cmos模拟集成电路讲义 (demo)new

cmos模拟集成电路讲义 (demo)new

ID:18429347

大小:1.53 MB

页数:103页

时间:2018-09-17

cmos模拟集成电路讲义 (demo)new_第1页
cmos模拟集成电路讲义 (demo)new_第2页
cmos模拟集成电路讲义 (demo)new_第3页
cmos模拟集成电路讲义 (demo)new_第4页
cmos模拟集成电路讲义 (demo)new_第5页
资源描述:

《cmos模拟集成电路讲义 (demo)new》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、CMOS模拟集成电路CAD讲义例1:估算参数的求取1.Kn、Kp的求取图1.1表1.1VdsKn(p)L=2u0.50.81.11.41.7NMOS(mA·V-2)28.429.530.130.631.0PMOS(mA·V-2)9.710.511.212.012.8思考题1.1:从表1.1中可以看出沟道调制效应系数l是否为常数?为什么?.上试中:第103页共103页CMOS模拟集成电路CAD讲义2.ln、lp的求取图1.2图1.3第103页共103页CMOS模拟集成电路CAD讲义图1.4表1.2Vdsln(p)L=2uL=3uL=4u0.50.81.11.41.70.50.81.11

2、.41.70.50.81.11.41.7Routn(KW)14.332.844.251.856.818.550.065.775.882.320.662.784.296.4103.9ln(V-1)0.190.080.060.050.040.150.050.040.0360.0330.0970.0440.0330.0280.026Routp(KW)20.633.032.231.130.020.238.338.036.935.919.543.643.742.841.8lp(V-1)0.400.230.220.210.200.390.190.180.1780.1730.390.1640.15

3、60.1520.149*比较上面求得的ln、lp与上学期所学教材中lµ1/L的差异。MOSFET的简化版图如图1.5所示,其中L1表示MOS管源漏区接触孔与多晶硅之间的最小距离,L2表示接触孔的最小尺寸,L3表示接触孔与源漏区边缘间的最小距离。寄生电容可按表1.3估算:图1.5第103页共103页CMOS模拟集成电路CAD讲义表1.3MOS管寄生电容的计算公式MOSFET的寄生电容CGSCGDCDB(CSB)饱和区CGSOWeff+0.67COXWeffLeffCGDOWeffWECj+2(W+E)Cjsw表1.3中E=L1+L2+L3,L1、L2、L3这些规则尺寸可以很容易在技术资

4、料上找到(对于“懒惰”的工程师们而言,一个也许更高效的办法是从晶元厂提供的版图库中直接通过测量获得)。一种保守的方法是取E=9um来进行估算。CGSO、CGDO分别为单位宽度的栅-源和栅-漏交叠电容,单位为F/m;Cjsw为单位长度的源(漏)侧壁结电容,单位为F/m;Cj为单位面积的源(漏)结电容,单位为F/m2。这些数据可从模型参数中直接获取。我们采用的模型中的寄生电容参数如下:NMOS的寄生电容VTH0=0.5815607CGSO=2.7´10-10CGDO=2.7´10-10Cj=2.806451´10-4Cjsw=1.464911´10-10PMOS的寄生电容VTH0=-0.

5、8058627CGSO=2.7´10-10CGDO=2.7´10-10Cj==2.959698E-4Cjsw=1.464496´10-10第103页共103页CMOS模拟集成电路CAD讲义例2:单级CS放大器的设计已知:VDD=3V,I0=100mA,信号源内阻RS=2K要求:Av³-26dB,输出摆幅³2V一、参数估算1.据输出摆幅要求,分配NMOS管和PMOS管的Von。电路如图2.1所示。VonN+VonP£1,取VonN=0.2,VonP=0.62.估算静态偏值电压:Vin=0.2+0.5815=0.7815;Vbp=3-0.6-0.8058=1.59423.验证增益是否满足

6、要求:图2.1可以估算出输出节点Vout的静态工作点为(0.2+2.4)/2=1.3,L=2u时,查表1.2可知此时ln»0.05,lp»0.21于是可以估算出:gmn=〔4Kn(W/L)MN1ID〕1/2=〔4×30.5×82×100〕1/2»1.0mA·V-1或者gmn=2ID/(VGS-VTN)=2ID/Von1=200/0.2=1.0mA·V-1Rout=1/〔(ln+lp)ID〕»1/〔(0.05+0.21)×100×10-6〕=38.5KAv=gmn/〔(ln+lp)ID〕»10-3/〔(0.05+0.21)×100×10-6〕=38.5(即31.7dB)〔满足要求〕4.

7、估算各管的宽长比,查表1.1可知Kn»30.5ua,Kp»12.8ua,(W/L)MN1=ID/(Kn×Von2)=100/(30.5×0.22)»82=164/2(W/L)MP1=ID/(Kp×Von2)=100/(12.8×0.62)»22=44/2二、仿真验证1.静态工作点仿真结果如图2.2所示图2.22.输出电压摆幅及跨导gMN仿真结果如图2.3所示输出电压摆幅0.454V~2.374V计算值gmn=〔4Kn(W/L)MN1ID〕1/2=〔4×30

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。