太阳能电池工作原理光伏企业课件

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1、制绒岗位须知单晶制绒：用碱腐蚀多晶制绒：用硝酸腐蚀制绒作用：减少反射，增强对太阳光的吸收。单晶制绒的原理：硅的各向异性腐蚀，在不同的晶向上的腐蚀速度不一致，在100面上的腐蚀速率与111面上的腐蚀速率R111的比值R100：R111在一定的弱碱溶液中可以达到500单晶硅制绒化学方程式尚能电池制造部多晶硅制绒化学方程式：影响硅片转换效率的金属铁Fe、钠Na、锰Mn、锑Ti、金、银、钨HF+HNO3+Si＝H2[SiF6]+NO2+H2O尚德电池制造部多晶硅制绒化学方程式：绒面的各种形貌单晶原始形貌（500倍）单晶绒面（500倍）单晶绒面（SEM）多晶绒面（SEM）太阳电池制造过程-化

2、学清洗HCL去除硅片表面的金属离子HF去除硅片表面的氧化物P型半导体硅尚能电池制造部清洗间扩散间取片拿石英舟上桨装片进炉设置参数测片取片流入下道工序传递箱太阳电池制造过程-扩散在P型半导体表面掺杂五价磷原子在硅片表面形成PN结外层：磷硅玻璃中间：N型半导体硅P型半导体硅P型硅N型硅磷硅玻璃(PSG)四探针测量方块电阻扩散原理化学方程式大氮：均衡管内气体小氮：携带扩散源扩散源：三氯氧磷清洗源：三氯乙烷{C2H3CL3}洁净度：动态1万级、静态10万级扩散原理及检测电位差计硅单晶1234PN结——太阳电池的心脏扩散的目的：形成PN结扩散装置示意图气路图压缩空气O2N2(1.2)N2(3.

3、4)SUNERGY电池制造部刻蚀间生产流程：取片上料整理称重上料吸片刻蚀＆去ＰＳＧ下料吸片称重测R□数据录入在制品传送尚德电池制造部刻蚀间夹片取片去PSG刻蚀上料整理插片取片甩干检测运行SUNERGY电池制造部刻蚀间RENA水平清洗机上料区刻蚀槽漂洗槽碱槽漂洗槽HF槽漂洗槽风刀吹干下料区HF+HNO3+H2SO4H2OKOHH2OHFH2O压缩空气尚德电池制造部刻蚀间（去PSG清洗机）下料区4#喷淋槽3#清洗槽2#清洗槽1#酸洗槽上料区H2OH2OH2OHF刻蚀＆去ＰＳＧ刻蚀目的：去除边缘PN结，防止上下短路湿法刻蚀的化学反应方程式:①4HNO3+3Si=3SiO2+4NO+2H2O

4、②SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O刻蚀方法：１：干法刻蚀２：湿法刻蚀P型半导体硅P型硅N型硅磷硅玻璃(PSG)KOH的作用：去除硅片表面的多孔硅(黑色或红色)。Si+2KOH+H2O=K2SiO3+2H2磷硅玻璃的组成：磷原子（P）和二氧化硅（SiO2）SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2OP型半导体硅P型硅N型硅磷硅玻璃(PSG)氢氟酸是无色透明的液体，具有较弱的酸性、易挥发性和很强的腐蚀性。但氢氟酸具有一个很重要的特性是它能够溶解二氧化硅，因此不能装在玻璃瓶中。RENA水平清洗机设备工艺控制要素：刻蚀槽：液位、温度、流量、抽风、溶液配比碱槽：流量、浓度、温度酸碱

5、槽：流量、浓度吹干：压空流量、传动频率干法刻蚀——等离子体刻蚀反应尚能电池制造部刻蚀间PECVD插片放入洁净柜检查推入上料区取料卸片运行程序送入下道工序填写表单太阳电池制造过程-PECVD在硅片表面镀上一层深蓝色的氮化硅膜可以充分吸收太阳光，降低反射在硅片表面有氢钝化的作用氮化硅膜P型半导体硅P型硅N型硅PECVD沉积SiN利用硅烷（SiH4）与氨气（NH3）在等离子体中反应。SiH4+NH3SiNH+3H22SiH4+N22SiNH+3H2太阳电池制造过程-PECVDPECVD：PlasmaEnhanceChemicalVapourDeposition等离子增强化学气相沉积在太阳电

6、池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。其还具有卓越的抗氧化和绝缘性能，同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽扩散的能力；它的化学稳定性也很好，除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外，其它酸与它基本不起作用。除SiN膜外，TiO2，SiO2也可作为减反膜丝网印刷上料检查承载盒上料PECVD镀膜后的硅片网版印刷背电极印刷背电场印刷正面栅线印刷太阳电池制造过程-丝网印刷丝网印刷的原理通过刮条挤压丝网弹性变形后将浆料漏印在需印刷的材料上的一种方式,这是目前普遍采用的一种电池工艺.丝网印刷的流程上料—丝印第一道—烘箱1—丝印第二道—烘箱2—丝印第三道—烧结炉烘箱的作用先烘干硅片上的浆料，去处浆料中的有机

7、成分。烧结炉的结构烘干区—烧结区—回温区（冷却区）烧结炉的作用先烘干硅片上的浆料，去处浆料中的有机成分，通过高温使硅金属与浆料形成欧姆接触.所谓欧姆接触:半导体材料与金属接触时没有形成整流接触,欧姆接触具有线形和对称的V—I特性，且接触时的电阻远小于材料电阻的一种接触，因此当电流通过时，良好的欧姆接触不会产生显著的压降和功耗。丝网印刷原材料的特性硅片的厂家、型号、批次、厚度、尺寸、少子寿命、对角线丝网印刷的辅助材料刮条、浆料、胶带、封网浆、酒精、松油醇太阳