《半导体器件物理》复习题201246318

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1、《半导体器件物理》复习思考题(1)提高半导体的掺杂浓度,p-n结的势垒高度将会_增大__,p-n结的势垒厚度将会__增大_;如果重掺杂,使半导体达到高度简并时,p-n结的势垒高度将会_减小___。(增大;减小;不变)(2)当环境温度升高时,p-n结的势垒高度将会_减小___,p-n结的势垒厚度将会_减小__,p-n结的正向压降将会__减小___。(增大;减小;不变)(3)半导体耗尽层就是其中不存在有_任何载流子____的区域。(任何载流子;任何电荷;任何载流子和任何电荷)(4)线性缓变p-n结的雪崩击穿电压要_高于__突变p-n结的击穿电压。(高于;低于;等于)(5)同

2、时表征少数载流子的寿命长短和扩散快慢的一个重要参量是_扩散长度___。(迁移率;扩散系数;扩散长度)(6)决定通过p-n结电流大小的主要因素是_少数载流子扩散的浓度梯度_。(少数载流子扩散的浓度梯度;多数载流子的浓度;载流子的漂移速度;势垒区中的电场);限制p-n结电流大小的主要区域是_势垒区两边的中性扩散区_。(存在有电场的势垒区;势垒区两边的中性扩散区;势垒区和扩散区以外的中性区)(7)通过p+-n结的电子电流__小于___空穴电流。(大于;小于;等于)(8)对于Si的p-n结,其反向电流主要是_势垒区中复合中心的产生电流_。(在扩散区的少数载流子扩散电流;势垒区中

3、复合中心的产生电流;势垒区中的漂移电流)温度升高时,Sip-n结的反向电流将_指数增加_。(线性增加;指数增加;快速下降;不变)(9)p-n结在正向电压下呈现出的电容,有__势垒电容和扩散电容____。(势垒电容;扩散电容;势垒电容和扩散电容)(10)由金属-半导体接触构成的Schottky二极管,是_多数载流子器件___。(少数载流子器件;多数载流子器件)与p-n结二极管相比,Schottky二极管具有____较低__的正向电压。(较高;较低;相等)(11)对于放大状态的n+-p-n晶体管,通过基极的电流分量包括有_在基区复合的电子电流,在发射区注入空穴的扩散电流,在

4、基区抽取的电子的扩散电流,发射结势垒区中复合中心的电流_。(12)BJT的ICEO要比ICBO约大___β0____倍。(α0;β0)(13)BJT的发射极电流集边效应是由于_基区扩展电阻__而产生的。(发射极串联电阻;基区扩展电阻;基区展宽效应;基区电导调制效应)(14)Early效应是由集电结电压变化5__所引起的,其基本涵义是__________;Kirk效应是由_大的发射极电流_所引起的,其基本的涵义是。(发射结电压变化;集电结电压变化;高的集电结电压;大的发射极电流;大的基极电流)(15)BJT的集电结与单独的p-n结相比(在可类比的情况下),它通过的电流要_

5、大_,其击穿电压要_低__。(大;小;高;低)(16)影响双极型晶体管耗散功率的主要因素是____热阻___。(基极电阻;击穿电压;集电极最大允许工作电流;热阻)(17)BJT的开关时间一般主要决定于_基区和集电区中过量存储电荷消失的时间__。(发射结的充放电时间;基区和集电区中过量存储电荷消失的时间;集电结的充放电时间)(18)与双极型晶体管不同,场效应晶体管是_电压控制__器件(电压控制;电流控制),是__多数__载流子器件(多数;少数)。(19)MOSFET的阈值电压基本上包含有_栅氧化层上的电压,使半导体表面产生强反型层所需要的电压,平带电压[包含金属-半导体的

6、功函数差和SiO2/Si系统内部和界面的电荷]___________几个部分的电压。(20)MOSFET的阈值电压随着温度的升高将_下降_(下降;增大;不变)。(21)对于长沟道场效应晶体管,其电流饱和的机理是_沟道夹断__;而对于短沟道沟道场效应晶体管,其电流饱和的机理是_速度饱和___。(沟道夹断;速度饱和;迁移率下降)(22)场效应晶体管的跨导gm是反映栅极电压变化引起源-漏电流变化的大小_(栅极电压变化引起源-漏电流变化的大小;源-漏电压变化引起源-漏电流变化的大小),它表征着场效应晶体管的_放大性能__(输出电阻;输入电阻;放大性能)。(23)对于场效应晶体管

7、,其饱和区的跨导要_大于__线性区的跨导(大于;小于;等于),并且饱和区的跨导等于_线性区的漏电导_(饱和区的漏电导;线性区的漏电导;衬底的跨导)。(24)场效应晶体管的特征频率(截止频率)fT是根据_输出交流电流等于输入交流电流_来确定的(输出交流电流等于输入交流电流;输出阻抗等于输入阻抗;输出电压等于输入电压);短沟道MOSFET的fT,往往决定于栅极回路时间常数,它与沟道长度之间具有_平方反比__关系(正比;反比;无关;平方反比)。(25)MOSFET表面沟道中载流子的迁移率要_低于__埋沟中载流子的迁移率(高于;低于;等于),并且

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