实验报告_高温超导材料临界转变温度的测定

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1、高温超导材料临界转变温度的测定一．实验目的1．通过对氧化物超导材料的临界温度TC两种方法的测定，加深理解超导体的两个基本特性；2．了解低温技术在实验中的应用；3．了解几种低温温度计的性能及Si二极管温度计的校正方法；Tr0r4．了解一种确定液氮液面位置的方法。二．实验原理1．超导现象及临界参数1）零电阻现象图1一般金属的电阻率温度关系图2　汞的零电阻现象0.150.1250.100.0750.050.0250.004.04.14.24.34.410-5W电阻︵W︶T(K)在低温时，一般金属（非超导材料）总具有一定的电阻，如图1所示，其

2、电阻率r与温度T的关系可表示为：　　（1）式中r0是T＝0K时的电阻率，称剩余电阻率，它与金属的纯度和晶格的完整性有关，对于实际的金属，其内部总是存在杂质和缺陷，因此，即使使温度趋于绝对零度时，也总存在r0。15/15rT90%r050%r010%r0起始转变温度TCDTC完全转变温度r0图3　正常－超导转变rT90%r050%r010%r0起始转变温度TCDTC完全转变温度r0零电阻现象，如图2所示。需要注意的是只有在直流情况下才有零电阻现象，而在交流情况下电阻不为零。2）完全抗磁性当把超导体置于外加磁场中时，磁通不能穿透超导体，超

3、导体内的磁感应强度始终保持为0，超导体的这个特性称为迈斯纳效应。注意：完全抗磁性不是说磁化强度M和外磁场B等于零，而仅仅是表示M=-B/4p。超导体的零电阻现象与完全抗磁性的两个特性既相互独立又有紧密的联系。完全抗磁性不能由零电阻特性派生出来，但是零电阻特性却是迈斯纳效应的必要条件。超导体的完全抗磁性是由其表面屏蔽电流产生的磁通密度在导体内部完全抵消了由外磁场引起的磁通密度，使其净磁通密度为零，它的状态是唯一确定的，从超导态到正常态的转变是可逆的。3）临界磁场图4　第I类超导体临界磁场随温度的变化关系0TCTHCH0超导态正常态把磁场

4、加到超导体上之后，一定数量的磁场能量用来建立屏蔽电流以抵消超导体的内部磁场。当磁场达到某一定值时，它在能量上更有利于使样品返回正常态，允许磁场穿透，即破坏了超导电性。致使超导体由超导态转变为正常态的磁场称为超导体的临界磁场，记为HC。如果超导体内存在杂质和应力等，则在超导体不同处有不同的HC，因此转变将在一个很宽的磁场范围内完成，和定义TC样，通常我们把H=H0/2相应的磁场叫临界磁场。4）临界电流密度15/15实验发现当对超导体通以电流时，无阻的超流态要受到电流大小的限制，当电流达到某一临界值IC后，超导体将恢复到正常态。对大多数超

5、导金属，正常态的恢复是突变的。我们称这个电流值为临界电流IC，相应的电流密度为临界电流密度JC。对超导合金、化合物及高温超导体，电阻的恢复不是突变，而是随电流的增加渐变到正常电阻R0。2．温度的测量：温度的测量是低温物理中首要和基本的测量，也是超导性能测量中不可缺少的手段，随着科学技术的发展，测量方法不断增加，准确程度也逐渐提高。在低温物理实验中，温度的测量通常有以下几种温度计：气体温度计、蒸汽压温度计、电阻温度计、热电偶温度计、半导体温度计和磁温度计。可根据温区、稳定性及复现性等主要因素来选择适当的温度计。在氧化物超导体临界温度的测

6、量中，由于温度范围从300K→77K，我们采用铂电阻温度计作为测量元件。为了使同学们对温度计使用有更多的了解，我们还采用热电偶温度计和半导体温度计作为测温的辅助手段。现将它们的测温原理简介如下：1）铂电阻温度计：铂电阻温度计是利用铂的电阻随温度的变化来测量温度的，铂具有正的电阻温度系数，若铂电阻在0℃时电阻为100W，其电阻R与温度T的关系如表1所示。由于金属铂具有很好的化学稳定性，体积小而且易于安装和检测，国际上已用它作为测温标准元件。2）温差电偶温度计：由电磁学知，当两种不同的金属(A、B)接触时，由于其逸出功不同，在接触点处会产

7、生接触电势差，如果把此两不同金属的导线联成闭合回路时，且两个接触点处在不同的温度（T1，T2），则在回路中就有电动势E存在，这种电动势称为温差电动势，而回路称为温差电偶，E的大小与A、B两种材料及接触处的温度T1，T2有关。我们实验中采用镍铬－康铜作为温差材料，它们的温差电动势E15/15与温度的关系，可查阅实验室的数据表。3）半导体Si二极管温度计：它是利用半导体二级管PN结的正向电压随温度下降而升高的特性来测量温度的，不同半导体的PN结，其正向电压与温度的关系是不一样的。硅二极管温度计属于二次温度计，它需要经过标定后才能使用。标定

8、用的温度计称为一次温度计。根据国际计量大会的规定，采用气体温度计作为一次温度计，而铂电阻温度计作为用于13.8K－903.89K温度范围的测温标准元件。在我们实验中采用铂电阻温度计来标定Si二极管温度计。标定时，Si二极