化学气相沉积法制备mos的研究进展

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1、化学气相沉积法制备MoS2的研究进展AdvancesinMaterialChemistry材料化学前沿,2017,5(1),1-10PublishedOnlineJanuary2017inHans.http://www.hanspub.org/journal/amchttp://dx.doi.org/10.12677/amc.2017.51001ResearchProgressonMoS2PreparedbyChemicalVaporDepositionJieWang,QiuyueChen,YongpingZhangFacultyo

2、fMaterialsandEnergy,SouthwestUniversity,ChongqingReceived:Jan.2,2017;accepted:Jan.19,2017;published:Jan.22,2017ndthndAbstractNanostructuredMoS2,atwodimensionaltransition-metaldichalcogenides,hasfoundextensiveapplicationinphtotoelectricity,visiblelightcatalysts,lubricit

3、yandfrictionperformancebecauseofitsunusualphysicalandchemicalproperties.ChemicalvapordepositionisoneofthemostpracticalmethodstopreparethelargeareaandhighqualityMoS2amongallthephysicalorchem-icalmethods.Thispaperreviewstheeffectofthereactiontime,carriergasflowrate,stoic

4、hiome-tricratioofprecursorsandsubstratepositiononthemorphologyandstructureofMoS2.Two-dimensionallayeredMoS2mayfindoptimalutilizationssinceitspropertyvariessignificantlywithdifferentstructures.KeywordsTransition-MetalDichalcogenides,Mos2,ChemicalVaporDeposition,Nanostru

5、cturedMaterials化学气相沉积法制备MoS2的研究进展王洁,陈秋月,张永平西南大学材料与能源学部,重庆收稿日期:2017年1月2日;录用日期:2017年1月19日;发布日期:2017年1月22日摘要二维纳米结构的过渡族金属硫化物MoS2有着不同寻常的物理化学性质,在光电性能、可见光催化、润滑性和摩擦性方面有着广泛的应用价值。制备纳米结构MoS2有物理的和化学的方法,其中化学气相沉积是一种简便实用的生长大面积高质量MoS2的方法。本文详细讨论了化学气相沉积过程中反应时间、载气体文章引用:王洁,陈秋月,张永平.化学气相沉积法

6、制备MoS2的研究进展[J].材料化学前沿,2017,5(1):1-10.http://dx.doi.org/10.12677/amc.2017.51001王洁等流速、先驱体化学计量比和基体放置位置等因素对MoS2结构的影响。不同结构的MoS2对其性质有决定性的影响,使得这种层状二维材料获得广泛的应用。关键词过渡族金属硫化物,MoS2,化学气相沉积,纳米材料Copyright?2017byauthorsandHansPublishersInc.ThisworkislicensedundertheCreativeCommonsAttr

7、ibutionInternationalLicense(CCBY).http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/OpenAccess1.背景自从发现石墨烯后,人们认识到二维纳米材料具有不寻常的物理和化学性能,这引起了科学家极大的关注。过渡族金属氧化物和硫化物是一类具有层状结构的二维材料,起初人们在1000℃硫化氢气氛中硫化WO3粉末得到WS2,后来,又发现无机富勒烯结构的化合物MoS2[1][2][3][4][5]。接着,人们发现了纳米棒[6]、纳米线[7]、纳米片[8]、树枝状和三角形[9

8、]等不同形貌的二硫化钼。如图1所示,禁带宽度约为1.2eV的体材料MoS2和其多层结构材料的能带结构表现为间接带隙,且层数的不断减少,其禁带宽度逐渐增加,当它为单层结构时,禁带宽度增大到1.9eV,能带结构由间接带隙变为直接带隙[10

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