电工学电子技术复习资料带答案

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1、一．选择填空1．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于C,而少数载流子的浓度则与A有很大关系。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷2．P型半导体中空穴是A，带C电；自由电子是B，带D电。A.多数载流子B.少数载流子C.正D.负3．N型半导体C，P型半导体C。A.带正电B.带负电C.呈中性4．当PN结外加正向电压作用下，内电场B；扩散电流C漂移电流。A.增强B.削弱C.大于D.小于5．当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E。A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变6．用万用表直流电压档，测得电

2、路中晶体管各电极相对于参考点“地”的电位如右图所示。从而判断出该晶体三极管工作在C状态。A.倒置B.截止C.饱和D.放大7．温度升高后，半导体三极管的电流放大系数β将A，穿透电流ICEOA。A.变大B.变小C.不变8．三极管的穿透电流ICEO是集—基反向饱和电流ICBO的C倍，在选用管子时，一般希望ICEO尽量D。A.1/βB.βC.（1＋β）D.小E.大9．右图所示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和7V，正向压降均为0.7V,且具有理想的稳压特性，则输出电压U0为D。A.6VB.7VC.13VD.1V10．

3、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，则右图电路的输出电压U0为C。A.5VB.8VC.13VD.3V11．某三极管PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V，能正常工作的是A。A.UCE=3V，IC=10mAB.UCE=2V，IC=40mAC.UCE=6V，IC=20mAD.UCE=20V，IC=4mA1012．三极管工作在饱和区时，b-e极间为A,b-c极间为A；工作在放大区时，b-e极间为A,b-c极间为B；工作在截止区时，b-e极间为B,b-c极间为B。A.正向

4、偏置B.反向偏置C.零偏置13.单级放大电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察uo和ui的波形。当放大电路为共射电路时，则uo和ui的相位B；当为共集电极电路时，则uo和ui的相位A。A.同相B.反相C.相差900D.不定14．差动放大电路，当ui1＝300mV,ui2=200mV时，分解为共模输入信号uic＝C，一对差模输入信号uid1＝－uid2＝D。A.500mVB.100mVC.250mVD.50mV15.如果要求输出电压U0基本稳定，并能减小输入电阻，应引入B负反馈。A.串联电压负反馈B.并联电压负反馈C.串联电流

5、负反馈D.并联电流负反馈16.如果要求输出电流I0基本稳定，并能提高输入电阻，应引入C负反馈。A.串联电压负反馈B.并联电压负反馈C.串联电流负反馈D.并联电流负反馈17．在图示电路中，若U2=20V,则UO=B。A.20VB.18VC.9VD.24V18.图示整流电路中，由于整流管是串联的，故每管的最大反向电压URM为C。A.B.C.D.19．TTL与非门电路的电源电压值、输出电压的高、低电平值依次为A。A.5V,3.6V，0.3VB.10V,3.6V,0.3VC.5V,1.4V,0.3V20.三态与非门输出端的第三种状态

6、指的是A。A.高阻状态B.饱和状态C.高电平状态D.低电平状态10二．填空1．硅二极管的死区电压约0.5V，正向压降约0.6～0.8V，锗二极管的死区电压约0.1V，正向压降约0.2～0.3V。2．在二极管上加反向电压时，形成很小的反向电流。反向电流有两个特点：一是随温度的上升增长很快；一是当外加反向电压过高时，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为击穿。3．当放大电路静态工作点Q位置偏高，同时输入信号幅度相对较大时，放大电路将产生饱和失真；当放大电路静态工作点Q位置偏低，同时输入信号幅度相对较大时，放大电路将

7、产生截止失真。4．射级输出器的主要特点是：电压放大倍数接近1，输入电阻高，输出电阻低。5．在多级放大电路中，抑制温度漂移要着重于第一级，在直接耦合放大电路中抑制温度漂移最有效的电路结构是差分放大电路。6．（1＋AF）称为反馈深度，其值愈大，负反馈作用愈强，闭环放大倍数Af愈小。7．半导体直流稳压电源一般包括变压、整流、滤波和稳压环节。8．W7815稳压电源的输出电压＋15V,W7915稳压电源的输出电压为－15V。它们是三端集成稳压器的型号。9．在数字电路中，晶体管一般工作在饱和状态或截止状态，并非工作在放大状态。10．整流

8、的目的是把交流变换为直流，主要是利用二极管的单向导电特性来实现的。11．基本的逻辑关系有与逻辑、或逻辑、非逻辑三种。12．同一个逻辑函数可用不同的逻辑式来表达，但由最小项组成的与或逻辑式则是唯一的。13．n个变量的逻辑函数有2n种组合，最小项有2n个，卡诺图有2n种个方格。三．判断1.对者