模拟电子电路期末模拟题2.doc

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1、…………….……………..装……………………订………………..线…………….……………..阜阳师范学院2008——2009学年度第二学期考试（B）卷物电学院电子信息科学与技术专业电子线路课程，共4页，第1页，共印刷130份,2009年06月22日8：00—9：40考试，任课教师刘积学拟题教研室学号题号一二三四五六七八九十十一十二总分备注得分阅卷教师签名一、填空题（20分）（每空1分）1．杂质半导体有________型和__________型两种。2．场效应管根据导电沟道不同有__________和_

2、_____________两种。3．处于放大状态的NPN型晶体三极管，UB、UC、UE三个电位之间的关系是_____________________，处于饱和状态的NPN型晶体三极管UB、UC、UE三个电位之间的关系是____________________。4．某放大器的下限角频率，上限角频率，则带宽为_______________Hz。5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其______________________的特点以获得较高增益。6．在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件

3、时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于_______________才能起振。7．双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结____________________、集电结_______________。8．放大器级间耦合方式有三种：______________耦合；______________耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用_______________耦合。9．产生正弦波振荡的幅值平衡条件是__________，相位平衡条件是__________。10．直流稳压电源的主要组成部分是___

4、____________、_______________、_______________和_____________电路组成。二、选择题（30分）（每小题2分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将()。A增大B减小C不变D等于零2．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是()。A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性C晶体管参数受温度影响D受输入信号变化的影响3．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()。A非饱和区B饱和区C截止区D击穿区4．差动放大电路的主要特点是()。A有效放大差模信号，有力抑制

5、共模信号；B既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D既抑制差模信号，又抑制共模信号。5．互补输出级采用射极输出方式是为了使()。A电压放大倍数高B输出电流小C输出电阻增大D带负载能力强6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。A可获得较高增益B可使温漂变小C在集成工艺中难于制造大电容D可以增大输入电阻7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是()。A耦合电容和旁路电容的影响B晶体管极间电容和分布电容的影响C晶体管的非线性特性D放大电路的静态工作点设置不合适班姓名

6、级学院…………….……………..装……………………订………………..线…………….……………..物电学院电子信息科学与技术专业电子线路课程共4页，第2页，共印刷份,年月日—考试，任课教师刘积学8．当信号频率等于放大电路的和时，放大倍数的数值将下降到中频时的()。A0.5倍B0.7倍C0.9倍D1.2倍9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后()，则说明引入的是负反馈。A输入电阻增大B输出量增大C净输入量增大D净输入量减小10．某只硅稳压管的稳定电压Vz=4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和

7、－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为()。A+5v和-5vB-5v和+4vC+4v和-0.7vD+0.7v和-4v11．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是()。A不用输出变压器B不用输出端大电容C效率高D无交越失真12．三极管共射放大电路中，若静态工作点设置过低，在输入信号增大时放大器会首先产生（）。A交越失真B饱和失真C截止失真D不能确定的失真13．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（）。A基本共射放大电路B基本共集放大电路C反相比例运算电

8、路D同相比例运算电路14．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（）。ANPN型硅管BNPN型锗管CPNP型硅管DPNP型锗管15．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。A输入电阻高B输出电阻低C共模抑制比大D电压放大倍数大三、综合题（35分）1.（10分）电路如图所示。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和Vo的值；（4分）（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变