fpga抗单粒子效应设计概述

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1、FPGA抗单粒子效应设计概述摘要：辐射效应是影响航天电子可靠性的重要问题，本文首先分析了宇宙空间中的辐射效应和其对空间电子设备的影响，紧接着比较了ASIC、SRAM型FPGA和反熔丝FPGA在实际宇航应用中的性能，最后根据FPGA单粒子故障效应的特点，讨论了单粒子效应故障加固设计的一般方法。1引言2000年和2003年美国成功举行了两次太空战演习，这预示着21世纪太空将成为国际军事竞争的制高点，因此我们要有争夺制天权的准备[1]。随着技术的发展和科技的进步，航天电子设备对诸如现场可编程门阵列（FieldProgrammableGateArray,FPGA）、

2、数字信号处理器（DigitalSignalProcessor,DSP）等超大规模集成电路的依赖性越来越强。另一方面，宇宙中存在各种辐射射线，使得高性能芯片受太空射线影响而产生单粒子效应的概率大大提高，并且器件的集成度越高，单粒子效应的影响就越显著，这严重影响和制约着航天电子仪器设备的正常工作。因此开发具有高速度、强抗辐射能力的集成电路技术对于发展我国航天技术及在辐射环境下工作的武器系统具有重要的意义。2辐射环境概述空间辐射主要来自宇宙射线，太阳耀斑和太阳风辐射。宇宙射线是指来自宇宙空间的高能量的粒子辐射，它们主要由高能质子和电子、X射线和γ射线、中子组成。这

3、些高能量粒子能在局部淀积足够量的电荷，不仅会造成逻辑翻转还会对加工的芯片产生辐射损伤[2]。国内外对航天故障的统计显示，40%左右的故障源自太空辐射[3]：1993年8月21日，美国有五颗卫星同时失效，原因是使用的同一批定时器芯片，均因宇宙射线辐照而失效；我国1994年发射的“风云二号”气象卫星失去控制，也是由于一块超大规模集成电路（VeryLargeScaleIntegration,VLSI）芯片受到空间辐射影响而失效[4]。2003年10月太阳风暴引起强烈的北极光，导致日本高级地球观测卫星Midori-2等多颗卫星失灵。因此抗辐射技术是保障航天电子设备高

4、可靠长寿运行的关键技术，是航天电子领域的研究重点和热点[5]。3辐射效应概述空间电子设备由于其所处的轨道不同，受到的辐射影响也不相同。总的来讲，空间中的辐射效应主要有：总剂量效应（TotalIonizingDose,TID）、位移损伤（DisplacementDamage）、单粒子翻转（SingleEventUpset,SEU）、单粒子功能中断（SingleEventFunctionalInterrupt,SEFI）、单粒子烧毁（SingleEventBurnout,SEB）、单粒子瞬态脉冲（SingleEventTransient,SET）等[6]。其中对

5、FPGA影响较大的辐射效应主要是总剂量效应和单粒子效应。随着工艺水平的提高，FPGA内核电压逐步降低，器件的辐射总剂量承受能力会越来越高，因此对采用先进工艺的高性能FPGA来讲，总剂量效应影响会相对减小。但是随着器件核电压的降低、门数的剧增，单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子瞬态脉冲等一系列单粒子效应会越来越明显[7]。单粒子效应可以造成某个器件或者器件的某个区域较长时间甚至永久性的失效。因此FPGA的抗单粒子效应设计将极大程度上影响以FPGA为重要组成部分的航天电子设备的可靠性。4单粒子效应的产生机理单个粒子可能击中硅片中的组合逻辑，也可能击中时序逻辑。当

6、一个带电粒子击中存储单元的某一敏感节点时，如截止态晶体管的漏极时，其产生的瞬时电流脉冲能够开启对面晶体管的栅极。这种作用将产生存储值的倒置，也就是存储单元中的位翻转。存储单元有两个稳定状态，一个表示存储“0”，而另一个表示存储“1”。每种状态都有两个晶体管开启和两个晶体管关闭（SEU以漏极为目标）。存储单元中的位翻转发生在高能粒子引起电路中晶体管状态翻转的时刻，这种效应就是SEU效应，也是数字电路中需要重点关注的问题之一。当一个带电粒子冲击组合逻辑块时，同样会产生瞬时电流脉冲，这种现象称为单粒子瞬态脉冲效应（SET）。如果逻辑运行速度足够快，以至于传播了引入

7、的瞬时电流脉冲，那么该SET将最终出现在第二个锁存器的输入端，并被认为是有效的信号。该SET是否会被当作真正数据而得到保存，取决于当时它到达的时间和时钟下降沿或上升沿之间的关系。SET有转变为SEU的可能。基于静态随机访问存储器（StaticRandomAccessMemorizer,SRAM）工艺的FPGA受空间高能粒子影响较大，其内部配置存储器的逻辑状态常常发生SEU。如果翻转发生在RAM单元，可能导致数据错误或丢失；如果翻转发生在逻辑功能区，可能导致航天器的功能中断[8]。因此，研究提高其抗单粒子效应能力的新方法是相当具有吸引力的工作。5宇航应用中的芯

8、片选择在实际宇航工程应用中，可选择的芯片包括专用集成