模拟电子技术应用(二)复习题及答案

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1、模拟电子技术应用（二）复习题及答案1.设图中VD为普通硅二极管，正向压降为0.7V，试判断VD是否导通，并计算UO的值。（a）设VD断开，求得UO－0.45V，小于硅二极管的死区电压，所以VD截止，UO－0.45V（b）VD导通，UO＝2.3V2.计算下图电路中二极管上流过的电流ID。设二极管的正向导通压降为0.7V，反向电流等于零。（a），VD截止，（b）3.电路如图所示，VD为理想二极管，画出各电路的电压传输特性(曲线），并标明转折点坐标值。4.已知电路中，，二极管正向压降为0.7V，画出各电路中uO1、uO2波形，并注明其电压幅值。5.在如图所示电路中，已知稳压管VDZ1的稳定电压UZ1

2、＝6.3V，VDZ2的稳定电压UZ2＝7.7V，它们的正向导通电压UD均为0.7V，UI和R的取值合理，UI的实际极性和UO1～UO4的假设极性如图中所标注。填空：UO1＝V，UO2＝V，UO3＝V，UO4＝V。14，7，－0.7，－6.36.从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。（A．放大，B．饱和，C．截止，D．损坏）⑴；⑵；⑶；⑷；⑸。（1）C（2）A（3）C（4）B（5）D7.从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于

3、什么状态。（A．放大，B．饱和，C．截止，D．损坏）⑴；⑵；⑶；⑷；⑸。（1）D（2）A（3）A（4）C（5〕B8.已知图示电路中晶体管＝50，，UBEQ＝0.7V。判断在下列两种情况下晶体管工作在什么状态。1．＝10，＝12．＝510＝5.1如果工作在线性放大状态，则进一步计算静态工作点、、以及电压放大倍数、输入电阻、输出电阻（设电容C1、C2对交流信号可视为短路）。1．饱和2．线性放大μA=Rb//≈1.27k=Rc=5.1k9.已知图示电路中晶体管的＝80，，UBEQ＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。(1)要求静态电流＝1mA，估算Re1的值；(2)求电压放大倍数、输入

4、电阻和输出电阻。1．2．＝Rb1//Rb2//[+(1+)Re2]≈4.6k＝＝310.某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图所示，设晶体管的UBEQ＝0.6V。1．在输出特性曲线上画出该放大电路的直流负载线和交流负载线，标明静态工作点Q；2．确定静态时ICQ和UCEQ的值；3．当逐渐增大正弦输入电压幅度时，首先出现饱和失真还是截止失真？4．为了获得尽量大的不失真输出电压，应增大还是减小？1．IBQ＝20μA，作图如下：2．ICQ≈2mA，UCEQ≈3V3．首先出现截止失真4．减小Rb11.某硅晶体管的输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其直流、交流负载线如图所示。求：1．电源电压

5、VCC，静态电流ICQ，静态电压UCEQ；2．电路参数、、；3．该电路此时的最大不失真输出电压幅值Uom。1．VCC≈12V，ICQ≈3mA，UCEQ≈3V2．Rc≈3k，RL≈1.5kRb≈188k（取UBEQ＝0.7V）或190k（取UBEQ＝0.6V）3．Uom＋≈3V，UOm－≈2.5V，取Uom≈2.5V12.放大电路及相应的晶体管输出特性如图所示，直流负载线和Q点也标在图上。1．确定VCC，、的数值（设UBEQ＝0.7V）；2．画出交流负载线，要标出关键点的数值；3．在这种情况下，最大不失真输出电压幅值是多少？（设UCES0.5V）4．为了获得更大的不失真输出电压，应增大还是减小？

6、1．VCC＝12VRc＝2kRb≈283k（设UBE＝0.7V）2．过Q点作斜率为的直线，与uCE轴交点为10V，与iC轴交点约为6.7mA（至少应标明一个交点）3．Uom＋＝6V，Uom－≈3.5V取Uom＝3.5V4．Rb应增大13.某硅晶体管输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其交流负载线、静态工作点Q如图所示。设晶体管的UBE＝0.7V，UCES＝0.5V。1．确定的数值，画出直流负载线（要标出关键点的数值）；2．确定VCC和的值；3．在这种情况下，最大不失真输出电压幅值是多少？4．为了获得更大的不失真输出电压，应增大还是减小？1．由图可知Rc＝4k直流负载线是过Q点、斜率为的直线

7、，与uCE轴交点为14V，与iC轴交点为3.5mA2．VCC＝14V，Rb≈665k3．Uom＋≈4V，Uom－≈5.5V取Uom＝4V4．Rb应减小14.试判断下列电路的级间交流反馈类型。图(a)R3电流并联负反馈图(b)正反馈R4电压串联负反馈图(b)正反馈图(c)电压串联负反馈图(d)电流并联负反馈图(e)正反馈图(f)电流并联负反馈(g)图(g)正反馈15.由理想运算放大器A组成的电路如图