半导体物理复习2009

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1、35一、选择题1.若半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定。A.不含施主杂质B.不含受主杂质C.不含任何杂质D.处于绝对零度2.本征半导体是指的半导体。A.不含杂质与缺陷B.载流子的分布遵从玻耳兹曼统计规律C.电子密度与空穴密度相等D.与掺杂半导体相比，电导率最低3.半导体中杂质自补偿效应的起因是。A.材料中先已存在某种深能级杂质B.材料中先已存在某种深能级缺陷C.掺入的杂质是双性杂质D.热激发导致的电子空穴对激发4.下列四种掺杂硅半导体材料中，室温下功函数最大是。A.含硼1015/cm3的硅B.含磷1015/cm3的

2、硅C.含硼和磷各为1015/cm3的硅D.纯净硅5.若在适度掺杂的无表面态n型硅(功函数WS~4.3eV)上制作欧姆电极，以下四种金属中最合适的是。A.铝Al(功函数Wm~4.2eV)B.铬Cr(功函数Wm~4.6eV)C.金Au(功函数Wm~4.8eV)D.铟In(功函数Wm~3.8eV)6.对于只含一种杂质的非简并n型半导体，其费米能级EF随温度上升而。A.单调上升B.经过一极小值趋近本征费米能级EiC.单调下降D.经过一极大值趋近本征费米能级Ei7.PN结加正向电压时，其正向电流是。A．多子扩散而成B．少子扩散而成C．少

3、子漂移而成D．多子漂移而成8.以下不属于PN结击穿的主要机构有。A．热不稳定性B．穿通效应C．隧道效应D．雪崩倍增9.若半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定。A.不含施主杂质B.不含受主杂质C.不含任何杂质D.处于绝对零度10.本征半导体是指的半导体。A.不含杂质与缺陷B.载流子的分布遵从玻耳兹曼统计规律C.电子密度与空穴密度相等D.与掺杂半导体相比，电导率最低11.半导体中杂质自补偿效应的起因是。A.材料中先已存在某种深能级杂质B.材料中先已存在某种深能级缺陷3535C.掺入的杂质是双性杂质D.热激发导致的电子空穴

4、对激发12.下列四种掺杂硅半导体材料中，室温下功函数最大是。A.含硼1015/cm3的硅B.含磷1015/cm3的硅C.含硼和磷各为1015/cm3的硅D.纯净硅13.若在适度掺杂的无表面态n型硅(功函数WS~4.3eV)上制作欧姆电极，以下四种金属中最合适的是。A.铝Al(功函数Wm~4.2eV)B.铬Cr(功函数Wm~4.6eV)C.金Au(功函数Wm~4.8eV)D.铟In(功函数Wm~3.8eV)14.对于只含一种杂质的非简并n型半导体，其费米能级EF随温度上升而。A.单调上升B.经过一极小值趋近本征费米能级EiC.单

5、调下降D.经过一极大值趋近本征费米能级Ei15.PN结加正向电压时，其正向电流是。A．多子扩散而成B．少子扩散而成C．少子漂移而成D．多子漂移而成一、填空题1.两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带电达到热平衡后两者的费米能级。2.半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于半导体。3.晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷，如；线缺陷，如；面缺陷，如层错和晶粒间界。4.间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为。5．杂质可

6、显著改变载流子浓度；杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。35356.硅在砷化镓中既能取代镓而表现为，又能取代砷而表现为，这种性质称为杂质的双性行为。7．对于ZnO半导体，在真空中进行脱氧处理，可产生，从而可获得ZnO半导体材料。8．在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为，高于费米能级2kT能级处的占据概率为。9．本征半导体的电阻率随温度增加而，杂质半导体的电阻率随温度增加，先下降然后，再单调下降。10．n型半导体的费米能级在极低温（0K）时位于导带底和施主能级之间处，随温度升高，费米能级先上升至

7、一极值，然后下降至。11.硅的导带极小值位于空间布里渊区的方向。12.受主杂质的能级一般位于。13.有效质量的意义在于它概括了半导体的作用。14.间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为。15.除了掺杂，也可改变半导体的导电类型。16.是测量半导体内载流子有效质量的重要技术手段。17.PN结电容可分为和扩散电容两种。18.PN结击穿的主要机制有、隧道击穿和热击穿。19.PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是电压。353520.能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的，引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的的作用。21.从

8、能带角度来看，锗、硅属于半导体，而砷化稼属于半导体，后者有利于光子的吸收和发射。22．除了这一手段，通过引入也可在半导体禁带中引入能级，从而改变半导体的导电类型。23.半导体硅导带底附近的等能面是沿方向的旋转椭球面，载流子在长轴方向（纵向）有效质量ml在短轴方向（横向）有效质