led技术指标26777

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1、LED技术指标26777本文由bydzhongliang贡献doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。LED技术指标介绍这是指单个LEDIF=20mA下。随着功率型LED开发应用，临时以来总认为LED寿命为106小时。国外学者认为以LED光衰减百分比数值作为寿命的依据。如LED光衰减为原来35%寿命＞6000hLED电子显示屏利用化合物资料制成pn结的光电器件。具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性

2、、时间特性以及热学特性。1led电学特性即外加正偏压表示低接触电阻，1.1I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LEDI-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性。反之为高接触电阻。当V＜Va外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，1正向死区：图oa或oa′段）a点对于V0为开启电压。此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaA为1V红色GaAsP为1.2VGaP为1.8VGaN为2.5V2正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系IF=ISeqVF/KT–1-IS为反向饱和电

3、流V＞VF正向工作区IF随VF指数上升IF=ISeqVF/KV＞0时。T3反向死区V＜0时pn结加反偏压反向漏电流IRV=-5V时，V=-VR时。GaP为0VGaN为10uA则出现IR突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物资料种类不同，4反向击穿区V＜-VRVR称为反向击穿电压；VR电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V＜-VR时。各种LED反向击穿电压VR也不同。1.2C-V特性使其结电容（零偏压）C≈n+pf左右。鉴于LED芯片有99mil250250um1010mil1111mi

4、l280280um1212mil300300um故pn结面积大小不一。C-V特性呈二次函数关系（如图2由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得。1.3最大允许功耗PFm当流过LED电流为IF管压降为UF则功率消耗为P=UFIF外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，LED工作时。还有一局部变为热，使结温升高。若结温为Tj外部环境温度为Ta则当Tj＞Ta时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量（功率）可表示为P=KTTj–Ta1.4响应时间响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示L

5、CD液晶显示）约10-3~10-5SCRTPDPLED都达到10-6~10-7Sus级）就是LED点亮与熄灭所延迟的时间，①响应时间从使用角度来看。即图中trtf图中t0值很小，可忽略。②响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。一直到发光亮度达到正常值的90%所经历的时间。点亮时间—上升时间tr指接通电源使发LED光亮度达到正常的10%开始。LED熄灭时间—下降时间tf指正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。不同资料制得的LED响应时间各不相同；GaAGaAsPGaAlA其响应时

6、间＜10-9SGaP为10-7S如因此它可用在10~100MHZ高频系统。可描述为Bt=BOe-t/τ，老化：LED发光亮度随着长时间工作而出现光强或光亮度衰减现象。器件老化水平与外加恒流源的大小有关。Bt为t时间后的亮度，BO为初始亮度。通常以推算求得寿命。丈量方法：给LED通以一定恒流源，通常把亮度降到Bt=1/2BO所经历的时间t称为二极管的寿命。测定t要花很长的时间。点燃103~104小时后，先后测得OBt=1000~10000代入Bt=BOe-t/τ求出τ；再把Bt=1/2BO代入，可

7、求出寿命t白光LED的荧光粉白光LED的显色指数（CRI）与蓝光芯片、YAG荧光粉、相关色温等有关，其中最重要的是YAG粉，不同色温区的LED，用的粉及蓝光芯片不一样。目的色温越低的管子用的粉发射峰值要越长，芯片的峰值也要长，低于4000K色温，还要另外参加发红光的粉，以补偿红成分的缺乏，到达进步显色指数的目的，在坚持的芯片及粉不变的条件下，色温越高显色指数越高。荧光粉在LED制造进程的作用,运用绿色荧光粉配合黄色荧光粉和蓝色LED芯片，可取得高亮度白光LED；若运用绿色荧光粉配合蓝光LED芯片

8、，可以间接取得绿光；若运用绿色荧光粉配合黄色荧光粉与蓝色LED芯片，可以取得冷色彩白光；绿色荧光粉也可配合白色荧光粉与蓝色LED芯片而取得白光。白光LED发光原理及技术指标白光是一种组合光，白光LED可以分为单芯片、双芯片和三芯片等，以下将按这一分类来介绍，还将介绍照明用白光LED的一些技术指标。白光LED发光原理单芯片InGaN(蓝)/YAG荧光粉这是一种目前较为成熟的产品，其中1W的和5W的Lumileds已有批量产品。这些产品采用芯片倒装结构，提高发光效率和散热效果。荧光粉涂覆工艺的改进，