壁粗糙,1.2粗糙度为66—99UM。粗糙度严重超标,66—99UM。糙度严重超标,一般粗糙度要求为双面板≤30UM.多层板为一般粗糙度要求为双面板≤30UM.多层板为≤25UM。25UM。三、孔壁太粗糙会导致后制程镀层质量问题的产生而造成孔无铜报废。问题的产生而造成孔无

4、铜报废。图三、四、100倍图三、针对此问题应加强来料控制,针对此问题应加强来料控制,特别是物理实验动作。是物理实验动作。有问题及时反馈供应商商讨处理。第4页■中山宝悦嘉电子有限公司品保部中山宝悦嘉电子有限公司品保部方转强印制板显微剖切检测技术研究StudyontheTechnologyoftheMicrosectioningofthePrintedCircuitBoard■摘要:本文对印制电路板显微剖切技术及其应用进行了实践性的论述。本文对印制电路板显微剖切技术及其应用进行了实践性的论述。■范围:宝

5、悦嘉公司■主题:电锡不良常见电锡不良问题描述:■常见电锡不良问题描述:低电位大面积镀不上锡,1.低电位大面积镀不上锡,板面有轻微暗红色。红色。一面镀层完整,一面镀层不良。2.一面镀层完整,一面镀层不良。低电位孔边有明显亮边现象。3.低电位孔边有明显亮边现象。高电位镀层粗糙,有烧板现象。4.高电位镀层粗糙,有烧板现象。板面有片状电不上锡。5.板面有片状电不上锡。板面镀层有颗粒杂质。6.板面镀层有颗粒杂质。■电锡不良可能导致的品质问题:电锡不良可能导致的品质问题:1.线路沙孔、崩线、线路狗牙、开路、1.

6、线路沙孔、崩线、线路狗牙、开路、线路沙孔幼线。幼线。2.孔铜薄严重则成孔无铜(如图所示)。2.孔铜薄严重则成孔无铜(如图所示)孔铜薄严重则成孔无铜3.退锡不净(3.退锡不净(返退锡次数多会影响镀层退锡不净厚度)。厚度)第2页■电锡不良的原因:槽液药水成份失调、电流密度太小、电镀时间太短。1.槽液药水成份失调、电流密度太小、电镀时间太短。2.阳极过少且分布不均。阳极过少且分布不均。3.锡光剂失调少量或过量。锡光剂失调少量或过量。阳极太长、电流密度过大、图形局部导线密度过稀、光剂失调。4.阳极太长、电流

7、密度过大、图形局部导线密度过稀、光剂失调。5.镀前局部有残膜或有机物。镀前局部有残膜或有机物。6.电流密度过大、镀液过滤不足。电流密度过大、镀液过滤不足。■电锡不良改善方案:电锡不良改善方案:药水成份定期化验分析及时添补加、增加电流密度、延长电镀时间。1.药水成份定期化验分析及时添补加、增加电流密度、延长电镀时间。2.不定时检查阳极的消耗量合理的补加阳极。不定时检查阳极的消耗量合理的补加阳极。3.赫氏槽分析调整光剂含量。赫氏槽分析调整光剂含量。合理的调整阳极的分布、适量减小电流密度、合理设计板子的布

8、线或拼板、4.合理的调整阳极的分布、适量减小电流密度、合理设计板子的布线或拼板、调整光剂。5.加强镀前处理。加强镀前处理。减小电流密度、定期对过滤系统进行保养或弱电解处理。6.减小电流密度、定期对过滤系统进行保养或弱电解处理。★★★控制关键:★控制关键:定期进行小电流弱电解处理时间小时以上,2小时以上,每PNL浪板30A电流左右。左右。第3页■中山宝悦嘉电子有限公司品保部方转强印制板显微剖切检测技术研究StudyontheTechnologyoftheMicrosec

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