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时间:2018-09-18
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1、低频电子线路10级复习题◆负反馈放大器可以____________非线性失真,____________通频带。◆差动放大器可以放大____________信号,抑制____________信号。◆三种基本组态(共射极、共基极、共集电极)放大器中,____________组态的输出电阻最低;____________组态的输入电阻最低;____________组态兼有电流和电压两种放大作用。◆场效应管是____________控制元件,而晶体三极管是____________控制
2、元件。◆直流负载线和交流负载线的交点即为________________________点。◆放大器的电压放大倍数在低频段主要受____________电容和____________电容的影响。◆当输入电压与____________相等时,____________类功率放大器的最高效率可达78.5%。◆为保证三极管具有较强的正向控制作用,对晶体管内部结构的要求是:发射区掺杂浓度最____________,基区宽度应最____________;两个PN结外加偏置电压的极性应保证发射结____________偏和集电结______
3、______偏。◆PN结加反向电压时,其空间电荷区将变____________,此时结电阻____________。◆.P型半导体中多数载流子为__________,少数载流子为__________。◆.PN结的反向击穿有__________和__________两种击穿。◆、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏◆、时,不能够工作在恒流区的场效应管有。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管◆三极管工作在饱和状态时,其发射结______
4、____,集电结__________。◆当某三极管VBE=0.7V,VCE=0.3V,则该管工作在__________区,集电极电流和基极电流关系是__________。◆场效应管的导电过程仅仅取决于__________载流子的运动;因而它又称做__________器件。8◆在场效应管放大电路中,就VGS而言,__________型MOS管是单极性的,而__________型MOS管可以是双极性的。◆、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。A、元件老化B、晶体管参数受温度影响C、放大倍数不够稳定D、电源电压不稳◆、集成放大电路
5、采用直接耦合方式的原因是。◆A、便于设计B、放大交流信号C、不容易制作大容量电容、集成运放中采用有源负载是为了。A、减少温度漂移B、增大电压放大倍数C、提高输入电阻◆、放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的原因是。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适◆放大器的失真分为__________失真和__________失真两大类。.◆在相同条件下,阻容耦合放大电路的零点漂移__________,而直接耦合放大电路的零点漂移__________。.◆共发
6、射极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________,共基极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________。◆.设计一个负反馈放大电路,要使输入电阻增大应引入__________型负反馈,若要稳定输出电压应引入__________型负反馈。◆为了稳定放大电路的输出电流且增大放大电路的输入电阻,应该引入负反馈A、电流串联负反馈B、电压串联负反馈C、电流并联负反馈D、电压并联负反馈◆功率放大电路负载上获得的功率来源于。A、输入信号B、功率放大管C、直流电源◆、温度对晶体管参数的影响主要体现在。
7、A、β、、B、β、、C、、、◆、场效应管和三极管都可以放大电流,下列描述不准确的是。A、场效应管是电压控制电流元件、三极管是电流控制电流元件B、场效应管是多数载流子(单种)导电、三极管是空穴和自由电子(两种)都参与导电C、场效应管电压电流关系遵守平方律、三极管电压电流关系遵守指数律D、场效应管输入电阻小、三极管输入电阻大◆发光二极管(LED)在电子与空穴复合的过程中,有一部分能量以的形式放出,使发光。发光二极管(LED)正向电流越大,发出的光。■、就是通过改变加在PN结上的反向偏压(栅源电压)的大小来改变耗尽层的宽度,进而改变
8、沟道的宽度和沟道电阻的大小以达到控制沟道的目的。8■、多级放大器的输入电阻就是,输出电阻就是。■、差模输入信号的表达式是,共模输入信号的表达式是。■、理想集成运算放大器的开环差模电压放大倍数是,共模抑制比是。☆、判断下列描述关系,在正确选项上画勾(√)(1)、二极管正偏时电流
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